本实用新型涉及一种硅片清洗装置,尤其是一种可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置。
背景技术:
公知的:在半导体集成电路制作加工过程中,硅片背面工序加工前经常需要进行酸洗。普通半导体集成电路工艺背面腐蚀是将整个硅片花篮放入酸液中进行腐蚀,但是因为正面有铝层的存在,背面工序做整片清洗时容易腐蚀铝产生产品异常。
现有的硅片清洗装置,尤其是单排硅片清洗装置,一种清洗装置,只能对应一种尺寸的硅片,因此适用性较低,不利于设备的通用性。
技术实现要素:
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单,能够对不同尺寸的硅片进行清洗的可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置,包括基座,所述基座的中心位置设置有进水口,所述基座上设置有由进水口内壁贯穿到基座外表面的滑槽,所述滑槽至少具有三个,且在基座上沿中心位于基座的中心轴上的圆周均匀分布,所述滑槽内滑动安装有滑块,所述滑块的长度大于基座外表面到基座的中心轴的最大距离,所述滑块的一端设置有定位凸台;所述定位凸台位于基座的上表面上;所述基座的外表面上在滑槽的开口处设置有向基座外侧延伸的U型槽,所述滑块位于U型槽内,所述U型槽上设置有将滑块顶紧在U型槽内的锁紧螺栓。
进一步的,所述定位凸台上设置有硅片夹紧阶梯台。
进一步的,所述滑槽为T型槽或燕尾槽。
优选的,所述基座为圆盘。
优选的,所述滑槽具有六个。
本实用新型的有益效果是:本实用新型所述的可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置,由于在基座上设置有滑槽,并且在滑槽内设置有滑块,在滑块上设置有定位凸台,同时在基座的外表面上设置有顶紧滑块的锁紧螺栓,因此可以通过调节滑块在滑槽内的位置,从而调节各个滑块上定位凸台之间的距离,从而能够实现对不用尺寸的硅片进行限位。因此能够适用于不同尺寸硅片的清洗,适用性好,结构简单,便于制造,生产成本低。
附图说明
图1是本实用新型实施例中可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置的立体图;
图2是本实用新型实施例中可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置的主视图;
图3是本实用新型实施例中可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置的俯视图;
图4是图2的A-A剖视图;
图5是图3的B-B剖视图;
图中标示:1-基座,11-进水口,12-滑槽,13-U型槽,2-滑块,3-锁紧螺栓。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1至图5所示,本实用新型所述的可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置,包括基座1,所述基座1的中心位置设置有进水口11,所述基座1上设置有由进水口11内壁贯穿到基座1外表面的滑槽12,所述滑槽12至少具有三个,且在基座1上沿中心位于基座1的中心轴上的圆周均匀分布,所述滑槽12内滑动安装有滑块2,所述滑块2的长度大于基座1外表面到基座1的中心轴的最大距离,所述滑块2的一端设置有定位凸台21;所述定位凸台21位于基座1的上表面上;所述基座1的外表面上在滑槽12的开口处设置有向基座1外侧延伸的U型槽13,所述滑块位于U型槽13内,所述U型槽13上设置有将滑块2顶紧在U型槽13内的锁紧螺栓3。
在使用过程中:
根据硅片的尺寸大小,调节基座1上的滑块2的位置,使得硅片位于滑块2上定位凸台21围成的区域内;同时使得硅片的正面面向进水口11;然后在进水口11通入水,水压使硅片轻轻浮起,进水从硅片的四周较为均匀的流出。因有限位柱2的保护,硅片不会被水冲开。此时,硅片正面受到不断流出的水的保护。用喷雾器在硅片背面喷上一层酸,根据工艺要求静置一定时间。然后用水枪将酸冲去。以上整个工艺时间中,硅片正面都受到了不断流出的水的保护,从而不与喷出的酸雾进行接触,起到了保护硅片正面的情况下腐蚀背面的工艺过程。同时由于定位凸台21的位置可以通过滑块2的滑动进行调节,因此能够适用不同尺寸的硅片的清洗。
综上所述,本实用新型所述的可适应不同尺寸单片硅片的清洗装置,由于在基座1上设置有滑槽12,并且在滑槽12内设置有滑块2,在滑块2上设置有定位凸台21,同时在基座1的外表面上设置有顶紧滑块的锁紧螺栓3,因此可以通过调节滑块2在滑槽12内的位置,从而调节各个滑块2上定位凸台21之间的距离,从而能够实现对不用尺寸的硅片进行限位。因此能够适用于不同尺寸硅片的清洗,适用性好,结构简单,便于制造,生产成本低。
为了实现对表面不规则的硅片进行限位,进一步的,所述定位凸台21上设置有硅片夹紧阶梯台。
为了避免滑块2从滑槽12内掉落,进一步的,所述滑槽12为T型槽或燕尾槽。
为了便于制造,降低加工成本,具体的,所述基座1为圆盘。
为了使得对硅片的限位更加可靠,具体的,所述滑槽12具有六个。