发光装置的制造方法
【专利说明】发光装置
[0001]本申请是申请日为2010年3月16日、申请号为2010101318738、名称为“发光装置”的申请的分案申请。
技术领域
[0002]本发明涉及发光装置。
【背景技术】
[0003]近年来，作为投影仪、显示器等显示装置的光源用的发光装置，正期待高亮度且色再现性优良的激光装置。然而，存在因屏幕面中的乱反射光相互干涉而产生的斑点噪声
的问题。针对该问题，例如在下述专利文献I中，提案了使屏幕摇动而对斑点图案(只夂、y夕少图案)变化，从而降低斑点噪声的方法。
[0004]【专利文献I】特开平11-64789号公报
[0005]然而，在上述专利文献I所公开的方法中，存在如下情况:限定了屏幕、需要用于使屏幕移动的电机(?一夕一)等的构件、来自电机等杂音等的新的问题。
[0006]另外，为了降低斑点噪声，作为光源用的发光装置，可以考虑通常的LED(LightEmitting D1de)。然而，在LED中，不能够得到充分的光输出。
【发明内容】
[0007]本发明的目的之一在于提供一种能够降低斑点噪声，且为高输出的新颖的发光装置。
[0008]本发明所涉及的发光装置，包括:第I包覆层；有源层，其形成在所述第I包覆层的上方；第2包覆层，其形成在所述有源层的上方，所述有源层具有:第I侧面以及与所述第I侧面平行的第2侧面，所述有源层中的至少一部分，构成第I增益区域和第2增益区域，在所述第I增益区域以及所述第2增益区域所产生的光的波长带中，所述第2侧面的反射率比所述第I侧面的反射率高，所述第I增益区域的所述第2侧面侧的第I端面的一部分与所述第2增益区域的所述第2侧面侧的第2端面的一部分，在重叠面中重合，所述第I增益区域，从所述第I端面到所述第I侧面侧的第3端面，相对于所述第I侧面的垂线倾斜而设置，所述第2增益区域，从所述第2端面到所述第I侧面侧的第4端面，相对于所述第I侧面的垂线倾斜而设置，通过所述第I端面的中心和所述第3端面的中心的第I中心线，与通过所述第2端面的中心和所述第4端面的中心的第2中心线具有交点，所述重叠面相对于所述交点，位于从所述第2侧面到所述第I侧面的方向。
[0009]本发明所涉及的发光装置中，如后述那样，能够抑制或防止在增益区域产生的光的激光振荡。因此，能够降低斑点噪声。此外，本发明所涉及的发光装置中，增益区域中所产生的光，在该增益区域内中接受增益的同时而行进，并能够向外部出射。因此，能够得到比以往通常的LED相比较高的输出。如以上那样，根据本发明，可以得到能够降低斑点噪声，且高输出、新颖的发光装置。
[0010]另外，在本发明所涉及的记载中，将称作‘上方’的文言，用作例如，在“特定的物质(以下称作‘A’ )的‘上方’形成其它特定的物质(以下称作‘B’ ) ”等。在本发明所涉及的记载中，在该例那样的情况下，作为包含在A上直接形成B的情况和在A上通过其它物质形成B那样的情况的情况下，使用称作‘上方’的文言。
[0011]本发明所涉及的发光装置中，按照平面视，所述第I增益区域的所述第I端面的宽和所述第2增益区域的所述第2端面的宽相等，将所述交点和所述重叠面之间的距离设为L，将所述第I增益区域的所述第I端面的宽以及所述第2增益区域的所述第2端面中的宽设为W，所述L和所述W，下述式⑴:
[0012]O < L < W......(I) ο
[0013]本发明所涉及的发光装置中，所述L和所述W能够满足下述式(2)。
[0014](W/4)彡 L 彡(3W/4)......(2)
[0015]本发明所涉及的发光装置中，所述L和所述W满足下述式(3)。
[0016]L= (W/2)......(3)
[0017]本发明所涉及的发光装置中，也可以，所述第I增益区域从所述第I端面到所述第3端面以一定的宽度设置，所述第2增益区域从所述第2端面到所述第4端面，以一定的宽度设置，所述第I增益区域的宽和所述第2增益区域的宽相等。
[0018]本发明所涉及的发光装置中，在所述第2侧面能够设置反射部。
[0019]本发明所涉及的发光装置中，也可以，所述第I增益区域的平面形状和所述第2增益区域的平面形状，相对于所述重叠面的垂线而线对称。
[0020]本发明所涉及的发光装置中，也可以，所述第I增益区域在从所述第I端面到所述第3端面之间，具有对在所述第I增益区域内行进的光进行反射的反射面，从所述第3端面出射的光和从所述第4端面出射的光，沿同一的方向行进。
[0021]本发明所涉及的发光装置中，也可以，从所述有源层的所述第I侧面侧平面视，所述第I增益区域的所述第I端面和所述第3端面不重合，所述第2增益区域的所述第2端面和所述第4端面不重合。
[0022]本发明所涉及的发光装置中，所述第I增益区域所产生的光的一部分，在所述重叠面中进行反射，从所述第2增益区域的所述第4端面出射，所述第2增益区域所产生的光的一部分，在所述重叠面中进行反射，从所述第I增益区域的所述第3端面出射。
[0023]本发明所涉及的发光装置中，可以包含:与所述第I包覆层电连接的第I电极，与所述第2包覆层电连接的第2电极。
[0024]另外，在本发明所涉及的记载中，将称作‘电连接’的文言，用作例如“与特定的构件(以下称作‘C构件’)电连接的其他的特定的构件(以下称作‘D构件’)等。本发明所涉及的记载中，在该例那样的情况下，作为包含C构件和D构件直接相接而电连接的情况以及C构件和D构件通过其他的构件而电连接那样的情况的情况，使用称作“电连接”的文言。
[0025]本发明所涉及的发光装置中，也可以，进一步包含形成在所述第2包覆层的上方，并与所述第2电极欧姆接触的接触层，至少所述接触层和所述第2包覆层的一部分，构成柱状部，所述柱状部，具有与所述第I增益区域以及所述第2增益区域相同的平面形状。
【附图说明】
[0026]图1是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的体图。
[0027]图2是示意性地表示本实施方式涉及的发光装置的俯视(平面)图。
[0028]图3是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的剖面图。
[0029]图4是从第I侧面侧俯视观察本实施方式所涉及的有源层的图。
[0030]图5是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的制造工序的剖面图。
[0031]图6是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的制造工序的剖面图。
[0032]图7是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的制造工序的剖面图。
[0033]图8是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的制造工序的俯视图。
[0034]图9是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置的实验例中所用的模型(?τ& )的俯视图。
[0035]图10是表示本实施方式所涉及的发光装置的实验例的结果的曲线图。
[0036]图11是示意性地表示本实施方式的变形例所涉及的发光装置的俯视图。
[0037]图中:1-晶圆、3-刻度线(只夕X 7'、X V )、10-光、12-光、13-光、14-光、20-出射光、22-出射光、100-发光装置、101-发光图案、102-基板、104-第I包覆层、105-第I侧面、106-有源层(活性層)、107-第2侧面、108-第2包覆层、110-接触层、111-柱状部、112-第I电极、114-第2电极、116-绝缘部、130-反射部、160-第I增益(利得)区域、160a-第I中心线、162-第2增益区域、162a-第2中心线、170-第I端面、172-第2端面、174-第3端面、176-第4端面、178-重叠面、200-发光装置、205-第3侧面、210-光、261-反射面。
【具体实施方式】
[0038]以下，针对本发明的适当的实施方式参照附图进行说明。
[0039]1、发光装置
[0040]首先，针对本实施方式所涉及的发光装置，参照附图进行说明。图1是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置100的立体图。图2是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置100的俯视图。图3是示意性地表示本实施方式所涉及的发光装置100的图2的II1-1II线剖面图。另外，在图1以及图2中，为了方便，省略第2电极114的图示。另外，这里，对于发光装置100是InGaAlP系(赤色)的半导体发光装置的情况进行说明。
[0041]发光装置100如图1?图3所示那样，包含第I包覆层104、有源层106、以及第2包覆层108。发光装置100，还可以包括:基板102、接触层110、绝缘层116、第I电极112、以及第2电极114。
[0042]作为基板102，例如，能够使用第I导电型(例如η型)的GaAs基板等。
[0043]第I包覆层104，形成于基板102上。作为第I包覆层104，例如，能够使用η型的AlGaP层等。另外，虽然未图示，但是也可以在第I基板102和第I包覆层104之间，形成缓冲层。作为缓冲层，例如，能够使用η型的GaAs层、InGaP层等。
[0044]有源层106形成于第I包覆层104上。有源层106，例如具有将由InGaP势阱(夕工少)层和InGaAlP势皇(八'J 7 )层构成的量子阱构造3层重叠后的多重量子阱(MQW)构造。
[0045]有源层106的一部分构成多个增益区域。在图示的例中，有源层106的一部分，构成第I增益区域160和第2增益区域162。虽然未图示，但是有源层106除了第I增益区域160以及第2增益区域162以外还具有增益