技术特征：
技术总结
一种形成半导体器件的方法包括提供衬底；在衬底上方形成芯轴图案；以及在芯轴图案的侧壁上形成间隔件。该方法进一步包括去除芯轴图案，从而形成至少部分地被间隔件围绕的沟槽。该方法进一步包括在沟槽中沉积共聚物材料，其中共聚物材料是定向自组装的；并且引发共聚物材料内的微相分离，从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。芯轴图案具有限制的尺寸和限制的配置。第一组分聚合物包括布置成矩形阵列或正方形阵列的圆柱。
技术研发人员：翁明晖;罗冠昕;林纬良;洪继正
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2017.09.26