顶发射型OLED面板的利记博彩app及其结构与流程

本发明涉及oled显示技术领域，尤其涉及一种顶发射型oled面板的利记博彩app及其结构。

背景技术：

在显示技术领域，液晶显示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)与有机发光二极管显示面板(organiclightemittingdiode，oled)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(cathoderaytube，crt)显示器。

其中，oled面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

现有的oled面板通常包括：基板、置于基板上只作阳极之用的复合导电薄膜、置于ito阳极上的空穴注入层(hil)、置于空穴注入层上的空穴传输层(htl)、置于空穴传输层上的发光层(eml)、置于发光层上的电子传输层(etl)、置于电子传输层上的电子注入层(eil)以及置于电子注入层上的阴极，为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。所述只作阳极之用的复合导电薄膜通常采用氧化铟锡/银/氧化铟锡(ito/ag/ito)的夹层结构，以利用ag进行反光，这类阳极的蚀刻工艺较为复杂，且出现不良问题的风险较大。

目前，oled面板制作的常用技术路线是通过真空热蒸镀工艺沉积oled的红绿蓝(red、green、blue，rgb)三基色的oled发光层，优点是工艺简单成熟，操作简便.但在制备高分辨率显示屏时需要高精度掩膜及精确的对位，导致产能较低、成本较高；而且，现有oled面板各结构层的数量较多，例如遮光层、平坦层、像素定义层等，加上由单独的一道较为复杂的黄光制程来专门制作阳极，现有的oled面板的利记博彩app需要较多的光罩数目，较繁杂的工序，制备成本较高。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种顶发射型oled面板的利记博彩app，一方面能够减少黄光制程道数，节省光罩数量，降低制作成本，另一方面能够简化阳极的制作工艺，减少出现不良问题的风险。

本发明的另一目的在于提供一种顶发射型oled面板结构，其结构较简单，制作成本低，出现不良问题的风险较小。

为实现上述目的，本发明首先提供一种顶发射型oled面板的利记博彩app，包括以下步骤：

步骤s1、提供衬底基板并清洗，在所述衬底基板上沉积第一金属层并进行图案化处理，在对应欲制作出薄膜晶体管的区域形成遮光层，在对应欲制作出oled的区域形成反光层；

步骤s2、在所述衬底基板、遮光层、及反光层上沉积缓冲层；

步骤s3、在所述缓冲层上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理，形成氧化物半导体层；

步骤s4、在所述氧化物半导体层与缓冲层上依次沉积绝缘薄膜、与第二金属层；

步骤s5、先对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极，再以所述栅极为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜，形成位于所述栅极下方的栅极绝缘层；所述栅极与栅极绝缘层遮挡部分氧化物半导体层，暴露出氧化物半导体层的两侧；

步骤s6、对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区；

步骤s7、在所述栅极、导体层、及缓冲层上沉积层间绝缘层并进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层以分别暴露出导体层部分表面的源极接触孔、与漏极接触孔；所述源极接触孔与漏极接触孔分别位于所述栅极及栅极绝缘层的两侧；

步骤s8、在所述层间绝缘层上沉积第三金属层并进行图案化处理，形成源极、及漏极，所述源极经由所述源极接触孔接触所述导体层，所述漏极经由所述漏极接触孔接触所述导体层；

所述源极、漏极、栅极、栅极绝缘层、与所述源极接触的导体层部分、与所述漏极接触的导体层部分、及半导体沟道区构成薄膜晶体管；

步骤s9、在所述源极、漏极、及层间绝缘层上沉积钝化层并进行图案化处理，形成贯穿所述钝化层与层间绝缘层而暴露出所述导体层部分表面的像素定义孔；

步骤s10、以所述导体层作为阳极在所述像素定义孔内喷墨打印出oled发光层；

步骤s11、在所述oled发光层与钝化层上沉积透明金属阴极；

所述作为阳极的导体层、oled发光层、与透明金属阴极构成oled。

所述步骤s1中第一金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的合金，厚度为

所述步骤s2中缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

所述步骤s3中氧化物半导体薄膜的材料为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的一种，厚度为

所述步骤s4中绝缘薄膜的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

所述步骤s4中第二金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的合金，厚度为

所述步骤s7中层间绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

所述步骤s8中第三金属层的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或几种的合金，厚度为

所述步骤s9中钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠组合，厚度为

本发明还提供一种顶发射型oled面板结构，包括：

衬底基板；

设在所述衬底基板上的遮光层；

设在所述衬底基板上与遮光层同层的反光层；

覆盖所述遮光层、反光层、及衬底基板的缓冲层；

于所述遮光层上方设在所述缓冲层上的半导体沟道区、及分别连接所述半导体沟道区两侧的导体层；

覆盖所述半导体沟道区的栅极绝缘层；

覆盖所述栅极绝缘层的栅极；

设在所述栅极、导体层、及缓冲层上的层间绝缘层，所述层间绝缘层具有贯穿该层间绝缘层以分别暴露出导体层部分表面的源极接触孔、与漏极接触孔，所述源极接触孔与漏极接触孔分别位于所述栅极及栅极绝缘层的两侧；

设在所述层间绝缘层上的源极、与漏极，所述源极经由所述源极接触孔接触所述导体层，所述漏极经由所述漏极接触孔接触所述导体层；

设在所述源极、漏极、及层间绝缘层上的钝化层；所述钝化层与层间绝缘层具有贯穿该钝化层与层间绝缘层而暴露出所述导体层部分表面的像素定义孔；

设在所述像素定义孔内且以所述导体层为阳极的oled发光层；

以及设在所述oled发光层与钝化层上的透明金属阴极；

所述源极、漏极、栅极、栅极绝缘层、与所述源极接触的导体层部分、与所述漏极接触的导体层部分、及半导体沟道区构成薄膜晶体管；

所述作为阳极的导体层、oled发光层、与透明金属阴极构成oled。

本发明的有益效果：本发明提供的顶发射型oled面板的利记博彩app，通过对第一金属层进行图案化处理制得遮光层与反光层，反光层起到对oled发光层发出的光进行反射的作用，阳极无需采用传统的ito/ag/ito的夹层结构，从而能够简化阳极的制作工艺，减少出现不良问题的风险；通过在氧化物半导体层上制作出栅极及栅极绝缘层后对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区，以所述导体层作为oled的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外可省去传统的平坦层与像素定义层的制备，从而能够减少黄光制程道数，节省光罩数量，降低制作成本；采用喷墨打印oled发光层，能够进一步降低制作成本。本发明提供的顶发射型oled面板结构，采用上述方法制得，其结构较简单，制作成本低，出现不良问题的风险较小。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的流程图；

图2为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s1的示意图；

图3为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s2的示意图；

图4为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s3的示意图；

图5为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s4的示意图；

图6为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s5的示意图；

图7为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s6的示意图；

图8为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s7的示意图；

图9为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s8的示意图；

图10为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s9的示意图；

图11为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s10的示意图；

图12为本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app的步骤s11的示意图暨本发明的顶发射型oled面板结构的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1，本发明首先提供一种顶发射型oled面板的利记博彩app，包括以下步骤：

步骤s1、如图2所示，提供衬底基板1并清洗，在所述衬底基板1上沉积第一金属层并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，在对应欲制作出薄膜晶体管的区域形成遮光层21，在对应欲制作出oled的区域形成反光层22。

具体地，所述衬底基板1优选玻璃基板；所述第一金属层的材料为钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)中的一种或几种的合金，厚度为

所述遮光层21用于遮光，防止后续步骤制作出的薄膜晶体管t的所在区域漏光。所述反光层22用于对后续步骤制作出的oled发光层10发出的光进行反射，所以oled的阳极无需采用传统的ito/ag/ito的夹层结构，从而能够简化阳极的制作工艺，减少出现不良问题的风险。

步骤s2、如图3所示，在所述衬底基板1、遮光层21、及反光层22上沉积缓冲层3。

具体地，所述缓冲层3的材料为氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、或二者的层叠组合，厚度为

步骤s3、如图4所示，在所述缓冲层3上沉积氧化物半导体薄膜并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成氧化物半导体层4’。

具体地，所述氧化物半导体薄膜的材料可为铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、铟锌锡氧化物(indiumzinctinoxide，izto)、铟镓锌锡氧化物(indiumgalliumzinctinoxide，igzto)中的一种，厚度为

步骤s4、如图5所示，在所述氧化物半导体层4’与缓冲层3上依次沉积绝缘薄膜5’、与第二金属层6’。

具体地，所述绝缘薄膜5’的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

所述第二金属层6’的材料为mo、al、cu、ti中的一种或几种的合金，厚度为

步骤s5、如图6所示，先通过黄光、蚀刻制程对所述第二金属层6’进行图案化处理，形成栅极6，再以所述栅极6为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜5’，形成位于所述栅极6下方的栅极绝缘层5。

进一步地，所述栅极6与栅极绝缘层5遮挡部分氧化物半导体层4’，暴露出氧化物半导体层4’的两侧。

步骤s6、如图7所示，对所述氧化物半导体层4’进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层4’未被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分电阻降低，形成导体层41，而被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区42。

具体地，该步骤s6利用氦气(he)、或氩气(ar)进行等离子体处理。

步骤s7、如图8所示，在所述栅极6、导体层41、及缓冲层3上沉积层间绝缘层7并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层7以分别暴露出导体层41部分表面的源极接触孔71、与漏极接触孔72。

进一步地，所述源极接触孔71与漏极接触孔72分别位于所述栅极6及栅极绝缘层5的两侧。

具体地，所述层间绝缘层7的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

步骤s8、如图9所示，在所述层间绝缘层7上沉积第三金属层并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成源极81、及漏极82，所述源极81经由所述源极接触孔71接触所述导体层41，所述漏极82经由所述漏极接触孔72接触所述导体层41。

所述源极81、漏极82、栅极6、栅极绝缘层5、与所述源极81接触的导体层41部分、与所述漏极82接触的导体层41部分、及半导体沟道区42构成薄膜晶体管t。

具体地，所述第三金属层的材料为mo、al、cu、ti中的一种或几种的合金，厚度为

步骤s9、如图10所示，在所述源极81、漏极82、及层间绝缘层7上沉积钝化层9并通过黄光、蚀刻制程进行图案化处理，形成贯穿所述钝化层9与层间绝缘层7而暴露出所述导体层41部分表面的像素定义孔97。

具体地，所述钝化层9的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

步骤s10、如图11所示，以所述导体层41作为阳极在所述像素定义孔97内喷墨打印(ink-jetprinting，ijp)出oled发光层10。

具体地，所述oled发光层10包括红绿蓝(red、green、blue，rgb)三基色，分别对应于红色像素、绿色像素、与蓝色像素。

步骤s11、如图12所示，在所述oled发光层10与钝化层9上以热蒸镀或溅镀的方式沉积透明金属阴极11。

所述作为阳极的导体层41、oled发光层10、与透明金属阴极11构成oledd。

至此，完成底发射型白光oled面板的制作。

本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app，通过对第一金属层进行图案化处理制得遮光层21与反光层22，反光层22起到对oled发光层10发出的光进行反射的作用，阳极无需采用传统的ito/ag/ito的夹层结构，从而能够简化阳极的制作工艺，减少出现不良问题的风险；通过在氧化物半导体层4’上制作出栅极6及栅极绝缘层5后对所述氧化物半导体层4’进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层4’未被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分电阻降低，形成导体层41，而被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区42，以所述导体层41作为oled的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外可省去传统的平坦层与像素定义层的制备，以钝化层9与层间绝缘层7内的像素定义孔73来界定像素区域，能够简化工序，减少3道黄光制程道数，节省3个光罩，降低制作成本；采用喷墨打印oled发光层10，能够进一步降低制作成本。

请参阅图12，基于同一发明构思，本发明还提供一种由上述方法制得的顶发射型oled面板，包括：

衬底基板1；

设在所述衬底基板1上的遮光层21；

设在所述衬底基板1上与遮光层21同层的反光层22；

覆盖所述遮光层21、反光层22、及衬底基板1的缓冲层3；

于所述遮光层21上方设在所述缓冲层3上的半导体沟道区42、及分别连接所述半导体沟道区42两侧的导体层41；

覆盖所述半导体沟道区42的栅极绝缘层5；

覆盖所述栅极绝缘层5的栅极6；

设在所述栅极6、导体层41、及缓冲层3上的层间绝缘层7，所述层间绝缘层7具有贯穿该层间绝缘层7以分别暴露出导体层41部分表面的源极接触孔71、与漏极接触孔72，所述源极接触孔71与漏极接触孔72分别位于所述栅极6及栅极绝缘层5的两侧；

设在所述层间绝缘层7上的源极81、与漏极82，所述源极81经由所述源极接触孔71接触所述导体层41，所述漏极82经由所述漏极接触孔72接触所述导体层41；

设在所述源极81、漏极82、及层间绝缘层7上的钝化层9；所述钝化层9与层间绝缘层7具有贯穿该钝化层9与层间绝缘层7而暴露出所述导体层41部分表面的像素定义孔97；

设在所述像素定义孔97内且以所述导体层41为阳极的oled发光层10；

以及设在所述oled发光层10与钝化层9上的透明金属阴极11。

其中，所述源极81、漏极82、栅极6、栅极绝缘层5、与所述源极81接触的导体层41部分、与所述漏极82接触的导体层41部分、及半导体沟道区42构成薄膜晶体管t；

所述作为阳极的导体层41、oled发光层10、与透明金属阴极11构成oledd。

如上述方法中的步骤s1所述，通过对第一金属层进行图案化处理得到位于同一层的遮光层21、与反光层22。所述遮光层21用于遮光，防止薄膜晶体管t的所在区域漏光。所述反光层22用于对oled发光层10发出的光进行反射，所以oled的阳极无需采用传统的ito/ag/ito的夹层结构，从而能够简化阳极的制作工艺，减少出现不良问题的风险。

如上述方法中的步骤s6所述，所述半导体沟道区42、及分别连接所述半导体沟道区42两侧的导体层4通过对氧化物半导体层4’进行整面的等离子体处理得到，所述氧化物半导体层4’未被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分电阻降低，形成导体层41，而被所述栅极6及栅极绝缘层5遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区42。本发明的顶发射型oled面板结构以与半导体沟道区42位于同一层别的导体层41作为oled的阳极，无需专门设置单独的阳极，另外，还省去了传统的平坦层、与像素定义层的设置，以钝化层9与层间绝缘层7内的像素定义孔73来界定像素区域，不仅简化了结构，还能够降低制作成本。

如上述方法中的步骤s10所述，所述oled发光层10通过喷墨打印制得，制作成本进一步降低。

具体地，所述衬底基板1优选玻璃基板；

所述遮光层21与反光层22的材料为mo、al、cu、ti中的一种或几种的合金，厚度为

所述缓冲层3的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

所述导体层41及半导体沟道区42的原始材料为igzo、izto、igzto中的一种，厚度为

所述栅极绝缘层5的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

所述栅极6的材料为mo、al、cu、ti中的一种或几种的合金，厚度为

所述层间绝缘层7的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

所述源极81、与漏极82的材料均为mo、al、cu、ti中的一种或几种的合金，厚度为

所述钝化层9的材料为siox、sinx、或二者的层叠组合，厚度为

所述oled发光层10包括红绿蓝三基色，分别对应于红色像素、绿色像素、与蓝色像素。

综上所述，本发明的顶发射型oled面板的利记博彩app，通过对第一金属层进行图案化处理制得遮光层与反光层，反光层起到对oled发光层发出的光进行反射的作用，阳极无需采用传统的ito/ag/ito的夹层结构，从而能够简化阳极的制作工艺，减少出现不良问题的风险；通过在氧化物半导体层上制作出栅极及栅极绝缘层后对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区，以所述导体层作为oled的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外可省去传统的平坦层与像素定义层的制备，从而能够减少黄光制程道数，节省光罩数量，降低制作成本；采用喷墨打印oled发光层，能够进一步降低制作成本。本发明的顶发射型oled面板结构，采用上述方法制得，其结构较简单，制作成本低，出现不良问题的风险较小。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。