1.一种Ge基频率可重构套筒偶极子天线的制备方法，其特征在于，所述天线包括GeOI衬底、SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒、第二SPiN二极管套筒、同轴馈线、直流偏置线；其中，所述制备方法包括：
选取GeOI衬底；
在所述GeOI衬底上制作多个相同的横向SPiN二极管；
光刻PAD以形成多个所述横向SPiN二极管的串行连接；
制作直流偏置线以连接所述横向SPiN二极管与直流偏置电源，并将多个所述横向SPiN二极管分割形成多个SPiN二极管串；
划分所述SPiN二极管串形成所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒；
制作所述同轴馈线以连接所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒，最终形成所述套筒偶极子天线。
2.根据权利要求2所述的制备方法，在所述GeOI衬底上制作多个相同的横向SPiN二极管，包括：
在所述GeOI衬底上按照所述天线的结构确定多个所述横向SPiN二极管在所述GeOI衬底上的位置；
在确定的位置制备所述横向SPiN二极管。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在确定的位置制备所述横向SPiN二极管，包括：
(a)在所述GeOI衬底内设置隔离区；
(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；
(c)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；
(d)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；以及
(e)在所述GeOI衬底上形成引线以形成所述横向SPiN二极管。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：
(c1)氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；
(c2)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；
(c3)对所述P型沟槽和所述N型沟槽进行离子注入以形成所述第一P型有源区和所述第一N型有源区。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一N型有源区为沿离子扩散方向距所述N型沟槽侧壁和底部深度小于1微米的区域，所述第一P型有源区为沿离子扩散方向距所述P型沟槽侧壁和底部深度小于1微米的区域。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)，包括：
(d1)利用多晶硅填充所述P型沟槽和N型沟槽以形成P+区(27)和N+区(26)；
(d2)平整化处理所述GeOI衬底后，在所述GeOI衬底上形成多晶硅层；
(d3)光刻所述多晶硅层，并采用带胶离子注入的方法对所述P+区(27)和所述N+区(26)注入P型杂质和N型杂质以形成第二P型有源区和第二N型有源区且同时形成P型接触区和N型接触区；
(d4))去除光刻胶；
(d5)利用湿法刻蚀去除P型电极和N型电极以外的所述多晶硅。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(e)包括：
在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；
利用退火工艺激活所述P型有源区和N型有源区中的杂质；
在所述P+区(27)和所述N+区(26)光刻引线孔以形成引线。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备直流偏置线，包括：
利用CVD工艺采用铜、铝或者高掺杂的多晶硅制备形成所述直流偏置线。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述SPiN二极管天线臂、所述第一SPiN二极管套筒及所述第二SPiN二极管套筒均包括串行连接的相同个数的所述SPiN二极管串，且对应位置的所述SPiN二极管串包括相同个数的所述横向SPiN二极管。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制作所述同轴馈线，包括：
将所述同轴馈线的内芯线连接至所述SPiN二极管天线臂且将所述同轴馈线的外导体连接至所述第一SPiN二极管套筒与所述第二SPiN二极管套筒。