硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法与流程

技术总结
本发明公开一种硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法。本发明创造性地将LED芯片直接封装在散热基体上，相比起现有技术，本发明的LED芯片其工作时产生的热量可以直接通过散热基体传导，散热效率明显高于现有技术。

技术研发人员：宣紫程
受保护的技术使用者：宣紫程
文档号码：201610762548
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2016.11.23