用于优化存储设备的寿命的方法和装置的制造方法
【专利说明】用于优化存储设备的寿命的方法和装置
[0001]相关串请的交叉引用
[0002]本公开内容要求提交于2013年6月21日的第61/838，008号美国临时申请和提交于2014年6月16日的第14/305,383号美国申请的优先权，这些申请通过引用结合于此。
技术领域
[0003]本公开内容总体涉及固态存储设备系统和方法，并且更具体地涉及优化固态存储设备的寿命。
【背景技术】
[0004]这里提供的【背景技术】描述是为了一般地呈现公开内容的背景。当前名义的发明人的工作在这一【背景技术】章节中描述该工作的程度上以及该描述的可以在提交时未另外限定为现有技术的方面既未明确地也未暗示地承认为相对于本公开内容的现有技术。
[0005]典型固态存储设备(例如NAND闪存设备)的寿命经常基于对设备执行多少个编程/擦除周期(P/E周期)来确定。这些设备的磨损水平往往随着P/E周期的数目成比例地增加，这引起更大数目的读取错误。然而，每个设备可以执行的P/E周期的数目可以在设备之间变化。这样，基于P/E周期的数目确定给定的设备的寿命的典型设备造成不准确(例如过早地标记坏设备/块)。
【发明内容】
[0006]在一些实施例中，优化存储设备的寿命。接收用于将数据存储到存储设备的请求。存储设备包括多个区域。作出多个区域的第一组区域与比多个区域的第二组区域更低的错误测量阈值更低的错误测量阈值的确定。基于该确定选择存储设备的在第一组区域中的区域。将数据存储到选择的区域。
[0007]在一些实现中，多个区域的每个区域与磨损水平关联。在一些实现中，响应于将数据存储到选择的区域来调整与选择的区域关联的磨损水平。在一些实施例中，响应于向不同组移动选择的区域来重置与选择的区域关联的磨损水平。在一些实施例中，磨损水平代表擦除计数、编程-擦除(P/E)周期和在读取操作中出现的错误位的数目中的至少一个。
[0008]在一些实施例中，读取被存储到选择的区域的数据。计算代表多少个错误由从选择的区域读取数据而产生的错误数目。响应于确定错误数目大于与第一组区域关联的错误测量阈值，从第一组区域向第二组区域移动选择的区域。
[0009]在一些实施例中，响应于确定第一解码技术未能解码在选择的部分中存储的数据，作出关于第二解码技术是否成功地解码在选择的部分中存储的数据的确定。第二解码技术可以比第一解码技术更复杂。响应于确定第二解码技术成功地解码数据，从第一组区域向第二组区域移动选择的区域。
[0010]在一些实施例中，标识与用于存储数据的请求关联的大小。作出关于在第一组中的区域的大小是否至少对应于标识的大小的确定。在一些实现中，错误测量阈值代表读取错误的数目和用来解码从区域的给定一个区域读取的数据的解码复杂度水平中的至少一个。
[0011]在一些实施例中，一种系统优化存储设备的寿命。该系统包括配置为接收用于将数据存储到存储设备的请求的控制电路装置，其中存储设备包括多个区域。控制电路装置被配置为确定多个区域的第一组区域与比多个区域的第二组区域更低的错误测量阈值关联。控制电路装置被配置为基于该确定选择存储设备的在第一组区域中的区域。控制电路装置被配置为将数据存储到选择的区域。
[0012]在一些实现中，多个区域中的每个区域与磨损水平关联。控制电路装置还被配置为响应于将数据存储到选择的区域来调整与选择的区域关联的磨损水平。在一些实现中，控制电路装置还被配置为响应于向不同组移动选择的区域来重置与选择的区域关联的磨损水平。磨损水平可以代表错误计数、编程-擦除(P/E)周期和在读取操作中出现的错误位数目中的至少一个。
[0013]在一些实施例中，控制电路装置还被配置为响应于确定第一解码技术未能解码在选择的部分中存储的数据来确定第二解码技术是否成功地解码在选择的部分中存储的数据，其中第二解码技术比第一解码技术更复杂。响应于确定第二解码技术成功地解码数据，控制电路装置还被配置为从第一组区域向第二组区域移动选择的区域。
[0014]在一些实施例中，控制电路装置还被配置为标识与用于存储数据的请求关联的大小。控制电路装置还被配置为确定在第一组中的区域的大小是否至少对应于标识的大小。在一些实现中，错误测量阈值可以代表读取错误的数目和用来解码从区域的给定一个区域读取的数据的解码复杂度水平中的至少一个。
[0015]在一些实施例中，一种存储设备被划分成多个区域。错误特性与多个区域的每个区域关联。多个区域的每个区域基于相应区域的关联错误特性而被分组成多个组的对应组，其中每个组对应于不同的错误测量阈值。
【附图说明】
[0016]在附图和以下描述中阐述一个或者多个实现的细节。其它特征和各种优点将在考虑结合附图进行的以下具体描述时更清楚，在附图中:
[0017]图1是根据本公开内容的实施例的不例存储设备系统的图；
[0018]图2是根据本公开内容的实施例的示例存储块分组表的图；以及
[0019]图3和图4是根据本公开内容的实施例的用于优化存储设备的寿命的示例过程。
【具体实施方式】
[0020]本公开内容总体涉及优化存储设备的寿命。出于示例目的，在固态存储设备(例如闪存设备或者基于NAND的存储设备)的上下文中描述本公开内容。然而，应当理解本公开内容适用于任何其它类型的非易失性存储设备(例如磁存储设备、ROM、PROM, EPROM,EEPROM、nvSRAM、FeRAM、MRAM、PRAM、CBRAM、S0N0S、RRAM、NRAM、Millipede 存储器或者全息存储设备)。
[0021]图1是根据本公开内容的实施例的示例存储设备系统100的图。系统100包括控制电路装置110、固态存储设备120、存储块分组表130和错误纠正/检测电路装置140。
[0022]在一些实施例中，控制电路装置110可以从另一系统部件(未示出)接收数据140。例如数据140可以由应用或者另一存储设备(例如DRAM)提供。数据140可以包括用户数据部分、地址部分和指示读取或者写入请求(例如指示是否读取或者向地址部分写入用户数据)的控制部分。
[0023]存储块分组表130可以包括存储设备120的块和组编号的映射。例如存储设备120可以包括多个部分或者区域(例如块)。每个部分或者区域可以被配置为存储预定数目的信息位。在一些实现中，每个部分或者区域可以包括信息部分。信息部分可以存储或跟踪在给定的部分或者区域执行的P/E周期的数目和/或在该部分或者区域中出现的读取错误的数目。初始地，所有部分或者区域可以与可以是最低级组的第一组编号(例如组0)关联。在一些实施例中，控制电路装置110可以在系统100被重置或者接收重置信号时关联存储设备120的所有部分或者区域与第一组编号。为了关联存储设备120的所有部分或者区域与第一组编号，控制电路装置110可以在表130中在与第一级组对应的行中存储与存储设备120中的所有部分或者区域的标识符。在一些实施例中，存储设备120的所有部分或者区域可以在存储设备120在工厂中被生产之后就立即与第一组编号关联。在存储设备120的部分或者区域与不同组编号之间的后续关联可以在系统被重置或者接收重置信号时未改变。
[0024]在一些实施例中，表130可以被划分成多组。每个组可以与不同水平和不同错误测量阈值项关联。在一些实现中，错误测量阈值可以代表从给定的部分或者区域读取数据产生的读取错误的数目。在一些实现中，错误测量阈值可以代表用来解码从给定的部分或者区域读取的数据的解码复杂度水平(例如一个水平可以是使用硬信息的LDPC