一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块的利记博彩app

本实用新型涉及功率半导体模块，尤其涉及一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块。

背景技术：

全球能源危机与气候变暖的威胁让人们在追求经济发展的同时越来越重视节能减排、低碳发展。随着绿色环保在国际上的确立与推进，功率半导体的发展、应用前景更加广阔。

当前功率模块的功率等级不断提高，尽管现在功率器件的电流、电压等级不断提升，但单个功率器件仍然无法满足大功率变流器的需求，于是功率模块内部器件的并联成为一种必然选择，而并联的多个器件的均流问题也随之凸显。现有的功率模块所有半桥结构共同连接两个直流输入端子，并且由于功率器件在功率模块内部的位置布局不同，往往造成多个并联器件的寄生参数不一致。功率模块在工作时，寄生参数不同会引起并联器件通过的电流不一致，通过电流较大的芯片可能会出现过流烧毁失效，即使没有造成过流烧毁，此芯片损耗也会比较大、发热比较严重，长期如此功率模块的可靠性也会受到影响。

技术实现要素：

实用新型目的：针对上述现有技术存在的缺陷，本实用新型旨在提供一种改善并联芯片均流性的绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，均衡并联芯片的寄生参数，提高功率模块的可靠性。

技术方案：一种绝缘基板结构，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，所述金属层包括上桥臂金属层和下桥臂金属层，上桥臂金属层上设有上桥臂芯片单元，下桥臂金属层上设有下桥臂芯片单元，下桥臂金属层包括接线区，上桥臂芯片单元与接线区通过邦定线相连，下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。

进一步的，所述均衡槽起始于靠近直流输入端子的下桥臂金属层的边缘，向远离直流输入端子的方向延伸。

进一步的，所述均衡槽的延伸方向与邦定线的邦定方向垂直。

进一步的，所述下桥臂芯片单元包括多个并联的功率器件，所述均衡槽最短延伸至与第一个功率器件的顶部平齐，最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐。

进一步的，所述均衡槽为单段绝缘槽或者多段绝缘槽。

进一步的，所述上桥臂芯片单元的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种，下桥臂芯片单元的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种。

进一步的，所述上桥臂芯片单元的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种，下桥臂芯片单元的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种。

一种功率模块，使用上述任一种绝缘基板结构。

进一步的，包括直流输入端子、输出端子和多个并联的半桥结构，半桥结构包括绝缘基板和绝缘基板上的芯片集合，每个半桥结构分别连接两个直流输入端子和一个输出端子，至少一个绝缘基板的下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。

进一步的，包括顺序排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，位于中间的一个绝缘基板其下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。

进一步的，包括横向排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括纵向排列的两个绝缘基板，靠近直流输入端子的一行三个绝缘基板其下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间均设有绝缘的均衡槽。

进一步的，包括两个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，每个绝缘基板其下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间均设有绝缘的均衡槽。

有益效果：本实用新型在绝缘基板上设有均衡槽，能够保护靠近直流输入端子的功率器件，降低器件因过载而烧毁的风险；此外，本实用新型的功率模块使半桥结构直流输入端彼此独立，减少了输入电阻，便于滤波器的安装。本实用新型采用每个半桥结构分别连接两个直流输入端子和一个输出端子的结构，避免了现有的功率模块所有半桥结构共同连接两个直流输入端子，保护了靠近直流输入端子的功率器件，解决了距离直流输入端子较远的半桥结构的输入电阻偏大以及无法单独安装滤波电容的问题。本实用新型均衡了并联器件的寄生参数，尤其是寄生电感及回路电阻，从而达到均流的效果，降低器件因过载而烧毁的风险，提高了功率模块的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型绝缘基板的结构示意图；

图2(a)、图2(b)、图2(c)是三种不同的绝缘基板结构示意图；

图3是不同的绝缘基板提取到的寄生电感对比图；

图4是MOSFET三相桥功率模块示意图；

图5是三相桥MOSFET功率模块电气结构拓扑图；

图6是MOSFET功率模块示意图；

图7是实施例3的电气结构拓扑图；

图8是IGBT三相桥功率模块示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本技术方案进行详细说明。

实施例1：

一种绝缘基板结构，及使用该结构的功率模块，绝缘基板结构如图1所示，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，金属层的材料采用铜或者铝，表面镀有镍和金或者镍和银，金属层通过厚膜印刷技术或钎焊技术实现，厚度为0.1mm-1mm。

金属层包括上桥臂金属层1和下桥臂金属层2，上桥臂金属层1上烧结或焊接有上桥臂芯片单元3，下桥臂金属层2上烧结或焊接有下桥臂芯片单元4，下桥臂金属层2包括接线区5，上桥臂芯片单元3与接线区5通过邦定线6相连，以下所称邦定线6均是英文bonding的译文，接线区5如图所示，即上桥臂芯片单元3的邦线连接在下桥臂芯片单元4所在绝缘基板上的区域，一般情况下本领域的邦线均为图所示的横向平行排布，接线区5即这些邦线与下桥臂芯片的接触点的集合所形成的区域，下桥臂金属层2在接线区5与下桥臂芯片单元4之间设有实现电气均衡目的绝缘的均衡槽7，均衡槽7是金属层通过刻蚀的工艺形成。

功率模块的电压、电流等级不断提高，但单个芯片往往无法满足要求，因此每个桥臂通常是由多个芯片进行并联。本实施例中，一个桥臂由7个功率器件并联组成，如图1中所示，上下桥臂共有自上而下顺序排布的7个功率器件组，图中7个虚线框即7个功率器件组。通常离直流输入端位置较近的功率器件最容易失效，原因是此功率器件回路的寄生电感最小，为了均衡并联芯片回路的寄生电感，现设计了两种绝缘基板结构来改善并联芯片的均流，均衡槽7作为调节寄生参数的一个措施，可以平衡芯片组之间的寄生电感，但不宜过长，原因是均衡槽7增加回路电阻，相应会增加功率模块的静态损耗。

均衡槽7的宽度一般与绝缘金属基板上表面铜层的绝缘槽宽度一致，为0.6-1.2mm，下桥臂芯片单元4包括多个并联的功率器件，均衡槽7起始于靠近直流输入端子8的下桥臂金属层2的边缘，向远离直流输入端子8的方向延伸，最短延伸至与第一个功率器件的顶部平齐，最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐，此处所述的功率器件顶部是以图中所示的绝缘基板摆放位置为参照的，即绝缘基板靠近直流输入端子8的一端为顶端，若绝缘基板的摆放方向变了，前述的“顶部”仍保持以靠近直流输入端子8的一端为顶，不受视角和摆放方向的限定；并且，本实施例中7个功率器件纵向顺序排列，若在其他实施方式中，多个功率器件不排成一列，而是呈矩阵或其他方式排布，则前述“最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐”中的“最后一个功率器件”指的是最靠近接线区5的一列中距离直流输入端子8最远的一个功率器件。

均衡槽7的最优长度与芯片位置及数量有关，且均衡槽7为单段绝缘槽或者多段绝缘槽。本实施例中结合具体的功率模块进行实验，图2(a)为现有技术的绝缘基板，无电气均衡目的的均衡槽7，图2(b)的绝缘基板有一个电气均衡目的的均衡槽7；其均衡槽7延伸至将近与下桥臂的第二个功率器件的底边平齐；图2(c)的绝缘基板有一长一短两个电气均衡目的的均衡槽7，长均衡槽7自顶端延伸至将近与第二个下桥臂的功率器件的底边平齐，短均衡槽7的长度小于第一个均衡槽7的长度，短均衡槽7自下桥臂的第三个功率器件的顶部延伸至下桥臂的第三个功率器件的中部位置。

为了验证电气均衡目的的均衡槽7的效果，现对上述三种绝缘基板分别进行数值仿真，提取得到不同功率器件组的寄生电感，如图3所示，在绝缘金属基板上未做均衡槽7时，7个功率器件中，离直流输入端越近的功率器件组其寄生电感越小，该功率器件组也最容易失效；在金属层刻蚀有长均衡槽7时，第三个功率器件组的寄生电感最小，但前三个功率器件组的寄生电感相差不大；作为进一步改善，在长均衡槽7的长度方向再增加一个短均衡槽7，此时前三个功率器件组的寄生电感更加接近，均流效果更好，本实施例中的功率模块采用图2(b)中所示的单段均衡槽7结构。

均衡槽7的延伸方向与邦定线6的邦定方向垂直，如图2(b)中所示，均衡槽7为纵向，邦定线6的邦定方向为横向，此处所指的邦定线6的邦定方向理论上即为邦定线6的近似方向，在实际操作中若邦定线6因其自身物理特性而弯曲则近似的将邦定线6两端的连线方向理解为本实用新型权利要求中所述的邦定方向，其细微的形变、弯曲或者倾斜不作为对本实用新型保护范围的限制。

一种使用上述绝缘基板结构的功率模块，如图4所示，包括直流输入端子8、输出端子9和三个并联的半桥结构，三个半桥结构顺序排列，每个半桥结构包括绝缘基板和绝缘基板上的芯片集合，本实施例中每块绝缘基板即为一个半桥拓扑电气结构，如图5所示，每个半桥结构分别连接两个直流输入端子8和一个输出端子9，三个半桥结构所连接的六个直流输入端子8一字排布，三个半桥结构组成三相桥电气拓扑结构。三块绝缘基板、芯片集合、外壳、底板组成三相桥功率模块。如图4所示，每块绝缘基板包含两个桥臂，功率模块共包括六个桥臂，每个桥臂由7只功率芯片并联组成。上桥臂芯片单元3的发射极或漏极通过键合引线与下桥臂芯片单元4的集电极或源极相连。

至少一个绝缘基板的下桥臂金属层2在接线区5与下桥臂芯片单元4之间设有绝缘的均衡槽7，本实施例中，三个绝缘基板上都设有均衡槽7。

其中，绝缘基板的上桥臂芯片单元3的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种，下桥臂芯片单元4的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种；本实用新型所采用的均衡槽7结构适合于快速开关的功率模块，尤其适合于SiC功率模块。上桥臂芯片单元3的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种，下桥臂芯片单元4的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种。本实施例中，上桥臂芯片单元3和下桥臂芯片单元4的的芯片类型均为MOSFET。

实施例2：

本实施例也提供了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，其结构与实施例1提供的结构大概相同，二者的区别在于：本实施例中的功率模块采用图2(c)中所示的长短均衡槽7结构。

实施例3：

本实施例也提供了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，如图6所示，其结构与实施例1提供的结构大概相同，二者的区别在于：本实施例中所有半桥结构共同连接两个直流输入端子8，其电气结构拓扑图如图7所示。

实施例4：

本实施例也提供了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，如图8所示，其结构与实施例1提供的结构大概相同，二者的区别在于：本实施例中上桥臂芯片单元3和下桥臂芯片单元4的的芯片类型包括IGBT和FRD，并且，所有半桥结构共同连接两个直流输入端子8。

实施例5：

本实施例也提供了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，其结构与实施例1提供的结构大概相同，二者的区别在于：本实施例中的功率模块包括三个绝缘基板，但仅有位于中间的一个绝缘基板其下桥臂金属层2在接线区5与下桥臂芯片单元4之间设有绝缘的均衡槽7。

实施例6：

本实施例也提供了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，其结构与实施例1提供的结构大概相同，二者的区别在于：本实施例中的功率模块包括横向排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括纵向排列的两个绝缘基板，靠近直流输入端子8的一行三个绝缘基板其下桥臂金属层2在接线区5与下桥臂芯片单元4之间均设有绝缘的均衡槽7。

实施例7：

本实施例也提供了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，其结构与实施例1提供的结构大概相同，二者的区别在于：本实施例中的功率模块只包括两个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，每个绝缘基板其下桥臂金属层2在接线区5与下桥臂芯片单元4之间均设有绝缘的均衡槽7。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“水平”、“竖直”、“上”、“下”、“顶部”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。