技术总结
本发明公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法，该薄膜芯片包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，特征是：在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层，N型粗化层使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.5≤x≤1，采用稀盐酸(盐酸∶水＝x∶3，1＜x＜3)腐蚀粗化，提高出光效率；N型电流扩展层所使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.1≤x≤0.5，这种低铝组份的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料电子迁移率高，可以提高电流扩展能力。
技术研发人员：李树强;江风益
受保护的技术使用者：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
文档号码：201710079648
技术研发日：2017.02.14
技术公布日：2017.05.17