一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法与流程

本发明涉及太阳能技术领域，尤指一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法。

背景技术：

太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电，即光伏发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源，硅异质结太阳能电池技术就是一种新型的高效电池技术。

现有高效电池的硅片清洗一般为RCA清洗技术，RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，即首先利用氨水(NH₃·H₂O)和双氧水(H₂O₂)的混合溶液，对硅片进行去除硅片表面杂质的清洗，以去除硅片表面的有机物、颗粒和金属元素等；然后利用H₂O₂和盐酸(HCl)对硅片进行氧化和络合处理，以去除硅片表面的金属原子；最后利用氢氟酸(HF)溶液，以去除硅片表面的氧化层；清洗的最后一步也是用HF溶液清洗。

现有的RCA清洗技术基本可满足扩散结晶硅电池对硅片表面洁净度的要求，非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的内建电场(PN结形成的电场)在硅片表面，表面的界面态会对电池性能有着举足轻重的影响，因此该类电池对清洗后的表面洁净度有着更高的要求。

但目前现有的硅片清洗方法中HF溶液本身内部可能含有一些金属杂质，例如铜离子等，在刻蚀氧化硅的同时引入了新的杂质，或者前面清洗不彻底，存在一些金属离子残留，会增加少数载流子的表面复合，会降低少子寿命，影响开路电压，进而影响电池光电转换效率。

因此，如何降低清洗后太阳能电池硅片表面的金属污染，提高清洗效果已成为本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法，可以进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果，进而提高太阳能电池的效率。

因此，本发明实施例提供了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括：

对太阳能电池硅片进行预清洗使得所述太阳能电池硅片表面产生氧化；

采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过所述预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过所述预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗，具体包括：

将经过所述预清洗后的太阳能电池硅片放入氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中浸泡预设时间进行刻蚀清洗后取出，并用去离子水对所述太阳能电池硅片进行冲洗。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在所述氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，所述氢氟酸的质量百分比和双氧水的质量百分比相同。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在所述氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，所述氢氟酸的质量百分比为0.1wt％至2wt％，所述双氧水的质量百分比为0.1wt％至2wt％，所述盐酸的质量百分比为0.5wt％至5wt％。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在所述氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，所述氢氟酸的质量百分比为1wt％至1.5wt％，所述双氧水的质量百分比为1wt％至1.5wt％，所述盐酸的质量百分比为1.5wt％至3wt％。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在所述氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，所述氢氟酸的质量百分比为0.1wt％，所述双氧水的质量百分比为0.1wt％，所述盐酸的质量百分比为0.5wt％；或，

所述氢氟酸的质量百分比为2wt％，所述双氧水的质量百分比为2wt％，所述盐酸的质量百分比为5wt％；或，

所述氢氟酸的质量百分比为1wt％，所述双氧水的质量百分比为1wt％，所述盐酸的质量百分比为3wt％。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，所述太阳能电池硅片在所述氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中的浸泡预设时间为0.5min至10min。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，对太阳能电池硅片进行预清洗使得所述太阳能电池硅片表面产生氧化，具体包括：

将太阳能电池硅片放入氨水和双氧水的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对所述太阳能电池硅片进行冲洗；

将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入盐酸和双氧水的混合溶液中浸泡预设时间使得所述太阳能电池硅片表面产生氧化后取出，并用去离子水对所述太阳能电池硅片进行冲洗；

在对太阳能电池硅片进行预清洗之前，还包括：

将太阳能电池硅片放入氢氧化钠溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对所述太阳能电池硅片进行冲洗；

将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入氢氧化钠和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水对所述太阳能电池硅片进行冲洗。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在所述氨水和双氧水的混合溶液中，所述氨水的质量百分比为29wt％，所述双氧水的质量百分比为30wt％；

在所述盐酸和双氧水的混合溶液中，所述盐酸的质量百分比为37wt％，所述双氧水的质量百分比为30wt％；

在所述氢氧化钠溶液中，所述氢氧化钠的质量百分比为10wt％至30wt％；

在所述氢氧化钠和制绒添加剂的混合溶液中，所述氢氧化钠的质量百分比为5wt％，所述制绒添加剂的体积百分比为0.3vol％。

本发明实施例还提供了一种太阳能电池的制备方法，包括本发明实施例提供的上述的清洗方法。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法，该清洗方法包括：对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化；采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上，又加入了盐酸对金属离子的络合作用，可以溶解残留的金属离子，进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果，进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合，提高太阳能电池硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法流程图之一；

图2为本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法流程图之二；

图3为本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法流程图之三；

图4为本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法流程图之四；

图5为本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法流程图之五。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的太阳能电池硅片的清洗方法的具体实施方式进行详细地说明。

本发明实施例提供了一种太阳能电池硅片的清洗方法，如图1所示，具体包括以下步骤：

S101、对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化；

S102、采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。

本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法包括：首先对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化；然后采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上，又加入了盐酸对金属离子的络合作用，可以溶解残留的金属离子，进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果，进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合，特别是对非晶硅/单晶硅异质结电池a-Si/c-Si界面的钝化效果有显著改善，从而提高太阳能电池硅片中少子的寿命和电池的开路电压，从而提高太阳能电池的效率。

需要说明的是，步骤S101中进行预清洗的太阳能电池硅片为未沉积功能材料的硅片，即尚未加工处理的硅片；氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片具有微刻蚀作用，是由于双氧水具有氧化性，可以把硅氧化成硅的氧化物，氢氟酸可以溶解硅的氧化物，以致产生对硅的微刻蚀作用。盐酸对金属离子具有络合作用，是由于金属离子可以与氯离子络合，形成络合物而溶解。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，如图2所示，步骤S102采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗，具体可以采用如下方式实现：

S201、将经过预清洗后的太阳能电池硅片放入氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中浸泡预设时间进行刻蚀清洗后取出，并用去离子水对太阳能电池硅片进行冲洗。

需要说明的是，上述步骤S201可以进行1-3次循环清洗，即在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中浸泡后用去离子冲洗，依次重复循环1-3次；较佳地，进行3次循环清洗，可以达到更好的清洗效果。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，氢氟酸的质量百分比和双氧水的质量百分比可以设置为相同的，即氢氟酸和双氧水的质量百分比为1:1时，清洗效果最好。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，氢氟酸的质量百分比可以设置为0.1wt％至2wt％，双氧水的质量百分比可以设置为0.1wt％至2wt％，盐酸的质量百分比可以设置为0.5wt％至5wt％。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，为了使清洗效果较佳，在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，氢氟酸的质量百分比可以设置为1wt％至1.5wt％，双氧水的质量百分比可以设置为1wt％至1.5wt％，盐酸的质量百分比可以设置为1.5wt％至3wt％。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，为了使清洗效果更佳，在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，氢氟酸的质量百分比可以设置为1wt％，此时双氧水的质量百分比可以设置为1wt％，盐酸的质量百分比可以设置为3wt％；或，在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中，氢氟酸的质量百分比也可以设置为0.1wt％，此时双氧水的质量百分比可以设置为0.1wt％，盐酸的质量百分比可以设置为0.5wt％；或，氢氟酸的质量百分比也可以设置为2wt％，此时双氧水的质量百分比可以设置为2wt％，盐酸的质量百分比可以设置为5wt％。

经试验结果显示，盐酸的质量百分比增加有利于络合作用的增强，但盐酸的质量百分比过大会使氢氟酸的刻蚀效果变弱，所以不宜超过5wt％，盐酸的质量百分比为2wt％时，氢氟酸、双氧水和盐酸的匹配最优，能够发挥更好的清洗效果。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，太阳能电池硅片在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中的浸泡预设时间可以设置为0.5min至10min，这样设置的理由是时间低于30秒会造成氧化层刻蚀不彻底，时间过长(大于10min)会使太阳能电池硅片表面粗糙度增加，不利于表面的钝化。进一步地，为了得到最佳的清洗效果，太阳能电池硅片在氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中的浸泡预设时间可以设置为2min至5min。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，如图3所示，步骤S101对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化，具体可以采用如下方式：

S301、将太阳能电池硅片放入氨水和双氧水的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对太阳能电池硅片进行冲洗；在该步骤中，在氨水和双氧水的混合溶液中，氨水的质量百分比可以设置为29wt％，双氧水的质量百分比可以设置为30wt％；

S302、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入盐酸和双氧水的混合溶液中浸泡预设时间使得太阳能电池硅片表面产生氧化后取出，并用去离子水对太阳能电池硅片进行冲洗；在该步骤中，在盐酸和双氧水的混合溶液中，盐酸的质量百分比可以设置为37wt％，双氧水的质量百分比可以设置为30wt％。

需要说明的是，将太阳能电池硅片放入氨水和双氧水的混合溶液中可以去除太阳能电池硅片表面杂质的清洗，可以去除太阳能电池硅片表面的有机物、颗粒和金属元素等；将太阳能电池硅片放入盐酸和双氧水的混合溶液中可以对太阳能电池硅片进行氧化和络合处理，进而可以去除太阳能电池硅片表面的金属原子。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，如图4所示，为了使太阳能电池硅片最大限度地减少光反射，提高短路电流(Isc)，增加PN结面积，最终提高光电转换效率，在执行步骤S101对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化之前，还可以具体包括以下步骤：

S401、对太阳能电池硅片进行去损伤层和制绒处理。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法中，如图5所示，步骤S401对太阳能电池硅片进行去损伤层和制绒处理，具体可以采用如下方式：

S501、将太阳能电池硅片放入氢氧化钠溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水对太阳能电池硅片进行冲洗；在该步骤中，在氢氧化钠溶液中，氢氧化钠的质量百分比可以设置为10wt％至30wt％；

S502、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入氢氧化钠和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用去离子水对太阳能电池硅片进行冲洗；在该步骤中，在氢氧化钠和制绒添加剂的混合溶液中，氢氧化钠的质量百分比可以设置为5wt％，制绒添加剂的体积百分比可以设置为0.3vol％。

下面以两个具体的实例详细的说明本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片的清洗方法。

实例一：太阳能电池硅片的清洗方法的具体步骤如下：

步骤1、将太阳能电池硅片放入氢氧化钠(NaOH)溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水(DI water)对太阳能电池硅片进行冲洗，去除太阳能电池硅片表面的损伤层；

在具体实施时，首先，将太阳能电池硅片放入质量百分比为10wt％至30wt％的NaOH溶液中，该NaOH溶液的温度优选设定为75℃到85℃，将太阳能电池硅片放入NaOH溶液中2min至10min后取出，取出后用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。本发明具体实施例选择的太阳能电池硅片的类型为N型，太阳能电池硅片的厚度为195μm，太阳能电池硅片的电阻率为1Ω·cm至5Ω·cm。

步骤2、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入NaOH和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，将太阳能电池硅片放入质量百分比为5wt％的NaOH和体积百分比为0.3vol％的制绒添加剂的混合溶液中，该混合溶液的温度优选设定为85℃，将太阳能电池硅片放入该混合溶液中20min后取出，取出后用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。

步骤3、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入氨水(NH₃·H₂O)、双氧水(H₂O₂)和水(H₂O)的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，将太阳能电池硅片放入配比为1：1：5的NH₃·H₂O、H₂O₂和H₂O的混合溶液中，其中NH₃·H₂O的质量百分比为29wt％，H₂O₂的质量百分比为30wt％，该混合溶液的温度优选设定为75℃，将太阳能电池硅片放入该混合溶液中浸泡15min后取出，取出后用去DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。

步骤4、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入盐酸(HCl)、H₂O₂和H₂O的混合溶液中浸泡预设时间使得太阳能电池硅片表面产生氧化后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，将太阳能电池硅片放入配比为1：1：6的HCl、H₂O₂和H₂O的混合溶液中，其中HCl的质量百分比为37wt％，H₂O₂的质量百分比为30wt％，该混合溶液的温度优选设定为75℃，将太阳能电池硅片放入该混合溶液中浸泡15min后取出，取出后用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。

步骤5、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入氢氟酸(HF)、H₂O₂和HCl的混合溶液中浸泡预设时间进行刻蚀清洗后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，选择两种条件作为比较，条件一：将太阳能电池硅片放入质量百分比为0.1wt％的HF、质量百分比为0.1wt％的H₂O₂和质量百分比为0.5wt％的HCl的混合溶液中进行刻蚀清洗，清洗时间优选为2min至5min，将清洗后的太阳能电池硅片取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为2min至5min；条件二：将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入只具有HF的溶液中浸泡预设时间进行刻蚀清洗后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，即将太阳能电池硅片放入质量百分比为0.1wt％的HF溶液中进行刻蚀清洗，清洗时间优选为2min至5min，将清洗后的太阳能电池硅片取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为2min至5min。

至此，经过实例一提供的上述步骤1至步骤5清洗出了本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片。

实例二：太阳能电池硅片的清洗方法的具体步骤如下：

步骤6、将太阳能电池硅片放入氢氧化钠(NaOH)溶液中浸泡预设时间后取出，并用去离子水(DI water)对太阳能电池硅片进行冲洗，去除太阳能电池硅片表面的损伤层；

在具体实施时，首先，将太阳能电池硅片放入质量百分比为10wt％至30wt％的NaOH溶液中，该NaOH溶液的温度优选设定为75℃到85℃，将太阳能电池硅片放入NaOH溶液中2min至10min后取出，取出后用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。本发明具体实施例选择的太阳能电池硅片的类型为N型，太阳能电池硅片的厚度为195μm，太阳能电池硅片的电阻率为1Ω·cm至5Ω·cm。

步骤7、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入NaOH和制绒添加剂的混合溶液中，在预设时间后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，将太阳能电池硅片放入质量百分比为5wt％的NaOH和体积百分比为0.3vol％的制绒添加剂的混合溶液中，该混合溶液的温度优选设定为85℃，将太阳能电池硅片放入该混合溶液中20min后取出，取出后用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。

步骤8、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入氨水(NH₃·H₂O)、双氧水(H₂O₂)和水(H₂O)的混合溶液中浸泡预设时间后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，将太阳能电池硅片放入配比为1：1：5的NH₃·H₂O、H₂O₂和H₂O的混合溶液中，其中NH₃·H₂O的质量百分比为29wt％，H₂O₂的质量百分比为30wt％，该混合溶液的温度优选设定为75℃，将太阳能电池硅片放入该混合溶液中浸泡15min后取出，取出后用去DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。

步骤9、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入盐酸(HCl)、H₂O₂和H₂O的混合溶液中浸泡预设时间使得太阳能电池硅片表面产生氧化后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，将太阳能电池硅片放入配比为1：1：6的HCl、H₂O₂和H₂O的混合溶液中，其中HCl的质量百分比为37wt％，H₂O₂的质量百分比为30wt％，该混合溶液的温度优选设定为75℃，将太阳能电池硅片放入该混合溶液中浸泡15min后取出，取出后用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为5min至10min。

步骤10、将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入氢氟酸(HF)、H₂O₂和HCl的混合溶液中浸泡预设时间进行刻蚀清洗后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗；

在具体实施时，选择两种条件作为比较，条件三：将太阳能电池硅片放入质量百分比为1.5wt％的HF、质量百分比为1.5wt％的H₂O₂和质量百分比为3wt％的HCl的混合溶液中进行刻蚀清洗，清洗时间优选为2min至5min，将清洗后的太阳能电池硅片取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为2min至5min；条件四：将完成上述步骤的太阳能电池硅片放入只具有HF的溶液中浸泡预设时间进行刻蚀清洗后取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，即将太阳能电池硅片放入质量百分比为0.5wt％的HF溶液中进行刻蚀清洗，清洗时间优选为2min至5min，将清洗后的太阳能电池硅片取出，并用DI water对太阳能电池硅片进行冲洗，冲洗时间优选为2min至5min。

至此，经过实例二提供的上述步骤6至步骤10清洗出了本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片。

进一步地，为了比较出实例一和实例二的清洗效果，将实例一和实例二清洗出了本发明实施例提供的上述太阳能电池硅片采用等离子体增强化学气相沉积法制作出硅异质结太阳能电池，具体步骤如下：

步骤11、分别将步骤5和步骤10清洗后的太阳能电池硅片放入甩干机中甩干；

步骤12、将甩干后的太阳能电池硅片放入PECVD设备中，在太阳能电池硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成ip/c-Si/in结构；设备温度可以设置在150℃；

步骤13、利用PVD设备，在上述步骤形成的ip/c-Si/in结构两面各沉积100nm厚度的TCO膜层，形成电池；

步骤14、用银浆料在上述步骤形成的电池两面丝网印刷电极；

步骤15、将上述步骤制作的电池放入退火炉中，在大气气氛下进行退火处理，退火温度可以设置为200℃，退火时间可以设置为30min；

步骤16、对经过退火处理后的电池进行少子寿命的测试，以及电池效率的测试。

经测试，实施例一中提供的条件一制作出的电池的少子寿命在4000-5000μs，光电转换效率为21.5％；而条件二制作出的电池的少子寿命在2500-3500μs，光电转换效率为21.2％；可见本发明实施例利用条件一制作出的电池的少子寿命得到了延长，光电转换效率得到了提高。

实施例二中提供的条件三制作出的电池的少子寿命在4000-5000μs，光电转换效率为21.6％；而条件二制作出的电池的少子寿命在2500-3500μs，光电转换效率为21.3％；可见本发明实施例利用条件三制作出的电池的少子寿命得到了延长，光电转换效率得到了提高。

经比较，本发明实施例利用条件三制作出的电池的光电转换效率最高。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种太阳能电池的制备方法，包括采用上述的清洗方法。该太阳能电池的制备方法的实施可以参见上述太阳能电池硅片的清洗方法的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法，该清洗方法包括：对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化；采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上，又加入了盐酸对金属离子的络合作用，可以溶解残留的金属离子，进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果，进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合，提高太阳能太阳能电池硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。