的第二非晶钴硼子层； 其中，所述第一钴铁子层和所述第二钴铁子层中的每一个具有组成Cou。。x)Fe(x)，其中x在10到90原子百分比的范围内。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一铁磁自由层和所述第二铁磁自由层铁磁地耦合。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一铁磁自由层具有第一磁化方向，并且所述第二铁磁自由层具有第二磁化方向，并且所述第一磁化方向和所述第二磁化方向在静止状态下基本上是正交的。4.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述非磁间隔层包含非铁磁金属，所述非铁磁金属具有在5到100埃的范围内的厚度并且是从由铜、银、金、钽、钌以及铬组成的组中选择的。5.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述非磁间隔层包含具有在2.5到20埃的范围内的厚度的绝缘阻挡层。6.根据权利要求5所述的磁传感器，其中，所述绝缘阻挡层包括氧化铝、氧化钛、或氧化镁。7.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一非晶钴硼子层和所述第二非晶钴硼子层中的每一个具有组成Cou。。y)Bw，其中y在10到30原子百分比的范围内。8.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一非晶钴硼子层和所述第二非晶钴硼子层中的每一个具有组成Cou。。y z)Fe(z)B(y)，其中y在10到30原子百分比的范围内，并且z在5到60原子百分比的范围内。9.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一多个铁磁子层和所述第二多个铁磁子层中的每一个包括交替的非晶钴硼子层和钌防尘层，这些钌防尘层每个具有在0.5到10埃的范围内的厚度。10.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一多个铁磁子层和所述第二多个铁磁子层中的每一个包括交替的非晶钴硼子层和镍铁防尘层，这些镍铁防尘层每个具有在0.5到10埃的范围内的厚度以及组成Niu。。z)Few，其中z在3到10原子百分比的范围内。11.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一钴铁子层和所述第二钴铁子层中的每一个具有在3到20埃的范围内的厚度。12.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一非晶钴硼子层和所述第二非晶钴硼子层中的每一个具有在5到100埃的范围内的厚度。13.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述第一铁磁自由层和所述第二铁磁自由层中的每一个具有在10到100埃的范围内的总厚度。14.一种磁头，包括: 一个滑块，该滑块具有存在于ABS平面中的空气承载表面(ABS)并且具有大致正交于所述ABS平面的下降面，所述滑块限定了垂直于所述下降面的纵向轴并且限定了垂直于所述ABS平面的垂直轴，并且限定了垂直于所述纵向轴和所述垂直轴两者的横轴； 磁传感器被布置在所述下降面上，所述磁传感器包含 不被磁性地钉扎的第一铁磁自由层； 不被磁性地钉扎的第二铁磁自由层； 布置在所述第一铁磁自由层和所述第二铁磁自由层之间的非磁间隔层； 其中，所述第一铁磁自由层包含第一多个铁磁子层，所述第一多个铁磁子层包括与所述非磁间隔层相接触的第一钴铁子层以及与所述非磁间隔层不接触的第一非晶钴硼子层；以及 其中，所述第二铁磁自由层包含第二多个铁磁子层，所述第二多个铁磁子层包括与所述非磁间隔层相接触的第二钴铁子层以及与所述非磁间隔层不接触的第二非晶钴硼子层； 其中，所述第一钴铁子层和所述第二钴铁子层中的每一个具有组成Cou。。x)Fe(x)，其中x在10到90原子百分比的范围内； 邻近于所述磁传感器被横向布置的两个反铁磁耦合的软偏置层；以及 硬磁，所述硬磁被垂直地布置为邻近于所述磁传感器并且相比于所述传感器距离所述ABS平面被布置的更远。15.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一铁磁自由层具有第一磁化方向，并且所述第二铁磁自由层具有第二磁化方向，并且所述第一磁化方向和所述第二磁化方向在静止状态下基本上是正交的。16.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述非磁间隔层包括包含氧化铝、氧化钛或氧化镁的绝缘阻挡层。17.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一非晶钴硼子层和所述第二非晶钴硼子层中的每一个具有组成Cou。。y)Bw，其中y在10到30原子百分比的范围内。18.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一非晶钴硼子层和所述第二非晶钴硼子层中的每一个具有组成Cou。。”，其中y在10到30原子百分比的范围内，并且z在5到60原子百分比的范围内。19.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一多个铁磁子层和所述第二多个铁磁子层中的每一个包括交替的非晶钴硼子层和钌防尘层，所述钌防尘层每个具有在0.5到10埃的范围内的厚度。20.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一多个铁磁子层和所述第二多个铁磁子层中的每一个包括交替的非晶钴硼子层和镍铁防尘层，这些镍铁防尘层每个具有在0.5到10埃的范围内的厚度以及组成Niu。。z)Few，其中z在3到10原子百分比的范围内。21.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一钴铁子层和所述第二钴铁子层中的每一个具有在3到20埃的范围内的厚度。22.根据权利要求14所述的磁头，其中，所述第一非晶钴硼子层和所述第二非晶钴硼子层中的每一个具有在5到100埃的范围内的厚度。23.—种盘驱动器，包括: 盘驱动器底座； 转轴，所述转轴被附接至所述盘驱动器底座并且限定了转轴旋转轴线； 旋转地安装在所述转轴上盘； 附接至所述盘驱动器底座的磁头致动器； 附接至所述磁头致动器的磁头；所述磁头包括 滑块，所述滑块具有面朝所述盘并且存在于ABS平面中的空气承载表面即ABS并且具有大致正交于所述ABS平面的下降面，所述滑块限定了垂直于所述下降面的纵向轴并且限定了垂直于所述ABS平面并且大致平行于所述转轴旋转轴线的垂直轴，并且限定了垂直于所述纵向轴和所述垂直轴两者的横轴； 布置在该下降面上的磁传感器，该磁传感器包括 不被磁性地钉扎的第一铁磁自由层； 不被磁性地钉扎的第二铁磁自由层； 布置在所述第一铁磁自由层和所述第二铁磁自由层之间的非磁间隔层； 其中，所述第一铁磁自由层包含第一多个铁磁子层，所述第一多个铁磁子层包括与所述非磁间隔层相接触的第一钴铁子层以及与所述非磁间隔层不接触的第一非晶钴硼子层；以及 其中，所述第二铁磁自由层包含第二多个铁磁子层，所述第二多个铁磁子层包括与所述非磁间隔层相接触的第二钴铁子层以及与所述非磁间隔层不接触的第二非晶钴硼子层； 其中，所述第一钴铁子层和所述第二钴铁子层中的每一个具有组成Cou。。x)Fe，其中X在10到90原子百分比的范围内； 邻近于所述磁传感器被横向布置的两个反铁磁耦合的软偏置层；以及硬磁，所述硬磁被垂直地布置为邻近于所述磁传感器并且相比于所述传感器距离所述ABS平面被布置的更远。
【专利摘要】一种磁传感器包括不被磁性地钉扎的第一铁磁自由层和第二铁磁自由层以及布置在其之间的一个非磁间隔层。该第一铁磁自由层包含第一多个铁磁子层，所述第一多个铁磁子层包括与该非磁间隔层相接触的第一钴铁子层的以及与该非磁间隔层不接触的第一非晶钴硼子层。该第二铁磁自由层包含第二多个铁磁子层，所述第二多个铁磁子层包括与该非磁间隔层相接触的第二钴铁子层以及与该非磁间隔层不接触的第二非晶钴硼子层。该第一钴铁子层和第二钴铁子层中的每一个具有组成Co(100-x)Fe(x)，其中x在10到90原子百分比的范围内。
【IPC分类】G11B5/48, G11B5/127
【公开号】CN105489229
【申请号】CN201510640808
【发明人】Z·刁, Y·郑, C·凯泽, Q·冷
【申请人】西部数据（弗里蒙特）公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月30日
【公告号】US9007725