技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有高散热性能的氮化镓器件结构及其制备方法，该结构包括氮化镓芯片、刻蚀停止层和金刚石散热层，刻蚀停止层具有一第一表面，作为生长界面，金刚石散热层生长于刻蚀停止层的第一表面上；刻蚀停止层具有一与第一表面相对的第二表面，作为键合界面，氮化镓芯片键合于刻蚀停止层的第二表面上；刻蚀停止层由高热导率材料构成。氮化镓芯片与金刚石键合结构的制造方法为低温工艺，避免了高温下热失配产生的翘曲问题，且不对已有器件造成破坏，可实现带有器件的氮化镓晶圆或芯片与较薄金刚石层的集成，无需使用自支撑的金刚石厚膜基板，可在保证增强散热性能的同时显著降低成本，解决了氮化镓散热方案成本较高且散热效果差的问题。
技术研发人员：母凤文;赫然
受保护的技术使用者：母凤文;赫然
技术研发日：2017.05.31
技术公布日：2017.08.11