1.一种复合分形超宽带天线，其特征在于：包括天线接地板和辐射贴片，所述天线接地板和辐射贴片分别贴合在基板的两面上，所述天线接地板为全金属接地结构，所述辐射贴片为分裂生长-康托尔复合分形结构。
2.根据权利要求1所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述分裂生长-康托尔复合分形结构采用康托尔分形结构作为基本结构，其内部的小正方形金属区域用分裂生长分形结构进行替代。
3.根据权利要求1所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述分裂生长-康托尔复合分形结构采用至少2阶的康托尔分形结构。
4.根据权利要求1所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述分裂生长-康托尔复合分形结构采用至少2阶的分裂生长分形结构。
5.根据权利要求1所述的复合分形超宽带天线，其特征在于：所述分裂生长-康托尔复合分形结构的下侧边沿中心设有天线馈电点。
6.根据权利要求1所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述基板为低损耗微波陶瓷基板。
7.根据权利要求6所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述低损耗微波陶瓷基板由21层相对介电常数渐变的正方形陶瓷材料层构成，各层陶瓷材料层的边长相同，均为41.6 mm±1 mm；各层陶瓷材料层的厚度相同，均为为0.1 mm±0.01 mm；第1层陶瓷材料层的相对介电常数为3.0，第2层陶瓷材料层的相对介电常数为3.2，第3层陶瓷材料层的相对介电常数为3.4，第4层陶瓷材料层的相对介电常数为3.6，第5层陶瓷材料层的相对介电常数为3.8，第6层陶瓷材料层的相对介电常数为4.0，第7层陶瓷材料层的相对介电常数为4.2，第8层陶瓷材料层的相对介电常数为4.4，第9层陶瓷材料层的相对介电常数为4.6，第10层陶瓷材料层的相对介电常数为4.8，第11层陶瓷材料层的相对介电常数为5.0，第12层陶瓷材料层的相对介电常数为4.8，第13层陶瓷材料层的相对介电常数为4.6，第14层陶瓷材料层的相对介电常数为4.4，第15层陶瓷材料层的相对介电常数为4.2，第16层陶瓷材料层的相对介电常数为4.0，第17层陶瓷材料层的相对介电常数为3.8，第18层陶瓷材料层的相对介电常数为3.6，第19层陶瓷材料层的相对介电常数为3.4，第20层陶瓷材料层的相对介电常数为3.2，第21层陶瓷材料层的相对介电常数为3.0。
8.根据权利要求1所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述辐射贴片的总尺寸为41.6 mm±1 mm ×41.6 mm±1 mm。
9.根据权利要求1所述的一种复合分形超宽带天线，其特征在于：所述天线接地板和辐射贴片的材质为铜、银、金或铝。