磁记录介质及其制造方法和成膜装置的制造方法
【专利说明】磁巧录介质及其制造方法和成膜装置
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年3月31日申请的日本专利申请JP2014-074954的优先权，通 过引用已将其全部内容并入本文。
技术领域
[0003] 本发明设及一种在弹性基材上设置层叠膜的磁记录介质及其制造方法，W及用于 生产所述层叠膜的成膜装置。
【背景技术】
[0004] 近年来，由于社会信息技术的发展、图书馆和国家档案馆等的电子化趋势、W及商 务文件的长期保管，对于增加数据存储磁带的记录密度的需求在不断增长。
[0005] 作为现有的用于制造高记录密度磁带的方法，已经提出了一种方法；在移动带状 弹性基材的同时，利用瓣射法、蒸锻法等方法在基材上形成层叠膜。日本未审专利申请公开 号2006-286115 (参见[0013]和[005引段）、日本未审专利申请公开号2005-353191 (参 见[0031]段）和日本未审专利申请公开号07-110939(参见[0016]段）中描述了；在该 种制造方法中，在弹性基材上形成层叠膜之前，执行基材的脱气处理（例如，参考日本未审 专利申请公开号2006-286115 (参见参见[0013]和[005引段）、日本未审专利申请公开号 2005-35319U参见[0031]段）和日本未审专利申请公开号07-110939(参见[0016]段））。
[0006] 因此，期望提供一种具有优秀可靠性的磁记录介质及其制造方法、W及用于生产 所述层叠膜的成膜装置。
【发明内容】
[0007] 根据本发明的一个实施方式，提供一种磁记录介质，包括弹性基材和层叠膜，其中 在所述基材的纵长方向上的整个300m区段内，磁特性的变化在±10%W内。
[000引根据本发明的另一实施方式，提供一种成膜装置，包括用于移动带状的弹性基材 的旋转体，与所述旋转体的旋转表面相对设置的多个阴极，W及分别容纳所述多个阴极中 的每个阴极的多个容纳部。
[0009] 根据本发明的再一实施方式，提供一种用于制造磁记录介质的方法，包括在移动 带状的弹性基材的同时，利用所述基材的移动路径上设置的多个阴极，在所述基材上顺序 地形成多个薄膜，其中，所述多个阴极中的每个阴极被分别容纳在多个容纳部中。
[0010] 如上所述，根据本发明，可W实现具有优秀可靠性的磁记录介质。
【附图说明】
[0011] 图1为示意性地显示根据本发明的一个实施方式的磁记录介质的典型构成的横 截面图；
[0012] 图2为显示用于制造根据本发明的一个实施方式的磁记录介质的瓣射装置的典 型构成的示意图；
[0013] 图3A为显不阴极容纳室在加热处理之前的状态的不意图，图3B为显不阴极容纳 室在加热处理期间的状态的示意图，图3C为显示阴极容纳室在冷却处理期间的状态的示 意图。
[0014] 图4为示意性地显示根据本发明的一个实施方式的变型例1的磁记录介质的典型 构成的横截面图；
[0015] 图5为示意性地显示根据本发明的一个实施方式的变型例2的磁记录介质的典型 构成的横截面图；
[0016] 图6A为显示阴极容纳室的内壁面温度与阴极容纳室内的水蒸气压力之间的关系 的示意图，图6B为显示阴极容纳室内的水蒸气压力与磁带矫顽力之间的关系的示意图；
[0017] 图7A为显示瓣射放电时间与阴极容纳室的内壁面温度之间的关系的示意图，图 7B为显示瓣射放电时间与磁带矫顽力之间的关系的示意图；
[001引图8A为显示瓣射成膜长度与容纳室内的水蒸气压力之间的关系的示意图，图8B为显示瓣射成膜长度与磁带矫顽力之间的关系的示意图；
[0019] 图9A为显示瓣射成膜长度与磁带矩形比之间的关系的示意图，图9B为显示瓣射 成膜长度与磁带的磁记录层的取向性强度A0g。之间的关系的示意图。
【具体实施方式】
[0020] 在本发明中，层叠膜优选包括下涂层和垂直记录层，更优选包括中间层、软磁性层 和CAP层中的至少一层。
[0021] 在本发明中，下涂层、中间层和垂直记录层中的每一层都可W是单层结构和多层 结构中的任一种。从进一步改善磁记录介质的磁特性和/或记录和播放特性的观点而言， 优选采用多层结构。当考虑制造效率的时候，优选采用具有两层结构的多层结构。
[0022] 在本发明中，磁记录介质优选在基材与下涂层之间、或在下涂层与中间层之间还 具有软磁性层。单层结构或多层结构都可被用作软磁性层的结构；但是，从改善记录和播放 特性的观点而言，优选使用多层结构。优选的是，具有多层结构的软磁性层具有第一软磁性 层、中间层和第二软磁性层，其中在第一软磁性层和第二软磁性层之间设置中间层。在磁记 录介质还具有软磁性层的情形中，优选的是，在软磁性层和下涂层之间设置下涂层。
[0023] 在本发明中，优选在基材表面上设置下涂层，该下涂层具有非结晶态并包括含有 Ti和化的合金。由此，可W抑制在基材表面上吸收的〇2气体、H20等对中间层和/或记录 层所产生的影响，并可W改善基材表面的平滑度。
[0024] 将按W下顺序描述本发明的实施方式。
[0025] 1.磁记录介质的构成
[0026] 2.瓣射装置的构成
[0027] 3.制造磁记录介质的方法 [002引 4.效果
[0029]5.变型例
[0030]1.磁记录介质的构成
[0031] 如图1所示，根据本发明的一个实施方式的磁记录介质是所谓的单层垂直磁记录 介质，并具有基材11和层叠膜10。层叠膜10具有位于基材11表面上的下涂层12,位于下 涂层12表面上的中间层13,W及位于中间层13表面上的磁记录层14。根据需要，层叠膜 10还可具有位于磁记录层14表面上的保护层15和位于保护层15表面上的上涂层16。
[0032] 利用物理沉积法形成下涂层12、中间层13和磁记录层14。从生产性等的观点而 言，优选采用瓣射法作为所述物理沉积法。在此，在本说明书中，不具有软磁性底层的记录 介质被称为"单层垂直磁记录介质"，而具有软磁性底层的记录介质被称为"双层垂直磁记 录介质"。
[0033] 磁记录介质适合用作用于数据存档的存储介质，未来对于该种用于数据存档的存 储介质的需求预计将越来越大。举例来说，磁记录介质能够实现十倍于现有的涂覆型磁带 存储能力的表面记录密度，即50Gb/in2的表面记录密度。在利用具有如此表面记录密度的 磁记录介质构成普通线性记录型数据磁盘的情况下，可W在数据磁盘的每一卷中记录50TB 或W上的大容量。磁记录介质还适用于使用环形记录磁头和巨磁阻（GMR)型播放磁头的记 录和播放装置。
[0034] 在基材11的纵长方向上的整个300m区段内，磁特性的变化在±10%W内，优选 为±5%W内。通过使磁特性的变化在±10%W内，可W保持特性稳定，并可W获得具有优 秀可靠性的磁记录介质。在此，磁特性是磁记录层14的保持力He、矩形比Rs和取向性强 度A05。中的至少一种特性，优选为包括所有该些特性。在此，通过采用锁定曲线法，在磁 记录介质的X射线衍射峰中测量磁记录层14中包含的磁性原子的衍射峰，来获得取向性强 度A目50。
[00对基材
[0036] 作为支撑体的基材11例如是长膜，并具有表面，该表面具有纵长方向（MD方向） 和短边方向（TD方向）。优选采用弹性非磁性基材作为基材11。举例来说，可W将用于常 规磁记录介质的弹性聚合树脂材料用作非磁性基材的材料。该种聚合材料的具体示例包括 聚醋，聚締姪，纤维素衍生物，己締基树脂，聚酷亚胺，聚酷胺，聚碳酸醋等。
[0037] 下涂层
[003引在基材11和中间层13之间设置下涂层12。优选的是，下涂层12包括含有Ti和 化的合金并具有非结晶态。此外，合金中还可含有氧（0)。所述氧是当采用瓣射法该样的 成膜法形成下涂层12时W少量包含于下涂层12内的渗杂氧。在此，"合金"表示含有Ti和 &的固溶体、共晶体、金属互化物等中的至少一种，"非结晶态"表示采用电子衍射法观察到 晕轮，并且可W不特别规定晶体结构。
[0039] 包括含有Ti和&的合金并具有非结晶态的下涂层12具有W下效果：抑制基材11 所吸收的〇2气体或H20的影响，并通过缓和基材11表面的不平坦性而在基材11的表面上 形成金属平滑表面。由于存在该种效果，中间层13的垂直取向性被增强。在此，当下涂层 12的状态为结晶态时，与结晶生长相伴随的柱体形状明显，基材11表面的不平坦性增大， 因此中间层13的结晶取向性恶化。
[0040] 下涂层12中包含的氧做相对于Ti、化和0的总量的比率优选为15原子百分比 (at% )或W下，更优选为10原子百分比或W下。当氧的比率超过15原子百分比时，会产 生Ti〇2晶体，因此中间层13的取向性会严重下降，从而对下涂层12表面上所形成的中间 层13的晶核成形产生影响。
[0041] 下涂层12所包含的Ti相对于Ti和&的总量的比率优选为在30原子百分比或 W上至100原子百分比或W下的范围内，更优选为在50原子百分比或W上至100原子百分 比或W下的范围内。当Ti的比率小于30%时，化的体屯、立方晶格化CC)结构的（100)表 面被取向，下涂层12的表面上所形成