预测地没有致使不利的带的转向。另外，当模块的定向的角度大于规定的 范围内时，区分带侧向膨胀和/或收缩与歪斜更加困难。该可能导致对当前操作的带的尺 度条件和/或模块的定向与之前的操作的尺度条件和/或模块的定向（下文进一步详细解 释）进行匹配时的困难。也应当注意的是，图10A中说明的定向的角度巧是夸大的（例如 大于期望的范围内），并且没有意图限制发明。
[0102] 另外，在图10A中，每一个阵列1006、1008被说明为分别包括伺服换能器1032、 1034。根据优选实施例，伺服换能器1032U034的每一个和最接近的换能器对1030的数据 换能器1010之间的中屯、到中屯、的距离di、d2优选为相同的。然而，在其他实施例中，例如伺 服换能器1032U034可W从最接近的数据换能器不同地间隔开，导致针对各距离di、d2的不 同的值。
[0103] 根据其他实施例，每一个阵列1006U008可W包括至少一对伺服换能器，其中给 定的对可W被定位于换能器的阵列的一侧。见图12中描绘的系统1200的示例性实施例，换 能器对1030的两个阵列1006、1008分别包括伺服换能器1206和1208、1210和1212的对 1202、1204。根据优选实施例，伺服换能器的每一个从说明的换能器对1030的换能器1010 的各自的一个大致相同地间隔开。换言之，伺服换能器1206的一个与换能器对1030的换 能器1010的更靠近的一个之间的距离ds和伺服换能器1208的另一个与换能器对1030的 换能器1010的更靠近的一个之间的距离d4大致相同。此外，伺服换能器1210的一个与换 能器对1030的换能器1010的更靠近的一个之间的距离屯和伺服换能器1212的另一个与 换能器对1030的换能器1010的更靠近的一个之间的距离de大致相同。在示例性实施例 中，距离ds等于距离d5,并且距离d4等于距离d6。
[0104] 另外，对1202U204的每一个的伺服换能器1206和1208U210和1212之间可W 分别具有间隔（偏移），该间隔等于阵列1006U008中的每一个换能器对中的换能器之间的 偏移。因此，伺服换能器的对的每一个之间的间隔可W至少近似为4微米，但是取决于期望 的实施例可W更高或更低。然而，在其他实施例中，伺服换能器的对的每一个之间的间隔可 W与换能器对1030的换能器1010U011之间的间隔不同。
[01化]取决于实施例，伺服换能器的对的每一个中的伺服换能器可W是共面的，例如成 对的伺服换能器的每一个可W是在形成伺服换能器的相同的沉积处理中形成的。另外，在 另外的实施例中，伺服换能器的对的每一个中的伺服换能器可W沿着各自的轴1012U013 与相关的阵列的第一换能器1010大致对齐。换言之，伺服读取器优选地在与数据读取器 相同的沉积的平面中，并且具有与相同的阵列内的换能器对的第一和第二换能器1010、 1011 (例如读取器和写入器）之间的偏移相等的伺服换能器的对内的间隔。
[0106] 取决于实施例，伺服读取器可W可选地由普通的中屯、硬偏磁（centralhardbias magnet)构成，并且可W可选地具有共同的磁屏蔽（例如参见图llA)，但是不限于此。因 此，在一个实施例中，伺服换能器可W共享例如本领域已知的类型的共同的纵向偏置材料 (long;Uudinalbiasmaterial)。然而，如下文将详细描述的，在其他实施例中，可W使用 分离的硬偏磁和/或磁屏蔽来形成伺服读取器（例如参见图11B)。
[0107] 由此可见，在一些实施例中，模块1002、1004的每一个可W具有大约同样的构造。 换言之，除了在制造期间产生的处理变化，模块1002U004可W具有同样的构造和设计。本 领域技术人员通过获悉本说明书，将理解如何使已知的处理适应于执行本文列出的各种步 骤。
[010引模块可W来源于相同的晶片。该样的共同制造的优点是读取器/写入器对之间的 偏移对于两个模块是相同的，从而产生带上的更精确的轨道放置。参考图10B，当模块来源 于相同的晶片时，在每一个模块上偏移Q将是相同的。
[0109] 另外，具有大约同样的构造的核屯、优点是换能器对的每一个内的换能器之间的偏 移内建于晶片中，具有比用任何常规的方法可能具有的精度高得多的精度。此外，由于给定 实施例的阵列的任何一个的读取器/写入器对从相同的晶片形成，因此该使得能够达到高 面密度，同时保持与本文的各种实施例相关的制造成本远低于常规产品的制造成本。
[0110] 在装置的装配期间，根据一个实施例，因为偏移内建在晶片级，所W例如模块优选 地对齐，而相对的模块上的读取器之间没有偏移。参见例如图12中的对齐的读取器。
[0111] 现在参考图10D，装置1000包括用于对模块定向的机构1014(例如带尺度不稳定 性补偿机构），W控制呈现到带的换能器间距。带尺度不稳定性补偿机构1014优选地允许 在模块正在进行读和/或写的同时进行模块的定向。带尺度不稳定性补偿机构1014可W 是适合对模块定向的任何已知的机构。说明性的带尺度不稳定性补偿机构1014包括蜗杆、 音圈致动器、热制动器、压电制动器等。
[0112] 一个实施例中的控制器1016被配置为基于带的读回信号（例如伺服信号、数据 信号、二者的组合等）来控制带尺度不稳定性补偿机构1014。因此，在一个实施例中，控制 器1016可W被配置为基于带的歪斜来控制用于对模块定向的机构1014。在另一个实施例 中，可W从例如数据库、盒式存储器等中检索带的尺度条件和/或带被写入时的模块的定 向，并且可w基于此来设定定向w对当前操作的换能器间距与之前的操作的换能器间距进 行大约匹配。
[0113] 在各种实施例中，附加的逻辑、计算机代码、命令等或它们的组合可W被用于基于 带的歪斜来控制用于调节模块的定向的带尺度不稳定性补偿机构1014。另外，取决于期望 的实施例，本文描述和/或建议的任何实施例可W与各种功能的方法组合。
[0114] 图10E描绘图10A中示出的装置的变化，并且在该两幅图中相同的元件编号相同。 再次参考图10E，应当注意的是，换能器对1030可W包括参考图10A-10B的换能器对1010、 1011在上文描述的任何设计。
[0115] 根据描绘的实施例，装置1000包括在模块的带支承面之间延伸的间隔器部件 1050。间隔器部件1050可W从带支承面的平面凹陷，但是优选地与带支承面共面和/或W 其他方式形成头的全部带支承面的一部分。
[0116] 在一个实施例中，间隔器部件1050包括磁屏蔽1052,用于对换能器对1030的第二 阵列1008磁屏蔽换能器对1030的第一阵列1006。该样的磁屏蔽1052可W由本领域已知 的任何合适的材料（例如NiFe、Co化等）形成。
[0117] 根据一个实施例，磁屏蔽1052可W在高度方向上从带支承面或其下方的某点延 伸（进入带支承面），优选地延伸提供期望的屏蔽效果的距离。例如，屏蔽1052可W具有与 换能器的屏蔽的高度类似的高度。因此，取决于实施例，屏蔽1052的尺度可W被更改（例 如调整）W达到针对装置1000的全部功能的期望的效果。
[011引图10F描绘装置1040的替代实施例，类似于图10D的装置，但是具有模块的两个 组1042、1044。虽然每一个组1042、1044被说明为具有两个模块1002、1004,但是根据其他 实施例，每一个组1042、1044可W包括至少两个模块，例如，组的一个或两个可W包括多于 两个模块。另外，例如模块的每一个组1042U044优选地是独立地可定向的，W设定定向的 角度。根据另外的实施例，模块的每一个组也可W独立地可定位用于轨道跟随。
[0119] 如说明的，模块的组1042U044禪合到控制器1016W及机构1014。根据优选实施 例，取决于期望的实施例，控制器1016和/或机构1014可W被用来例如统一地或单独地定 位模块的两个组。另外，控制器1016和/或机构1014可W包括参考图10C在上文描述的 任何实施例。
[0120] 仍然参考图10F，根据一个实施例，模块的每一个组1042、1044的外部模块可W被 配置用于写，而每一个组1042U044的内部模块可W被配置用于读。因此，在一个说明性的 使用情况下，模块的一个组的外部模块上的写入器可W进行写，同时模块的第二组的内部 模块的读取器可W读回刚写入的轨道。在另一个说明性的使用的情况下，模块的一个组的 外部模块上的写入器可W进行写，同时模块的相同的组的内部模块的读取器可W读回刚写 入的轨道。
[012U 现在参考图11A-11B，根据一个实施例描绘具有换能器对的伺服读取器1100。作 为选项，本伺服读取器1100可W与来自本文列出的任何其他实施例的特征结合而实现，例 如那些参考其他图来描述的。然而，当然，本文呈现的伺服读取器1100和其他伺服读取器 可W被用于各种应用和/或变换，该各种应用和/或变换可W或可W不在本文列出的说明 性的实施例中被具体描述。另外，本文呈现的伺服读取器1100可W被用于任何期望的环 境。因此图11A-11B(W及其他图）应当被认为包括任何和所有可能的变换。
[0122] 见图IIA-IIB，伺服读取器1100包括底部屏蔽1102,在其上方说明了根据如将 马上变得清楚的两个不同的设计的两个传感器堆（stack)。然而，如本领域技术人员通过 阅读本说明书将理解的，通过继续参考该两幅图11A-11B，传感器堆的每一个具有反铁磁 (AFM)层1104、参考层1106、间隔层1108、自由层1110、盖层（caplayer) 1112W及顶部屏 蔽1114。伺服读取器1100例如还包括绝缘层1116和偏置层1118,该偏置层1118可W包 括本领域已知的类型的任何常规偏置材料。
[0123] 现在参考图11A，伺服读取器1100示出为具有普通中屯、偏置层1118W及用于换能 器对的共同磁底部和顶部屏蔽层11〇2、1114。然而，见图11B，根据不同的实施例，伺服读取 器1100被绘制为包括用于换能器传感器堆的每一个的分离的屏蔽层1102U114W及绝缘 层1116。因此，取决于实施例，具有换能器对的伺服读取器可W包含共同或独特的（例如单 独的）中屯、偏置层、磁底部屏蔽和/或磁顶部屏蔽。
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