的位置(例如划线)中。
[0077]一般来说，在形成组合虚拟及目标结构时遵循虚拟结构及特定目标类型两者的规贝1J。举例来说，虚拟结构规则可需要特定图案密度或最大开放空间大小以用于确保特定水平的CMP均匀性。另外，遵循目标的特定计量或检验过程规则。
[0078]通常，在现代过程中不允许显著空白(无图案)区域。可由虚拟结构填充未经图案化区域，使得在将二维处理用于叠盖计算时那些结构将不引入任何显著串扰。一种补救方法可为使用极深的次分辨率虚拟间距，使得经虚拟化区域被视为或测量为“灰色”未经图案化区域。此外，可以甚至更加抑制虚拟图案的方式来设计工具光学器件。
[0079]本文中所描述的目标结构及子结构通常使用适合光学光刻技术来图案化，且随后使用例如蚀刻及沉积的既有处理技术来将所述光学光刻图案转印到其它材料及层。在最简单应用中，所转印图案构成经蚀刻或经沉积线或导通孔。举例来说，所述结构及子结构可为晶片层内的光致抗蚀剂材料形成物、凹入腔形成物、嵌入式沟槽及/或其它结构。由腔形成的所述结构及子结构可为在半导体制作过程期间形成于层中的任一者中的腔。举例来说，所述腔可形成于光致抗蚀剂层、电介质材料层或金属层中。应注意，上述过程并非限制且可使用任何适合制作技术。
[0080]虽然已出于清晰理解的目的相当详细地描述了前述发明，但将明了，可在所附权利要求书的范围内实践某些改变及修改。因此，应将所描述的实施例视为说明性而非限制性，且本发明不应限于本文中给出的细节而应由所附权利要求书及其等效物的全部范围来界定。
【主权项】
1.一种半导体目标，其用于检测衬底的两个或两个以上连续层之间或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的叠盖误差，所述目标包括: 多个第一光栅结构，其具有可由检验工具分辨的粗略间距；及多个第二光栅结构，其相对于所述第一光栅结构而定位，其中所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距，其中所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间， 其中所述第一及第二光栅具有全部遵守预定义设计规则规格的特征尺寸。
2.根据权利要求1所述的目标，其中所述第二光栅结构布置于每一对第一光栅结构之间，使得所述第一及第二光栅结构的多个空间遵守所述预定义设计规则规格而所述粗略间距在不具有所述第二光栅结构的情况下将不遵守所述预定义设计规则规格。
3.根据权利要求1所述的目标，其中所述第一及第二光栅的工作循环以对应于所述粗略间距的大小的周期性而改变。
4.根据权利要求1所述的目标，其中所述第一及第二光栅结构具有多个不同临界尺寸CD值。
5.根据权利要求4所述的目标，其中所述第一光栅结构具有针对线宽度及间隔宽度的第一组CD值，且所述第二光栅结构具有针对线宽度及间隔宽度的不同于所述第一组CD值的第二组⑶值。
6.根据权利要求5所述的目标，其中所述第一组CD值跨越所述粗略间距的循环而变化。
7.根据权利要求1所述的目标，其中所述第一及第二光栅结构是形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的多个孔，且此些孔具有变化的多个CD值。
8.根据权利要求1所述的目标，其中所述粗略间距经选择以增强来自所述第一及第二光栅的I级衍射，同时使其它衍射级最小化。
9.根据权利要求8所述的目标，其中所述第一及第二光栅两者均形成于第一层及不同于所述第一层的第二层中，且其中所述第一及第二组CD值包括经选择以均衡在散射测量检验过程期间从所述第一及第二层两者中的所述第一及第二光栅所测量的信号的振幅的⑶值子组。
10.一种用于检验半导体叠盖目标的检验设备，其包括: 至少一散射测量模块，其用于从叠盖目标获得散射测量信号，所述叠盖目标具有:多个第一光栅结构，其具有可由所述检验设备分辨的粗略间距；及多个第二光栅结构，其相对于所述第一光栅结构而定位，其中所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距，其中所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间；及 处理器，其经配置以分析所述所获得散射测量信号以借此确定此些目标内的叠盖误差。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述散射测量模块包括: 照射模块，其经定向以使辐射跨越所述叠盖目标而扫描，其中所述照射模块包括物镜及定位于所述物镜与所述叠盖目标之间的固态浸没透镜；及 一或多个检测器，其经定向以检测已响应于跨越所述叠盖目标扫描的所述辐射而从所述叠盖目标散射的所述散射测量信号。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述固态浸没透镜为具有平面前表面的消球差透镜。
13.—种制造半导体目标的方法，所述半导体目标用于检测衬底的两个或两个以上连续层之间或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的叠盖误差，所述方法包括: 形成具有可由检验工具分辨的粗略间距的多个第一光栅结构；及 形成相对于所述第一光栅结构而定位的多个第二光栅结构，其中所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距，其中所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间， 其中所述第一及第二光栅具有全部遵守预定义设计规则规格的特征尺寸。
14.根据权利要求13所述的方法，其中将所述第二光栅结构布置于每一对第一光栅结构之间，使得所述第一及第二光栅结构的多个空间遵守所述预定义设计规则规格而所述粗略间距在不具有所述第二光栅结构的情况下将不遵守所述预定义设计规则规格。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一及第二光栅的工作循环以对应于所述粗略间距的大小的周期性而改变。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一及第二光栅结构具有多个不同临界尺寸CD值。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一光栅结构具有针对线宽度及间隔宽度的第一组CD值，且所述第二光栅结构具有针对线宽度及间隔宽度的不同于所述第一组CD值的第二组⑶值。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一组CD值跨越所述粗略间距的循环而变化。
19.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一及第二光栅结构是形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的多个孔，且此些孔具有变化的多个⑶值。
20.根据权利要求13所述的方法，其中所述粗略间距经选择以增强来自所述第一及第二光栅的I级衍射，同时使其它衍射级最小化。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一及第二光栅两者均形成于第一层及不同于所述第一层的第二层中，且其中所述第一及第二组CD值包括经选择以均衡在散射测量检验过程期间从所述第一及第二层两者中的所述第一及第二光栅所测量的信号的振幅的⑶值子组。
【专利摘要】在一个实施例中，揭示一种用于检测衬底的两个或两个以上连续层之间或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的叠盖误差的半导体目标。所述目标包括：至少多个第一光栅结构，其具有可由检验工具分辨的粗略间距；及多个第二光栅结构，其相对于所述第一光栅结构而定位。所述第二光栅结构具有小于所述粗略间距的精细间距，且所述第一及第二光栅结构两者均形成于衬底的两个或两个以上连续层中或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间。所述第一及第二光栅具有全部遵守预定义设计规则规格的特征尺寸。
【IPC分类】H01L21-66
【公开号】CN104520982
【申请号】CN201380041206
【发明人】弗拉基米尔·莱温斯基, 丹尼尔·坎德尔, 依兰·阿米特
【申请人】科磊股份有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2013年6月26日
【公告号】US8913237, US20130342831, WO2014004669A1