一种图形利记博彩app、阵列基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，特别是一种图形利记博彩app、阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。为了使得阵列基板和彩膜基板在不加电压的情况下稳定液晶方向，需要在阵列基板上设置有PI (Polyimide,聚酰亚胺)薄膜。
[0003]图1为在TFT基板上摩擦PI薄膜的示意图(以顶栅结构为例)，从图中可以看出，目前绝缘层上方的源电极6、漏电极7、半导体层图案8均是存在凸起的，因此像素区域9的边缘附近会存在段差h，当辊子10在摩擦PI薄膜过程中会因段差h而形成盲区RubbingShadow?这样一来，盲区中的PI薄膜因未被摩擦到而导致液晶分子排列混乱，使得光无法按照预期方向折射，发生像素区域边缘的漏光现象。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种图形利记博彩app阵列基板、显示装置，能够有效减少功能图案在绝缘层上形成的凸起。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0006]一方面，本发明实施例提供了一种图形利记博彩app，用于在最上层为绝缘层的基板上形成功能图案，所述图形利记博彩app包括:
[0007]在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构，所述凹槽结构的厚度小于所述绝缘层的厚度；
[0008]在刻蚀有所述凹槽结构的基板上形成待刻蚀为功能图案的图案层；
[0009]刻蚀掉非凹槽结构上的所述图案层，得到由保留在所述凹槽结构上的图案层形成的所述功能图案。
[0010]其中，所述功能图案为半导体层图案；所述图案层为半导体层。
[0011]或者，所述功能图案为源漏电极图案；所述图案层为源漏电极金属层。
[0012]再或者，所述功能图案为半导体层图案和源漏电极图案；所述图案层为半导体层和源漏电极金属层。
[0013]其中，在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构，包括:
[0014]在所述绝缘层上逐次按照所述半导体层图案以及源漏电极图案进行刻蚀；或在所述绝缘层上按照所述半导体层图案以及源漏电极图案组成的符合图案进行刻蚀。
[0015]另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板的绝缘层具有凹槽结构，形成在所述绝缘层上的功能图案至少一部分与所述凹槽结构重叠。
[0016]此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0017]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0018]在本发明的方案中，绝缘层上的凹槽可抵消其上面功能图案的凸起，因此可使像素区域的边缘附近更加平坦，进而提高了 PI薄膜摩擦工艺，避免发生漏光现象。
【附图说明】
[0019]图1为在现有技术的TFT基板上摩擦PI薄膜的示意图；
[0020]图2为本发明的图形利记博彩app的步骤示意图；
[0021]图3A-图3E为本发明实施例一制作图形的工艺示意图；
[0022]图4为发明实现方式一中，像素区域在基板上的结构示意图；
[0023]图5A-图5E为本发明实施例二制作图形的工艺示意图；
[0024]图6为发明实现方式二中，像素区域在基板上的结构示意图；
[0025]图7A-图7E为本发明实施例三制作图形的工艺示意图；
[0026]图8为发明实现方式三中，像素区域在基板上的结构示意图；
[0027]图9为现有技术的TFT阵列基板与本发明的TFT阵列基板的对比示意图。
【具体实施方式】
[0028]为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0029]传统工艺制成的TFT阵列基板中，像素区域的边缘附近存在较大的段差，因此在对像素区域摩擦配向膜时，会有盲区。为解决这一问题，本发明提供一种新的图形利记博彩app利记博彩app，可有效改善薄膜晶体管区域与像素区域之间的平坦度，如图2所示，本实施例的方法包括:
[0030]步骤21，在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构；所述凹槽结构的厚度小于所述绝缘层的厚度；
[0031]步骤22，在刻蚀有所述凹槽结构的基板上形成待刻蚀为功能图案的图案层；
[0032]步骤23，刻蚀掉非凹槽结构上的所述图案层，得到由保留在所述凹槽结构上的图案层形成的所述功能图案。
[0033]在本实施例的利记博彩app中，绝缘层上的凹槽结构可抵消其上面功能图案的凸起，因此可使像素区域的边缘附近更加平坦，进而避免了摩擦PI薄膜过程中存在盲区。
[0034]需要给予说明的是，在本实施例的方法中，只要是在绝缘层上所形成的图案都可以在一定程度上(取决于凹槽结构的厚度)抵消凸起。例如，想要抵消源漏电极图案的凸起，则可以在绝缘层上刻蚀源漏电极图案的凹槽结构，或者想要抵消有半导体层图案的凸起，则可以在绝缘层上刻蚀半导体层图案的凹槽结构，再或者想要同时抵消源半导体层图案和漏电极图案的凸起，则可以在绝缘层上，刻蚀出半导体层图案和漏电极图案的凹槽结构。下面结合几种实现方式对上述方案进行详细介绍。
[0035]<实现方式一 >，抵消半导体层图案的凸起:
[0036]在实现方式一中，所述图形利记博彩app的工艺过程如图3A-图3E所示，包括:
[0037]步骤31，在基板I的绝缘层2上刻蚀出半导体层图案的凹槽结构3 ;其中，刻蚀厚度要小于绝缘层的厚度；
[0038]步骤32，在刻蚀有凹槽结构的基板上形成半导体层4 ;
[0039]步骤33，对半导体层进行刻蚀，去掉凹槽结构外的半导层，得到半导体层图案；在该步骤中，若刻蚀厚度等于半导体层图案的厚度，则制作出的半导体层图案与绝缘层可呈同一平面；
[0040]步骤34，在制作出半导体图案层的基板上沉积源漏电极金属层5 ;
[0041]步骤35，对源漏电极金属层进行刻蚀，得到数据线、源电极6以及漏电极7 ;
[0042]在上述基础之上，若后续制作出像素电极图案后，可得到如图4所示的结构，对比图1所示的顶栅结构的TFT基板，可以看出，现有技术中像素区域边缘附近的段差h高度约等于半导体层图案8与源漏电极图案(6、7)的厚度和，而本实现方式一中，假设刻蚀厚度为半导体层图案厚度，则最后的像素区域边缘附近的段差高度hi约等于源漏电极图案厚度。