底发射型白光OLED面板的利记博彩app及其结构与流程

本发明涉及oled显示技术领域，尤其涉及一种底发射型白光oled面板的利记博彩app及其结构。

背景技术：

在显示技术领域，液晶显示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)与有机发光二极管显示面板(organiclightemittingdiode，oled)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(cathoderaytube，crt)显示器。

其中，oled面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

现有的oled面板通常包括：基板、置于基板上只作阳极之用的ito薄膜、置于ito阳极上的空穴注入层(hil)、置于空穴注入层上的空穴传输层(htl)、置于空穴传输层上的发光层(eml)、置于发光层上的电子传输层(etl)、置于电子传输层上的电子注入层(eil)以及置于电子注入层上的阴极，为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。

目前，oled面板的制作有两种技术路线：一种是红绿蓝(red、green、blue，rgb)三基色oled发光，其优点是工艺简单成熟，操作简便.但由于在制备高分辨率显示屏时需要高精度掩膜及精确的对位，导致产能较低、成本较高，而且由于rgb三基色oled的寿命、激发率以及衰减度相差较大，容易造成oled面板的色偏。

另一种是白光oled技术，不需要掩膜对位，通常采用底发射型发光方式，极大地简化了蒸镀过程，能够用于制备大尺寸高分辨率oled面板。

然而，现有的底发射型白光oled往往需要偏光片(polarizer)，且各结构层的数量较多，例如遮光层、平坦层、像素定义层等，加上由单独的一道黄光制程来专门制作阳极，现有的底发射型白光oled的利记博彩app需要较多的光罩数目，较繁杂的工序，制备成本较高。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种底发射型白光oled面板的利记博彩app，能够简化工序，减少黄光制程道数，节省光罩数量，降低制作成本。

本发明的另一目的在于提供一种底发射型白光oled面板结构，其结构简单，制作成本低。

为实现上述目的，本发明首先提供一种底发射型白光oled面板的利记博彩app，包括以下步骤：

步骤s1、提供衬底基板并清洗，在所述衬底基板上依次沉积红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻，形成彩膜层；

步骤s2、在所述彩膜层上沉积缓冲层；

步骤s3、在所述缓冲层上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理，形成氧化物半导体层；

步骤s4、在所述氧化物半导体层与缓冲层上依次沉积绝缘薄膜、与第一金属层；

步骤s5、先对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极，再以所述栅极为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜，形成位于所述栅极下方的栅极绝缘层；所述栅极与栅极绝缘层遮挡部分氧化物半导体层，暴露出氧化物半导体层的两侧；

步骤s6、对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区；

步骤s7、在所述栅极、导体层、及缓冲层上沉积层间绝缘层并进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层以分别暴露出导体层部分表面的源极接触孔、漏极接触孔、及像素定义孔；所述源极接触孔与漏极接触孔分别位于所述栅极及栅极绝缘层的两侧，所述像素定义孔靠近所述源极接触孔；

步骤s8、在所述层间绝缘层上沉积第二金属层并进行图案化处理，形成源极、及漏极，所述源极经所述源极接触孔接触所述导体层，所述漏极经所述漏极接触孔接触所述导体层；

所述源极、漏极、栅极、栅极绝缘层、与所述源极接触的导体层部分、与所述漏极接触的导体层部分、及半导体沟道区构成薄膜晶体管；

步骤s9、在所述源极、漏极、及层间绝缘层上沉积钝化层并进行图案化处理，形成暴露出所述像素定义孔的通孔；

步骤s10、以所述导体层为阳极在所述像素定义孔内沉积白光oled发光层；

步骤s11、在所述白光oled发光层与钝化层上沉积金属阴极。

所述步骤s2中缓冲层的材料为氧化硅、或氮化硅，厚度为

所述步骤s3中氧化物半导体薄膜的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的一种，厚度为

所述步骤s4中绝缘薄膜的材料为氧化硅、或氮化硅，厚度为

所述步骤s5中第一金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的层叠组合，厚度为

所述步骤s6利用氦气、或氩气进行等离子体处理。

所述步骤s7中层间绝缘层的材料为氧化硅、或氮化硅，厚度为

所述步骤s8中第二金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的层叠组合，厚度为

所述步骤s9中钝化层的材料为氧化硅、或氮化硅，厚度为

本发明还提供一种底发射型白光oled面板结构，包括：

衬底基板；

覆盖所述衬底基板的彩膜层；

覆盖所述彩膜层的缓冲层；

设在所述缓冲层上的半导体沟道区、及分别连接所述半导体沟道区两侧的导体层；

覆盖所述半导体沟道区的栅极绝缘层；

覆盖所述栅极绝缘层的栅极；

设在所述栅极、导体层、及缓冲层上的层间绝缘层，所述层间绝缘层具有贯穿该层间绝缘层以分别暴露出导体层部分表面的源极接触孔、漏极接触孔、及像素定义孔，所述源极接触孔与漏极接触孔分别位于所述栅极及栅极绝缘层的两侧，所述像素定义孔靠近所述源极接触孔；

设在所述层间绝缘层上的源极、与漏极，所述源极经所述源极接触孔接触所述导体层，所述漏极经所述漏极接触孔接触所述导体层；

设在所述源极、漏极、及层间绝缘层上的钝化层，所述钝化层具有暴露出所述像素定义孔的通孔；

设在所述像素定义孔内且以所述导体层为阳极的白光oled发光层；

以及设在所述白光oled发光层与钝化层上的金属阴极；

所述源极、漏极、栅极、栅极绝缘层、与所述源极接触的导体层部分、与所述漏极接触的导体层部分、及半导体沟道区构成薄膜晶体管。

本发明的有益效果：本发明提供的一种底发射型白光oled面板的利记博彩app，一方面将薄膜晶体管与彩膜层制作在同一衬底基板上，无需设置偏光片，能够降低制作成本；另一方面在氧化物半导体层上制作出栅极及栅极绝缘层后对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区，以所述导体层作为白光oled的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外可省去遮光层、平坦层、与像素定义层的制备，从而能够简化工序，减少黄光制程道数，节省光罩数量，进一步降低制作成本。本发明提供的一种底发射型白光oled面板结构，由上述方法制作而成，结构简单，制作成本低。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的流程图；

图2为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s1的示意图；

图3为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s2的示意图；

图4为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s3的示意图；

图5为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s4的示意图；

图6为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s5的示意图；

图7为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s6的示意图；

图8为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s7的示意图；

图9为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s8的示意图；

图10为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s9的示意图；

图11为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s10的示意图；

图12为本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app的步骤s11的示意图暨本发明的底发射型白光oled面板结构的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1，本发明首先提供一种底发射型白光oled面板的利记博彩app，包括以下步骤：

步骤s1、如图2所示，提供衬底基板1并清洗，在所述衬底基板1上依次沉积红色色阻r、绿色色阻g、及蓝色色阻b，形成彩膜层(colorfilter，cf)2。

具体地，所述衬底基板1优选玻璃基板。

步骤s2、如图3所示，在所述彩膜层2上沉积缓冲层3。

具体地，该步骤s2中，缓冲层3的材料为氧化硅(siox)、或氮化硅(sinx)，厚度为

步骤s3、如图4所示，在所述缓冲层3上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理，形成氧化物半导体层4’。

具体地，该步骤s3中，氧化物半导体薄膜的材料可为铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、铟锌锡氧化物(indiumzinctinoxide，izto)、铟镓锌锡氧化物(indiumgalliumzinctinoxide，igzto)中的一种，厚度为

步骤s4、如图5所示，在所述氧化物半导体层4’与缓冲层3上依次沉积绝缘薄膜5’、与第一金属层6’。

具体地，该步骤s4中，绝缘薄膜5’的材料为siox、或sinx，厚度为第一金属层的材料为钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)中的一种或几种的层叠组合，厚度为

步骤s5、如图6所示，先通过黄光、蚀刻制程对所述第一金属层6’进行图案化处理，形成栅极6，再以所述栅极6为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜5’，形成位于所述栅极6下方的栅极绝缘层5。

进一步地，所述栅极6与栅极绝缘层5遮挡部分氧化物半导体层4’，暴露出氧化物半导体层4’的两侧。

步骤s6、如图7所示，对所述氧化物半导体层4’进行整面的等离子体(plasma)处理，使得所述氧化物半导体层4’未被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分电阻降低，形成导体层41，而被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区42。

具体地，该步骤s6利用氦气(he)、或氩气(ar)进行等离子体处理。

步骤s7、如图8所示，在所述栅极6、导体层41、及缓冲层3上沉积层间绝缘层7并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层7以分别暴露出导体层41部分表面的源极接触孔71、漏极接触孔72、及像素定义孔73。

进一步地，所述源极接触孔71与漏极接触孔72分别位于所述栅极6及栅极绝缘层5的两侧，所述像素定义孔73靠近所述源极接触孔71。

具体地，该步骤s7中，层间绝缘层7的材料为siox、或sinx，厚度为

步骤s8、如图9所示，在所述层间绝缘层7上沉积第二金属层并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成源极s、及漏极d。所述源极s经所述源极接触孔71接触所述导体层41，所述漏极d经所述漏极接触孔72接触所述导体层41。

所述源极s、漏极d、栅极6、栅极绝缘层5、与所述源极s接触的导体层41部分、与所述漏极d接触的导体层41部分、及半导体沟道区42构成薄膜晶体管t。

具体地，该步骤s8中，第二金属层的材料为mo、al、cu、ti中的一种或几种的层叠组合，厚度为

步骤s9、如图10所示，在所述源极s、漏极d、及层间绝缘层7上沉积钝化层9并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成暴露出所述像素定义孔73的通孔91。

具体地，该步骤s9中，钝化层9的材料为siox、或sinx，厚度为

步骤s10、如图11所示，以所述导体层41为阳极在所述像素定义孔73内沉积白光oled发光层10。

步骤s11、在所述白光oled发光层10与钝化层9上以热蒸镀或溅镀的方式沉积金属阴极11。

至此，完成底发射型白光oled面板的制作。

本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app，一方面采用toc(transistoroncolorfilter)技术将薄膜晶体管t与彩膜层2制作在同一衬底基板1上，白光oled发光层10发出的白光经彩膜层2滤光后进行彩色显示，无需设置偏光片，能够降低制作成本；另一方面在氧化物半导体层4’上制作出栅极6及栅极绝缘层5后对所述氧化物半导体层4’进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层4’未被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分电阻降低，形成导体层41，而被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区42，以所述导体层41作为白光oled的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外，还省去了遮光层、平坦层、与像素定义层的制备，以层间绝缘层7内的像素定义孔73来界定像素区域，能够简化工序，减少4道黄光制程道数，节省4个光罩，进一步降低制作成本。

请参阅图12，基于同一发明构思，本发明还提供一种由上述方法制得的底发射型白光oled面板结构，包括：

衬底基板1；

覆盖所述衬底基板1的彩膜层2；

覆盖所述彩膜层2的缓冲层3；

设在所述缓冲层3上的半导体沟道区42、及分别连接所述半导体沟道区42两侧的导体层41；

覆盖所述半导体沟道区42的栅极绝缘层5；

覆盖所述栅极绝缘层5的栅极6；

设在所述栅极6、导体层41、及缓冲层3上的层间绝缘层7，所述层间绝缘层7具有贯穿该层间绝缘层7以分别暴露出导体层41部分表面的源极接触孔71、漏极接触孔72、及像素定义孔73，所述源极接触孔71与漏极接触孔72分别位于所述栅极6及栅极绝缘层5的两侧，所述像素定义孔73靠近所述源极接触孔71；

设在所述层间绝缘层7上的源极s、与漏极d，所述源极s经所述源极接触孔71接触所述导体层41，所述漏极d经所述漏极接触孔72接触所述导体层41；

设在所述源极s、漏极d、及层间绝缘层7上的钝化层9，所述钝化层9具有暴露出所述像素定义孔73的通孔91；

设在所述像素定义孔73内且以所述导体层41为阳极的白光oled发光层10；

以及设在所述白光oled发光层10与钝化层9上的金属阴极11。

其中，所述源极s、漏极d、栅极6、栅极绝缘层5、与所述源极s接触的导体层41部分、与所述漏极d接触的导体层41部分、及半导体沟道区42构成薄膜晶体管t；

如上述方法中的步骤s6所述，所述半导体沟道区42、及分别连接所述半导体沟道区42两侧的导体层4通过对氧化物半导体层4’进行整面的等离子体处理得到，所述氧化物半导体层4’未被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分电阻降低，形成导体层41，而被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区42。

本发明的底发射型白光oled面板结构，将薄膜晶体管t与彩膜层2设置在同一衬底基板1上，白光oled发光层10发出的白光经彩膜层2滤光后进行彩色显示，无需设置偏光片，制作成本较低；以与半导体沟道区42位于同一层别的导体层41作为白光oled的阳极，无需专门设置单独的阳极，另外，还省去了遮光层、平坦层、与像素定义层的设置，以层间绝缘层7内的像素定义孔73来界定像素区域，不仅简化了结构，还能够进一步降低制作成本。

具体地：所述衬底基板1优选玻璃基板；

所述缓冲层3的材料为siox、或sinx，厚度为

所述导体层41及半导体沟道区42的原始材料为igzo、izto、igzto中的一种，厚度为

所述栅极绝缘层5的材料为siox、或sinx，厚度为

所述栅极6的材料为mo、al、cu、ti中的一种或几种的层叠组合，厚度为

所述层间绝缘层7的材料为siox、或sinx，厚度为

所述源极s与漏极d的材料均为mo、al、cu、ti中的一种或几种的层叠组合，厚度为

所述钝化层9的材料为siox、或sinx，厚度为

综上所述，本发明的底发射型白光oled面板的利记博彩app，一方面将薄膜晶体管与彩膜层制作在同一衬底基板上，无需设置偏光片，能够降低制作成本；另一方面在氧化物半导体层上制作出栅极及栅极绝缘层后对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区，以所述导体层作为白光oled的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外可省去遮光层、平坦层、与像素定义层的制备，从而能够简化工序，减少黄光制程道数，节省光罩数量，进一步降低制作成本。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。