技术总结
一种带电流扩展层的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层、P型GaN层和P‑InGaN层。其结构特点是，所述N型GaN层和有源区之间置有电流扩展层，电流扩展层包括掺杂Si的AlxGa1‑xN层和InGaN层。AlxGa1‑xN层和InGaN层交替生长且交替生长周期为3‑6个周期。本发明是通过在现有外延结构中插入电流扩展层，以提高电子注入均匀性、阻挡底层位错缺陷的延伸，从而提高辐射复合几率，达到增强LED内量子效率的目的。
技术研发人员：张晓龙;徐晓丽;胥真奇;赖志豪;曾颀尧;林政志
受保护的技术使用者：南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
文档号码：201510292887
技术研发日：2015.06.02
技术公布日：2017.01.04