一种显示面板及显示装置的利记博彩app

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示装置大部分为背光型显示装置，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

lcd中的核心器件是薄膜晶体管阵列(tft)，而对于单个薄膜晶体管而言主要有数据信号和栅极驱动信号两种信号输入，其中栅极驱动信号起到了打开和关闭tft的作用，其对于我们在时间上向pixel内精确的输入数据信号起到了至关重要的作用。

随着lcd分辨率越来越高，在显示区内一条扫描线上的负载(loading)也越来越大，而负载的增大使得栅极驱动信号在传输的过程中发生的阻容延时(rcdelay)也越来越严重。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够降低扫描线传输信号延迟的显示面板。

此外，本发明还提供一种包括以上所述显示面板的显示装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明公开了一种显示面板，所述显示面板包括：基板，主动开关，形成于基板上；多条数据线，形成于所述基板上，与主动开关耦接；多条扫描线，形成于所述基板上，与主动开关耦接，所述扫描线与所述数据线垂直排列，以形成多个像素区；所述扫描线包括至少两层金属层，相邻两层金属层之间设置有绝缘层，不同金属层之间相互电容耦合。

进一步的，扫描线包括第一金属层和第二金属层。

扫描线只有一层的情况下，如果分辨率增高，这样只有扫描线只有一层的情况下，扫描线加载也越来越大，而扫描线加载越来越大，将使得扫描线传输栅极驱动信号的过程中，电容电阻的延迟也越来越严重，这样将使得栅极驱动信号传输不能按照最初的设想一样准确的打开或者关闭，从而导致向像素电极传输输入信号时不能到达预期的效果，这样就不能达到预期的显示效果，因此，通过第一金属层和第二金属层相互电容耦合后，第一金属层与第二金属层之间会产生耦合电容，这样可以通过金属层之间电容耦合效应，降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到像素电极，从而达到更好的显示效果。

进一步的，第一金属层和第二金属层之间设有绝缘层，所述绝缘层采用的材料为氮化硅或氧化硅。。

第一金属层和第二金属层之间设有绝缘层，这样可以阻挡杂质粒子的扩散，提高主动开关的稳定性能。

进一步的，第一金属层和第二金属采用相同的材料。

第一金属层和第二金属层采用的相同的材料，这样第一金属层和第二金属层之间的电容耦合效果更好，能更好的降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到像素电极，从而达到更好的显示效果。

进一步的，显示面板还包括主动开关，主动开关包括栅极，所述第一金属层和第二金属层分别与所述栅极耦接，所述栅极仅为单层金属层。

栅极为单层金属层，与第一金属层和第二金属层耦接，节省连接步骤，简化制程。

进一步的，显示面板还包括主动开关，主动开关包括栅极，所述第一金属层和第二金属层分别与所述栅极耦接，所述栅极包括第一栅极金属层和第二栅极金属层，所述第一金属层与所述第一栅极金属层耦接，第二金属层与所述第二栅极金属层耦接。

进一步的，所述显示面板还包括栅极驱动电路，第一金属层与所述栅极驱动电路第一引脚耦接，所述第二金属层与所述栅极驱动电路的第二引脚耦接。

第一金属层和第一引脚直接连接，第二金属层与第二引脚直接连接，这样在生产制造时，生产工艺更加简单。

进一步的，所述显示面板还包括栅极驱动电路，所述第一金属层和所述第二金属层与所述栅极驱动电路的同一引脚耦接。

第一金属层和第二金属层共用一个引脚进行耦接，这样在信号传输到第一金属层和第二金属层时，能够同时输入到第一金属层和第二金属层，从而达到电容耦合的作用。

本发明公开了一种显示面板，包括基板，主动开关，形成于基板上；多条数据线，形成于所述基板上，与主动开关耦接；多条扫描线，形成于所述基板上，与主动开关耦接，所述扫描线与所述数据线垂直排列，以形成多个像素区；栅极驱动电路，与多条所述扫描线耦接；所述扫描线包括至少两层金属层，相邻两层金属层之间设置有绝缘层，不同金属层之间相互电容耦合，所述扫描线包括第一金属层和第二金属层，所述绝缘层设置在所述第一金属层和第二金属层之间，所述第一金属层和第二金属采用相同的材料，主动开关包括栅极，所述第一金属层和第二金属层分别与所述栅极耦接，所述栅极包括第一栅极金属层和第二栅极金属层，所述第一金属层与所述第一栅极金属层耦接，第二金属层与所述第二栅极金属层耦接，第一金属层与所述栅极驱动电路第一引脚耦接，所述第二金属层与所述栅极驱动电路的第二引脚耦接。

传统的栅极绝缘层采用二氧化硅薄膜，这种绝缘层阻挡杂质粒子扩散的能力很差，从而大大降低了主动开关的稳定性能，而氮化硅或氧化硅薄膜除了优秀的电学性能外，还具有较大的介电常数及更强的阻挡钠离子扩散以及水汽渗透以及其他杂质粒子扩散的能力。

本发明公开了一种显示装置，所述显示装置包括控制电路板和如上所述的显示面板。

本发明扫描线至少包括两层金属层，不同金属层相互电容耦合，通过金属层之间电容耦合效应，降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到像素电极。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明一实施例显示面板结构示意图；

图2是本发明一实施例显示面板与栅极驱动示意图；

图3是本发明一实施例显示面板与栅极驱动另一个示意图；

图4是本发明一实施例显示面板的俯视示意图；

图5是本发明一实施例显示面板制造方法的流程示意图；

图6是本发明一实施例显示面板制造方法的另一个流程示意图；

图7是本发明一实施例显示装置结构示意图。

其中，1、第一金属层，2、第二金属层，3、绝缘层，4、栅极驱动电路，10、基板，11、数据线，12、扫描线，13、源极驱动电路，14、主动开关，15、像素，100、显示装置，200、控制电路板，300、显示面板。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是耦接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步详细说明。

如图1至3所示，本实施方式公开了一种显示面板，包括：

基板，

主动开关，形成于基板上；

多条数据线，形成于所述基板上，与主动开关耦接；

多条扫描线，形成于所述基板上，与主动开关耦接，所述扫描线与所述数据线垂直排列，以形成多个像素区；

所述扫描线包括至少两层金属层，相邻两层金属层之间设置有绝缘层，不同金属层之间相互电容耦合。

需要说明的是，本实施例中扫描线可以包括两层金属层、三层金属层或者多种金属层，但是不限于本实施例中所列举的具体层数。

扫描线至少包括两层金属层，不同金属层相互电容耦合，通过金属层之间电容耦合效应，降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到主动开关。

作为本实施例的进一步改进，其中，扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，第一金属层1和第二金属层2电容耦合。

扫描线只有一层的情况下，如果分辨率增高，这样只有扫描线只有一层的情况下，扫描线加载也越来越大，而扫描线加载越来越大，将使得扫描线传输栅极驱动信号的过程中，电容电阻的延迟也越来越严重，这样将使得栅极驱动信号传输不能按照最初的设想一样准确的打开或者关闭，从而导致向像素电极传输输入信号时不能到达预期的效果，这样就不能达到预期的显示效果，因此，通过第一金属层1和第二金属层2相互电容耦合后，第一金属层1与第二金属层2之间会产生耦合电容，这样可以通过金属层之间电容耦合效应，降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到像素电极，从而达到更好的显示效果。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，多条数据线，形成于基板上多条扫描线，形成于基板上，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，第一金属层1和第二金属层2之间设有绝缘层3，第一金属层1和第二金属层2电容耦合。

第一金属层1和第二金属层2之间设有绝缘层3，这样可以阻挡杂质粒子的扩散，提高主动开关的稳定性能。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，多条数据线，形成于基板上多条扫描线，形成于基板上，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，第一金属层1和第二金属层2电容耦合，第一金属层1和第二金属层2采用相同材料。

第一金属层1和第二金属层2采用的相同的材料，这样第一金属层1和第二金属层2之间的电容耦合效果更好，能更好的降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到像素电极，从而达到更好的显示效果。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，形成于基板上的多条扫描线和扫描线，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；主动开关包括栅极，栅极设在基板上，栅极上设有绝缘层，绝缘层上对应栅极设有半导体层，半导体层两端上设有分隔的主动开关的源极和漏极，源极和漏极之间设有沟道，沟道底部为半导体层。扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，第一金属层1和第二金属层2分别与栅极耦接，栅极仅为单层金属层。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，形成于基板上的多条扫描线和扫描线，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；主动开关，主动开关包括栅极，栅极设在基板上，栅极上设有绝缘层，绝缘层上对应栅极设有半导体层，半导体层两端上设有分隔的主动开关的源极和漏极，源极和漏极之间设有沟道，沟道底部为半导体层。扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，第一金属层1和第二金属层2分别与栅极耦接，栅极包括第一栅极金属层和第二栅极金属层，第一金属层1与第一栅极金属层耦接，第二金属层2与第二栅极金属层耦接。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，形成于基板上的多条扫描线和扫描线，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；显示面板还包括栅极驱动电路4，第一金属层1与栅极驱动电路4第一引脚耦接，第二金属层2与栅极驱动电路4的第二引脚耦接。

第一金属层1和第一引脚直接连接，第二金属层2与第二引脚直接连接，这样在生产制造时，生产工艺更加简单。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，形成于基板上的多条扫描线和扫描线，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；显示面板还包括栅极驱动电路4，第一金属层1和第二金属层2与栅极驱动电路4的同一引脚耦接。

第一金属层1和第二金属层2共用一个引脚进行耦接，这样在信号传输到第一金属层1和第二金属层2时，能够同时输入到第一金属层1和第二金属层2，从而达到电容耦合的作用。

作为本实施例的进一步改进，其中，显示面板包括：基板，形成于基板上的多条扫描线和扫描线，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，扫描线的第一金属层1和第二金属层2平行设置，第一金属层1和第二金属层2之间设有绝缘层3，绝缘层3采用氮化硅或氧化硅，显示面板还包括主动开关，主动开关包括栅极，栅极设在基板上，栅极上设有绝缘层，绝缘层上对应栅极设有半导体层，半导体层两端上设有分隔的主动开关的源极和漏极，源极和漏极之间设有沟道，沟道底部为半导体层。第一金属层1和第二金属层2分别与栅极耦接，栅极包括第一栅极金属层和第二栅极金属层，第一金属层1与第一栅极金属层耦接，第二金属层2与第二栅极金属层耦接。

通过金属层之间电容耦合效应，降低扫描线的加载压力，从而使得扫描线在传输信号的过程中降低电容电阻的延迟，使得扫描线能够准确的将信号传输到像素电极，而传统的栅极绝缘层3采用二氧化硅薄膜，这种绝缘层3阻挡杂质粒子扩散的能力很差，从而大大降低了主动开关的稳定性能，而氮化硅或氧化硅薄膜除了优秀的电学性能外，还具有较大的介电常数及更强的阻挡钠离子扩散以及水汽渗透以及其他杂质粒子扩散的能力。

具体的，上述实施例中金属层部分重叠，重叠部分通过过孔耦接。

作为本实施例的进一步改进，其中，一种显示面板，包括基板，主动开关，形成于基板上；多条数据线，形成于基板上，与主动开关耦接；多条扫描线，形成于基板上，与主动开关耦接，扫描线与数据线垂直排列，以形成多个像素区；栅极驱动电路，与多条所述扫描线耦接；扫描线包括至少两层金属层，相邻两层金属层之间设置有绝缘层，不同金属层之间相互电容耦合，扫描线包括第一金属层1和第二金属层2，绝缘层设置在第一金属层1和第二金属层2之间，第一金属层1和第二金属2采用相同的材料，主动开关包括栅极，第一金属层1和第二金属层2分别与栅极耦接，栅极包括第一栅极金属层和第二栅极金属层，第一金属层1与第一栅极金属层耦接，第二金属层2与第二栅极金属层耦接，第一金属层1与栅极驱动电路第一引脚耦接，第二金属层2与栅极驱动电路的第二引脚耦接。

参考图4，基板10边缘绑定有数据驱动电路13和栅极驱动电路4，基板10的显示区域内包括水平设置的扫描线12和竖直设置的数据线11，主动开关14分别与数据线11和扫描线12耦合；多条所述数据线与多条所述扫描线依次相交形成的矩形区域内设置有多个像素15，像素15与主动开关14电连接。

参考图5，本实施方式公开一种显示面板的制造方法。

s41、在基板上形成第一金属层；

s42、在第一金属层上依次形成第一保护层和第二金属层；

s43、在第二金属层上依次形成第二保护层和半导体层；

s44、在半导体层上形成第三金属层；

s45、在第三金属层上形成钝化层；

s46、在钝化层上形成透明导电层。

上述六个过程代表了六个光罩制程，以下进一步阐述六道光罩制程的具体内容。

第一光罩制程：首先对基板进行清洗，在清洗后的基板上溅镀第一金属材料层，完成第一金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第一金属材料层上涂布光阻，采用第一光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第一金属材料层显影获得第一金属层的图案，然后采用蚀刻液对第一金属材料层进行蚀刻获得第一金属层，对残留的光阻进行去除。

第二光罩制程：清洗基板，在第一金属层上通过化学气相沉积技术将第一保护层沉积到第一金属层上，然后在第一保护层上溅镀第二金属材料层，完成第二金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第二金属材料层上涂布光阻，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二金属材料层显影获得第二金属层的图案，然后采用蚀刻液对第二金属材料层进行蚀刻获得第二金属层，对残留的光阻进行去除。

第三光罩制程：清洗基板，在第二金属层上通过化学气相沉积技术将第二保护层沉积到第二金属层上，然后在第二保护层上溅渡半导体材料层，完成半导体材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的半导体材料层上涂布光阻，采用第三光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在半导体材料层显影获得半导体层的图案，然后采用蚀刻液对半导体材料层进行蚀刻获得半导体层，对残留的光阻进行去除。

第四光罩制程：清洗基板，在清洗后的半导体层上形成第三金属材料层，完成第三金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第三金属材料层上涂布光阻，采用第四光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第三金属材料层显影获得第三金属层的图案，然后采用蚀刻液对第三金属材料层进行蚀刻获得第三金属层，即可主动开关的源极和漏极，对残留的光阻进行去除。

第五光罩制程：清洗基板，在清洗后的第三金属层上形成第三保护材料层，然后在第三金属材料层上涂布光阻，采用第五光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第三保护材料层显影获得钝化层的图案，然后采用蚀刻液对第三保护材料层进行蚀刻获得钝化层，对残留的光阻进行去除。

第六光罩制程：清洗基板，在清洗后的钝化层上形成透明电极材料层，然后在透明电极材料层上涂布光阻，采用第六光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在透明电极材料层显影获得透明电极层的图案，然后采用蚀刻液对透明电极材料层进行蚀刻获得透明电极层，对残留的光阻进行去除。

参考图6，本实施方式公开一种显示面板的制造方法。

s51、在基板上形成第一金属层；

s52、在第一金属层上依次形成第一保护层和第二金属层；

s53、在第二金属层上依次形成第二保护层、半导体层和第三金属层；

s54、在第三金属层上形成钝化层；

s55、在钝化层上形成透明导电层。

上述五个过程代表了五个光罩制程，以下进一步阐述五道光罩制程的具体内容。

第一光罩制程：首先对基板进行清洗，在清洗后的基板上溅镀第一金属材料层，完成第一金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第一金属材料层上涂布光阻，采用第一光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第一金属材料层显影获得第一金属层的图案，然后采用蚀刻液对第一金属材料层进行蚀刻获得第一金属层，对残留的光阻进行去除。

第二光罩制程：清洗基板，在第一金属层上通过化学气相沉积技术将第一保护层沉积到第一金属层上，然后在第一保护层上溅镀第二金属材料层，完成第二金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第二金属材料层上涂布光阻，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二金属材料层显影获得第二金属层的图案，然后采用蚀刻液对第二金属材料层进行蚀刻获得第二金属层，对残留的光阻进行去除。

第三光罩制程：清洗基板，在第二金属层上通过化学气相沉积技术在第二金属层上依次溅渡第二保护层材料、半导体材料层和第三金属材料层；溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第三金属材料层上涂布光阻，采用第三光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第三金属材料层显影获得第三金属层的图案，然后采用蚀刻液对第三金属材料层进行蚀刻获得第三金属层，对残留的光阻进行去除。

第四光罩制程：清洗基板，在清洗后的第三金属层上形成第三保护材料层，然后在第三金属材料层上涂布光阻，采用第五光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第三保护材料层显影获得钝化层的图案，然后采用蚀刻液对第三保护材料层进行蚀刻获得钝化层，对残留的光阻进行去除。

第五光罩制程：清洗基板，在清洗后的钝化层上形成透明电极材料层，然后在透明电极材料层上涂布光阻，采用第六光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在透明电极材料层显影获得透明电极层的图案，然后采用蚀刻液对透明电极材料层进行蚀刻获得透明电极层，对残留的光阻进行去除。

本发明实施例的显示面板可以为以下任一种：扭曲向列(twistednematic，tn)显示面板或超扭曲向列(supertwistednematic，stn)型显示面板，平面转换(in-planeswitching，ips)型显示面板、垂直配向(verticalalignment，va)型显示面板、液晶显示面板、oled显示面板、qled显示面板、曲面显示面板或其他显示面板。本发明的主动开关包括薄膜晶体管。

如图7所示，在本发明一个实施例中，本实施例公开了一种显示装置100，显示装置包括控制电路板200及显示面板300，其中，本实施例中的显示装置100的具体结构以及连接关系可参见以上实施例中的显示面板300，以及参见图1至图3。在此，不再对显示装置进行一一详述。本发明实施例的显示装置可以为液晶显示装置、qled显示装置、oled(organiclight-emittingdiode)显示装置或其他显示装置。其中，当本发明实施例的显示装置为液晶显示装置时，液晶显示装置包括有背光模组，背光模组可作为光源，用于供应充足的亮度与分布均匀的光源，本实施例的背光模组可以为前光式，也可以为背光式，需要说明的是，本实施例的背光模组并不限于此。

以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。