到存储器控制器810。
[0154]命令输出单元811可将用于请求存储器操作的命令CMD提供到存储器装置820。另外，电力调节器812可将控制信号(C0N_Vol)提供到存储器装置820，以调节在存储器装置820中使用的各种电压。漏电流分析单元813可根据一个或更多个实施例执行漏电流分析操作，并且可将分析结果提供到电力调节器812。电力调节器812可给存储器装置820提供与漏电流分析单元813的分析结果对应的控制信号。
[0155]在图19中示出的实施例中，可通过与存储器单元阵列821的字线和/或位线连接的漏电流测量单元823来执行漏电流测量操作。另外，漏电流分析单元813可通过使用测量结果来执行漏电流分析操作并且可基于分析结果而输出用于调节一个或更多个禁止电压的电平的控制信息。电力发生器822可基于来自存储器控制器810的控制信号为存储器单元阵列821提供电平被调节的禁止电压，使得可管理在存储器单元阵列821中出现的漏电流。
[0156]图20是示出根据发明构思的实施例的可包含电阻型存储器系统的存储卡系统900的框图。
[0157]参照图20，存储卡系统900可包括主机910和存储卡920。主机910可包括主机控制器911和主机连接器912。存储卡920可包括卡连接器921、卡控制器922和存储器装置923。这里，可通过使用图1至图19中示出的实施例中的一个实施例来实施存储器装置923，使得存储器装置923可包括用于测量和分析漏电流的单元，并且可根据漏电流的分析结果，调节被提供到布置在存储器装置923中的存储器单元阵列的各种禁止电压的电平。
[0158]主机910可将数据写入存储卡920或者可读取存储在存储卡920中的数据。主机控制器911可经由主机连接器912将命令CMD、主机910中的时钟发生器(未示出)产生的时钟信号CLK和数据DATA发送到存储卡920。
[0159]响应于经由卡连接器921接收到的命令CMD，卡控制器922可与由卡控制器922中的时钟发生器(未示出)产生的时钟信号同步地将数据DATA存储在存储器装置923中。存储器装置923可存储从主机910发送的数据DATA。
[0160]存储卡920可被实施为CFC、微驱动器、SMC、MMC、安全数字卡(SDC)、记忆棒或USB闪存驱动器。
[0161]图21示出了根据发明构思的实施例的电阻型存储器模块1000。参照图21，电阻型存储器模块1000可包括存储器装置1021至1024和控制芯片1010。可通过使用图1至图19中示出的实施例之一来实施存储器装置1021至1024中的每个。响应于由外部存储器控制器发送的各种信号，控制芯片1010可控制存储器装置1021至1024。例如，根据从外部源发送的各种命令和地址，控制芯片1010可启动与各种命令和地址对应的存储器装置1021至1024，因此可控制写操作和读操作。另外，控制芯片1010可对从存储器装置1021至1024中的每个输出的读数据执行各种后处理操作，例如，控制芯片1010可对读数据执行检错操作和纠错操作。
[0162]在本实施例中，存储器装置1021至1024中的每个可包括用于测量和分析漏电流的单元，并且可根据漏电流的分析结果，调节被提供到布置在存储器装置1021至1024中的每个中的存储器单元阵列的各种禁止电压的电平。
[0163]图22是示出根据发明构思的实施例的包括电阻型存储器系统的计算系统1100的框图。
[0164]参照图22，计算系统1100可包括存储器系统1110、处理器1120、RAM1130、输入/输出(I/o)装置1140和电源装置1150。存储器系统1110可包括存储器装置1111和存储器控制器1122。尽管在图22中未示出，但计算系统1100还可包括用于与视频卡、声卡、存储卡或USB装置通信的端口、或者其它电子装置。计算系统1100可被实施为PC、或者诸如笔记本计算机、移动电话、个人数字助理(PDA)或相机的便携式电子装置。
[0165]处理器1120可执行特定的计算或任务。在本实施例中，处理器1120可以是微处理器、中央处理单元(CPU)等。处理器1120可经由诸如地址总线、控制总线或数据总线的总线1160来与RAM 1130、I/O装置1140和存储器系统1110执行通信。这里，可通过使用图1至图19中示出的实施例之一的存储器装置来实施存储器系统1110和/或RAM 1130。
[0166]在本实施例中，处理器1120还可连接到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。
[0167]RAM 1130可存储用于计算系统1100的操作的数据。如上所述，根据发明构思的一个或更多个实施例的存储器装置可应用于RAM 1130。可供选择地，DRAM、移动DRAM、SRAM、PRAM、FRAM 或 MRAM 可用作 RAM 1130。
[0168]I/O装置1140可包括诸如键盘、小型键盘或鼠标的输入单元和诸如打印机或显示器的输出单元。电源装置1150可供应用于计算系统1100的操作的操作电压。
[0169]虽然已经参照发明构思的示例性实施例具体示出和描述了发明构思，但将理解的是，可在不脱离权利要求的范围的情况下，在其中进行形式和细节上的各种变化。
【主权项】
1.一种电阻型存储器装置的操作方法，所述方法包括下述步骤: 向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压； 测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果; 基于测量结果来产生控制信号；以及 响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。2.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括: 存储与调节偏置控制电压的电平关联的控制信息。3.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括: 在电阻型存储器装置的通电时间段期间进入测试模式，其中，偏置控制电压的施加步骤、漏电流的测量步骤、控制信号的产生步骤以及偏置控制电压的电平的调节步骤是在测试模式期间执行的。4.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括: 进入电阻型存储器装置的正常模式，在正常模式期间执行正常存储器操作， 其中，偏置控制电压的施加步骤、漏电流的测量步骤、控制信号的产生步骤和偏置控制电压的电平的调节步骤是在正常模式期间执行的。5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，漏电流的测量步骤包括: 使用与存储器单元阵列的字线连接的测量仪器，测量正向漏电流； 使用与存储器单元阵列的位线连接的测量仪器，测量反向漏电流。6.根据权利要求5所述的操作方法，其中，控制信号的产生步骤包括响应于对正向漏电流的值和反向漏电流的值的分析来产生控制信号。7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，控制信号的产生步骤包括基于对正向漏电流和反向漏电流的增大模式和减小模式的分析来产生控制信号。8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，偏置控制电压的电平的调节步骤包括根据正向漏电流的值和反向漏电流的值中的至少一个来调节禁止电压的电平。9.根据权利要求5所述的操作方法，其中，控制信号的产生步骤包括访问列出的与正向漏电流和反向漏电流对应的控制信息的查询表。10.根据权利要求1所述的操作方法，其中，偏置控制电压的施加步骤包括向存储器单元阵列施加多个禁止电压，其中，所述多个禁止电压中的每个禁止电压具有随机设置的电平。11.根据权利要求1所述的操作方法，其中，偏置控制电压的施加步骤包括向存储器单元阵列施加多个禁止电压，其中，所述多个禁止电压中的每个禁止电压具有按照存储器操作设置的电平。12.根据权利要求1所述的操作方法，其中，存储器单元阵列包括多个存储器单元区， 漏电流的测量步骤包括测量所述多个存储器单元区中的每个存储器单元区的漏电流，以产生所述多个存储器单元区中的每个存储器单元区的测量结果， 基于测量结果来产生控制信号的步骤包括分别基于所述多个存储器单元区中的每个存储器单元区的测量结果来产生多个控制信号， 偏置控制电压包括多个禁止电压，调节偏置控制电压的电平的步骤包括分别响应于所述多个控制信号中的对应的控制信号来调节所述多个禁止电压的电平。13.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述存储器单元阵列包括字线和位线， 偏置控制信号包括第一禁止电压和第二禁止电压，其中，被提供到至少一条字线的第一禁止电压的电平是响应于控制信号来调节的，被提供到至少一条位线的第二禁止电压的电平是响应于控制信号来调节的。14.一种操作电阻型存储器装置的方法，所述方法包括下述步骤: 向选择的字线施加第一偏置控制电压并且向未选择的字线施加第一禁止电压； 向选择的位线施加第二偏置控制电压并且向未选择的位线施加第二禁止电压； 经由与存储器单元连接的字线和位线中的至少一种来测量与所述存储器单元关联的漏电流，以产生测量结果； 响应于测量结果来调节第一禁止电压和第二禁止电压中的至少一个的电平。15.根据权利要求14所述的方法，其中，漏电流的测量步骤包括借助至少两条字线来测量漏电流，使得借助所述至少两条字线之中的一条字线来测量正向漏电流，借助所述至少两条字线中的另一条字线来测量反向漏电流。16.根据权利要求14所述的方法，其中，漏电流的测量步骤包括借助至少两条位线来测量漏电流，使得借助所述至少两条位线之中的一条位线来测量正向漏电流，借助所述至少两条位线中的另一条位线测量来反向漏电流。17.根据权利要求14所述的方法，其中，漏电流的测量步骤包括测量正向漏电流和反向漏电流， 响应于测量结果调节第一禁止电压和第二禁止电压中的所述至少一个的电平的步骤包括当正向漏电流增大时增大第一禁止电压的电平，当反向漏电流增大时增大第二禁止电压的电平。18.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括: 接收请求存储器操作的命令，其中，根据被请求的存储器操作的类型，响应于测量结果来按不同方式调节第一禁止电压和第二禁止电压的各个电平。19.一种电阻型存储器装置，包括: 存储器单元阵列，包括字线和位线； 电力发生器，产生被施加到存储器单元阵列的至少一个禁止电压； 测量和分析单元，连接到字线和位线中的至少一条，以测量存储器单元阵列中出现的漏电流，从而产生调节所述至少一个禁止电压的相应电平的控制信号。20.根据权利要求19所述的电阻型存储器装置，所述电阻型存储器装置还包括: 控制逻辑器，控制相对于存储器单元阵列的读/写操作， 其中，控制逻辑器响应于测量和分析单元产生的控制信号，控制电力发生器以调节所述至少一个禁止电压的所述相应电平。
【专利摘要】提供了一种电阻型存储器装置和一种电阻型存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压；测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果；基于测量结果来产生控制信号；响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。
【IPC分类】G11C13/00
【公开号】CN105244055
【申请号】CN201510394397
【发明人】朴贤国, 李永宅, 边大锡, 李镕圭, 权孝珍
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年7月7日
【公告号】US20160005463