嵌入式闪存的测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种嵌入式闪存的测试方法。
【背景技术】
[0002]嵌入式闪存，用于存储电子数据信息，由于闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失，具有反复擦除、读、写等优点，因此广泛应用于手机、数码照相机、平板电脑等电子设备中。但是在制造闪存出厂前，需要对闪存的电气连接性能、功耗、读、写、擦除、串扰等参数进行测试，目前，上述参数的测试广泛采用闪存测试机进行测试。现有技术中的嵌入式闪存的测试方法中，在进行写入与读取参数测试时，需预先设置闪存芯片的写入与读取的期望值，然后将闪存芯片实际测得的写入与读取的数据值与预先设置的写入与读取的期望值进行比较，当实际测得的数据值等于期望期时，判断该闪存所测试的参数合格，否则不合格；当进行擦除与读取参数时；需预先设置闪存芯片的擦除与读取的期望值，然后将闪存芯片实际测得的擦除与读取的数据值与预先设置的擦除与读取的期望值进行比较，当实际测得的数据值等于期望期时，判断该闪存所测试的参数合格，否则不合格；当进行串扰与读取参数时，需预先设置闪存芯片的串扰与读取的期望值，然后将闪存芯片实际测得的串扰与读取的数据值与预先设置的串扰与读取的期望值进行比较，当实际测得的数据值等于期望期时，判断该闪存所测试的参数合格，否则不合格。
[0003]上述测试方法的缺点是:在写入与读取、擦除与读取、串扰与读取等每一项参数进行测试时，每次实际测得的数据值均需与预先设置参数值进行比较判断是否合格，从而使嵌入式闪存的整体参数测试时间较长、耗时时间长、测试周期长等缺陷。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，提供一种嵌入式闪存的测试方法，以使嵌入式闪存的测试周期短、耗时时间短、测试时间短。
[0005]为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是:一种嵌入式闪存的测试方法，包括以下步骤，分别预先设置待测闪存的测试项目的期望值；所述期望值为数字信号；同时或分时进行闪存的所述测试项目的实际测试，得到实际测得数据值；所述实际测得数据值为数字信号；将所述实际测得数据值以扇区或者块区压缩记录数据信息的方式存入到错误捕获内存中；将存入到所述错误捕获内存中的所有测试项目的实际测得数据值与所述闪存中预先设置的测试项目的期望值一一进行并行比较，判断每一个测试项目是否合格；当所测的测试项目的实际测得数据值与所述闪存中预先设置的测试项目的期望值相同时，则判断所述闪存中所测的测试项目为合格，否则为不合格；判断闪存是否为合格品，当所有测试项目为合格时，则测试的闪存为合格品，否则为不合格品。
[0006]进一步的，上述嵌入式闪存的测试方法中，所述测试项目为写入与读取功能、擦除与读取功能或串扰与功能时，写入或擦除或串扰的实际测试次数为N次，每次写入或擦除或串扰的数据量不相同，其中N为大于0的自然数。
[0007]进一步的，上述嵌入式闪存的测试方法中，分别定义每个所述测试项目的错误代码，当实际测试的测试项目为不合格时，输出对应所述测试项目的错误代码。
[0008]进一步的，当所述测试项目的实际测得数据值与所述闪存中预先设置的测试项目的期望值相同，是指实际测得数据值的数字信号与所述闪存的期望值的数字信号都为高电平或低电平。
[0009]进一步的，当所述测试项目为写入与读取功能时，其实际测得数据值与所述闪存中预先设置的写入与读取功能的期望值相同时，则判断写入与读取功能为合格，否则为不合格。
[0010]进一步的，当所述测试项目为擦除与读取功能时，其实际测得数据值与所述闪存中预先设置的擦除与读取功能的期望值相同时，则判断擦除与读取功能为合格，否则为不合格。
[0011]进一步的，当所述测试项目为串扰与读取功能时，其实际测得数据值的数字信号与所述闪存中预先设置的串扰与读取的期望值相同时，则判断串扰与读取功能为合格，否则为不合格。
[0012]进一步的，当所述测试项目为电气连接性能时，将实际测得数据值的数字信号与所述闪存中预先设置的期望值的数字信号相同时，则判断电气连接性能为合格，否则为不合格。
[0013]进一步的，当所述测试项目为功耗时，将实际测得数据值的数字信号与所述闪存中预先设置的期望值的数字信号相同时，则判断功耗为合格，否则为不合格。
[0014]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明是将闪存的所有测试项目实际测试得到实际测得数据值后存储到错误捕获内存中，然后将错误捕获内存中的实际所有测试项目的实际测得数据值与闪存预先设置的期望值进行一一对比，即将错误捕获内存中的实际测得数据值与闪存中预先设置的期望值进行并行对比，而不是采用现有技术中的一个测试项目测试完成得到的实际测得的数据值与预先设置的期望值对比后，再进行下一个测试项目测试和对比。本发明将所有测试项目同时进行并列的测试后，再将所有测试项目的实际测得的数据值与预先设置的期望值进行并列对比，从而节省了二次测试及二次对比的步骤，从而使所测闪存的测试项目的耗时时间短、测试时间短，进而提高了所测闪存的测试周期。
【附图说明】
[0015]图1是本发明一实施例的流程示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图对本发明作详细描述:
[0017]图1是本发明一实施例的流程示意图。请参考图1，本发明提供的嵌入式闪存的测试方法，包括以下步骤，
[0018]步骤S1，分别预先设置待测闪存的测试项目的期望值；所述期望值为数字信号；其中，测试项目可以根据实际需要进行增减，例如:可以是写入、读取、擦除、串扰，写入与读取、擦除与读取、串扰与读取，电气连接性能、功耗等等；
[0019]步骤S2，同时或分时进行闪存的所述测试项目的实际测试，得到实际测得数据值；所述实际测得数据值为数字信号；其中，同时进行所有测试项目的实际测试能够节省大量的测试周期；其中，分时进行所有测试项目的实际测试，具有可以对所测测试项目进行多次测量，以多次确认测试项目的结果的正确性。
[0020]步骤S3，将所述实际测得数据值以扇区或者块区压缩记录数据信息的方式存入到错误捕获内存中；其中，记录数据信息，是指记录测试项目的实际测得的的数据值；其中，将实际测得的数据值以扇区或块区压缩，作用是充分利用捕获内存的存储空间，比较以字节或比特存储数据信息而言，能够存储更多的实际测得的数据值；
[0021]步骤S4，将存入到所述错误捕获内存中的所有测试项目的实际测得数据值与所述闪存中预先设置的所有测试项目的期望值一一进行并行比较，判断每一个测试项目是否合格；当所测的测试项目的实际测得数据值与所述闪存中预先设置的测试项目的期望值相同时，则判断所述闪存中所测的测试项目为合格，否则为不合格；其中，所述测试项目的实际测得数据值与所述闪存中预先设置的测试项目的期望值相同，是指实际测得数据值的数字信号与所述闪存的期望值的数字信号都为高电平或低电平；
[0022]步骤S5，判断闪存是否为合格品，当所有测试项目为合格时，则测试的闪存为合格品，否则为不合格品。
[0023]例如，当所述测试项目为写入与读取功能时，其实际测得数据值与所述闪存中预先设置的写入与读取功能的期望值相同时，则判断写入与读取功能为合格，否则为不合格。
[0024]例如，当所述测试项目为擦