一种贴片二极管打扁裁切机的利记博彩app

本实用新型涉及贴片二极管制造领域，具体说是一种贴片二极管打扁裁切机。

背景技术：

贴片二极管又称晶体二极管,另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。

目前电子工业日益发达，贴片二极管的应用需求日益增加，在贴片二极管的生产中，有一道工序是对二极管两端的引线进行压扁，目前的压扁方法大多都是将二极管一边先压扁，然后将二极管手动翻转后压制另一边，压制效率低，操作危险性高。

目前也有少数的双压模具，但都是单边单侧先后压扁，压扁过程中二极管的位置稳固性不高，很容易将二极管压报废，而且在压扁过程中，不能讲引线多余的部分去除，还要经过二次工序将多余引线去除，工序比较繁琐，浪费人力物力，增加企业生产投入。

技术实现要素：

本实用新型的发明目的在于，克服目前现有二极管打扁机存在的压制效率低，操作危险性高，二极管位置稳固性低，不能再打扁同时去除多余引线的缺陷，从而实现一种能压制效率高，设备安全性好，在压扁的同时能够将多余引线剪除的贴片二极管打扁裁切机。

为实现上述发明目的，本实用新型的技术方案是：一种贴片二极管打扁裁切机，包括加压机构、操作台和二极管推进机构，所述操作台上位置对应设置有上模架和下模架，上模架和下模架上分别安装上模和下模，且上模架和下模架通过四角设置的导柱导套机构固定连接，在下模上端面设置有对二极管移动进行导向的导轨槽，所述上模下表面平行设置有两对上压刀，所述上压刀垂直方向的距离与二极管的长度匹配，下模上表面导轨槽两侧对应上压刀位置设置有一对下压刀，且上压刀在二极管前进方向上依次包括前短刀和后长刀，前短刀和后长刀地面距离上模下表面的高度分别为H1和H2，且H1＜H2；紧贴后长刀的外侧对称固定设置有裁剪刀，裁剪刀的底端低于上压刀下表面，下模对应裁剪刀的位置分别设置有裁剪刀槽，且裁剪刀槽的深度大于裁剪刀底端伸出上压刀下表面的长度。

作为本实用新型的优选技术方案，所述裁剪刀外侧设置有固定压板，所述固定压板通过直线均布的螺栓固定设置于上压刀侧部。

作为本实用新型的优选技术方案，所述操作台一端侧部还设置有开关按钮，方便工作人员手动启停设备。

本实用新型的贴片二极管打扁裁切机的有益效果：

1.本实用新型的贴片二极管打扁裁切机，上模下表面平行设置有两对上压刀，下模上表面导轨槽两侧对应上压刀位置设置有一对下压刀，压制二极管时，上压刀和下压刀同时挤压二极管两侧引线，二极管稳定度大大提高，从而显著提高了二极管的产品合格率。

2.本实用新型的贴片二极管打扁裁切机，紧贴后长刀的外侧对称固定设置有裁剪刀，裁剪刀的底端低于上压刀下表面，下模对应裁剪刀的位置分别设置有裁剪刀槽，从而在上模下压把二极管两端引线压扁的同时也将多余的引线一同裁切下去，避免了经过二次工序的处理，精简了生产功率，大大提高了二极管的生产效率。

附图说明

图1是贴片二极管打扁裁切机的结构示意图；

图2是贴片二极管打扁裁切机模具的结构示意图；

图3是图2中A-A剖视放大结构示意图；

图4是图2中B-B剖视放大结构示意图。

参见图1-4：1-加压机构，2-操作台，3-上模架，4-下模架，5-上模，6-下模，7-导柱导套机构，8-上压刀，801-前短刀，802-后长刀，9-下压刀，10-裁剪刀，11-裁剪刀槽，12-固定压板，13-开关按钮，14-二极管。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体的实施方式对本实用新型的贴片二极管打扁裁切机做更加详细的描述。

实施例：

本实用新型的贴片二极管打扁裁切机，包括加压机构1、操作台2和二极管推进机构，所述操作台2上位置对应设置有上模架3和下模架4，上模架3和下模架4上分别安装上模5和下模6，且上模5架和下模6架通过四角设置的导柱导套机构7固定连接，在下模6上端面设置有对二极管移动进行导向的导轨槽，所述上模5下表面平行设置有两对上压刀8，所述上压刀8垂直方向的距离与二极管的长度匹配，下模6上表面导轨槽两侧对应上压刀8位置设置有一对下压刀9，且上压刀8在二极管前进方向上依次包括前短刀801和后长刀802，前短刀801和后长刀802地面距离上模5下表面的高度分别为H1和H2，且H1＜H2；紧贴后长刀802的外侧对称固定设置有裁剪刀10，裁剪刀10的底端低于上压刀8下表面，下模6对应裁剪刀10的位置分别设置有裁剪刀槽11，且裁剪刀槽11的深度大于裁剪刀10底端伸出上压刀8下表面的长度。

所述裁剪刀10外侧设置有固定压板12，所述固定压板12通过直线均布的螺栓固定设置于上压刀8侧部。

所述操作台2一端侧部还设置有开关按钮13，方便工作人员手动启停设备。

以上所述仅为本实用新型示意性的具体实施方式，并非用以限定本实用新型的范围，任何本领域的技术人员在不脱离本实用新型构思和原则的前提下所做出的等同变化与修改，均应属于本实用新型保护的范围。