本实用新型涉及半导体发光二极管芯片制造技术领域，尤其是涉及一种ITO结构LED芯片。
背景技术：
发光二极管具有高光效、低能耗、长寿命、多波段等优势，是一种有广阔应用前景的新光源，目前AlGaInP发光二极管已大量应用于高效固态照明领域中，如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。
作为AlGaInP发光二极管首选的半导体GaAs衬底材料，其化学性质稳定，具有与AlGaInP材料晶格匹配性佳、导电性、导热性好、制造的晶体质量高、大批量制造成本低等明显优势。对于GaAs衬底的AlGaInP LED芯片，一般采用精密切割机系统，预先编程设定切割路径条件，利用高速旋转（30000-45000r/min）的超薄钻石刀片（厚度为10-25μm）对AlGaInP LED芯片进行切割，使AlGaInP LED芯片分割成为单个的芯粒。掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为ITO，由于GaAs衬底材料属于硬脆材料，特别是对于常规ITO结构的AlGaInP LED芯片而言，在芯片制造过程中会在外延片上表面生长一层ITO薄膜层，然后再进行制作金属电极层，这使得AlGaInP LED芯片本身的应力增加，而且ITO薄膜层与外延层的结合力远小于外延片内部的各个外延层之间的结合力，再加上切割时超薄钻石刀片直接接触ITO薄膜层、外延层和GaAs衬底，这就使得AlGaInP LED芯片加工时极其容易造成不同程度的物理损伤，特别是在AlGaInP LED芯片的正面周围、边缘容易产生外延层和GaAs衬底材料的崩角、崩边、裂纹、裂纹等问题，从而影响AlGaInP LED芯片的外观质量和可靠性，产品合格率低。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种外观质量好、可靠性高的ITO结构LED芯片。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱（multiple quantum well，MQW）有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面设有背电极，特征是：在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层。
钻石刀片切割走道的宽度大于刀片厚度4-6μm。
本实用新型具有AlGaInP LED芯片的外观质量好、便于生产、可靠性高、合格率高等优点，解决了ITO薄膜和GaP层在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例并对照附图对本实用新型作进一步详细说明。
一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底100，在GaAs衬底100的上面依次设有外延生长缓冲层101、n-AIGaInP限制层102、多量子阱有源层103、p-AIGaInP限制层104和p-GaP窗口层105，在p-GaP窗口层105上设有ITO薄膜层106，在ITO薄膜层106上设有图形化的钻石刀片切割走道109，在图形化的ITO薄膜层106上设有金属电极层107；在GaAs衬底100的下面设有背电极201。
钻石刀片切割走道的宽度大于刀片厚度4-6μm。