本实用新型属于半导体照明技术领域，涉及一种芯片级白光LED封装结构。
背景技术：
传统的LED封装结构是利用固晶胶将正装芯片固定在支架或基板上，通过引线键和将芯片的正负极与支架或基板的正负极相连接来实现封装产品的电气连接，然后在芯片上表面涂覆荧光粉胶而得到LED封装成品。芯片级LED封装结构，采用倒装芯片，直接在芯片上表面和侧面封装胶体。由于这种结构没有支架或基板，无需固晶、焊线，因此一方面可大大降低封装产品的成本，简化封装流程，另一方面，减少了散热通道，降低了热阻，同时没有金线，降低了断线风险，提高了产品的可靠性。
技术实现要素：
本实用新型实施例提供了一种芯片级白光LED封装结构，解决了现有技术中存在芯片级LED封装产品光效不高，亮度较低等问题。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
根据本实用新型提供的一个实施例，本实用新型提供了一种芯片级白光LED封装结构，包括底面设有电极的LED倒装芯片，及封装在LED倒装芯片上的若干层由内至外折射率依次降低的封装胶体层，在封装胶体层的底部设有反光层。
进一步，所述封装胶体层设有三层，相互粘接。
进一步，所述封装胶体层为透明胶，透明胶为纯硅胶或环氧树脂。
进一步，所述封装胶体层为荧光胶，为荧光粉与胶水的混合物。
进一步，所述封装胶体层包绕覆盖在所述LED倒装芯片的上表面和侧面。
进一步，所述电极包括正极和负极，分别设在LED倒装芯片的底部的两侧。
本实用新型的特点在于：
提供了一种高光效，高亮度的芯片级白光LED封装结构。芯片级LED封装结构在芯片上表面及侧面采用多层封装胶涂覆工艺，封装胶的折射率由内至外依次由高至低，降低芯片和空气之间的折射率差，有效的减少了全反射现象，提高了出光效率。芯片级LED封装结构在芯片四周、封装胶体底部设有反光层，使芯片四周发出的光汇聚后被有效反射出去，提高了芯片的光萃取效率，封装产品亮度更高；同时该反光层通过印刷、喷涂、电镀工艺实现，工艺简单，可用于大批量生产。
附图说明
图1是芯片级白光LED封装产品的侧视图；
图中，1.电极，2.LED倒装芯片，3.反光层，4.内层封装胶体层，5.中间封装胶体层，6.顶层封装胶体层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
如图1所示，一种芯片级白光LED封装结构，包括底面设有电极1的LED倒装芯片2及封装在LED倒装芯片上表面和侧面的内层封装胶体层4、中间封装胶体层5和顶层封装胶体层6，及芯片四周封装胶体层底部的反光层3。
内层封装胶体层4、中间封装胶体层5、顶层封装胶体层6所使用的封装胶由内至外折射率依次由高至低。内层封装胶体层4、中间封装胶体层5、顶层封装胶体层6可为透光率较高的硅胶或环氧树脂中的一种。内层封装胶体层4、中间封装胶体层5、顶层封装胶体层6可为荧光胶(荧光粉与胶水混合物)或透明胶(纯硅胶或环氧树脂)。芯片四周封装胶体底部的反光层由印刷、喷涂、电镀方式实现。
本实用新型并不局限于上述实施例，在本实用新型公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本实用新型的保护范围内。