技术总结
本发明公开了一种双面P型晶体硅电池结构及其制备方法，该方法形成的双面P型晶体硅电池结构中包含有背面钝化减反复合膜，减反复合膜包括含有SiO2的硼硅玻璃层和氮化硅层，硼硅玻璃层在双面晶体硅电池硼扩散层之上，氮化硅层则沉积在硼硅玻璃层上；该电池结构可降低界面态的密度和界面复合速率，实现对硼扩散层的钝化作用；硼硅玻璃层与氮化硅层形成的BSG/SiNx叠层结构，可实现钝化、扩散掩蔽、抗反射等功能，可以提高电池的开路电压、短路电流和光电转换效率；在背面采用BSG(SiO2‑rich)/SiNx叠层结构，作为电池的背面钝化层、扩散掩蔽层和背面抗反射层，大大简化了工艺，提高了生产效率，降低生产工艺成本。
技术研发人员：张中伟;张小宾;黄仑
受保护的技术使用者：中国东方电气集团有限公司
文档号码：201410092258
技术研发日：2014.03.13
技术公布日：2017.04.05