技术特征：
技术总结
本发明实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。
技术研发人员：张书豪;陈建志;高国璋;陈政宏;贾丕业;陈启任;林英智
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.03.10
技术公布日：2017.09.26