具有三维通信接口的电子模块的利记博彩app

文档序号:8476735阅读:525来源:国知局
具有三维通信接口的电子模块的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电子模块,其包括被连接到尤其是具有射频天线的三维通信接口的集成电路芯片。
[0002]本发明尤其涉及电子媒介的领域,诸如具有接触和/或没有接触的芯片卡、或混合卡、射频票券或标签、射频发射应答器、集成或构成这样的模块的插入物(或嵌入物)。
[0003]这样的电子媒介可以尤其符合ISO/IEC 14443或ISO 78016标准。
[0004]在优选的应用中,模块可以是混合类型的,其具有:具有电接触和具有射频天线的接口。本发明的模块可以仅仅是具有天线的模块。其还可以包括无源或中继(relais)天线,以用于增大射频通信的范围。无源天线和/或模块可以优选地被置于芯片卡的主体中,而且还有任何其它的设备中,例如以可移动或接合形式的电话。
【背景技术】
[0005]已知通过与权利要求1的前序相对应的步骤来制造芯片卡的模块。这样的模块在专利FR 2743649 BI中进行了描述。平面螺旋类型的天线被实现在绝缘基底的一面上,而另一面可以包括具有电接触的接口。
[0006]文档DE-A-43 11 493描述了用于制造以卡的格式的标识单元的组装单元。根据第一实施例,芯片卡的模块包括支撑(support),所述支撑承载了集成电路芯片。有线线圈置于芯片之上,在具有接触的模块的后方,以使得给予模块没有接触的标识能力。天线很可能地被实现在(卷绕在)模块的外部,然后被联系在其上。天线的表面非常有限并且并不看似使得能够实现大范围的通信。有线的天线、其转移(report)和其连接的实施没有被解释并且并不看似容易。
[0007]抟术问题。
[0008]如在专利FR 2 743 649中描述的标准双面类型的模块或基底,在其相对的两面上承载了具有接触和具有天线的通信接口并且具有互连的导体通路,是复杂的并且实现起来是繁重的。
[0009]此外,为了最优的性能,每个射频芯片需要特定设计的天线和因此的专用于其的特定双面基底。有必要为每个芯片开发不同的双面基底,并且因此不同模块或基底的储备要根据每个芯片来管理。
[0010]本发明的目的是减少制造的成本或步骤,而同时使得能够实现用于根据可用芯片来调整射频通信范围的灵活性。

【发明内容】

[0011]本发明在于向可以是单面或双面的标准模块添加天线或螺旋圈。优选地,附加的螺旋圈通过导体材料的印刷、材料的喷射等等被添加。
[0012]本发明的目的因此在于一种电子模块(16)的制造方法,所述电子模块(16)包括连至天线的集成电路芯片,所述方法包括以下步骤: -实现一种模块,其包括电互连区、连接到互连区的芯片和至少覆盖芯片和部分地覆盖所述互连区的保护物、连至芯片并且被布置在芯片之上的射频天线;
所述方法的不同之处在于,其包括这样的步骤:将天线的全部或部分或者其到互连区的连结轨迹(piste)以三维直接实现在保护物上。
[0013]根据值得注意的其它特征:
-天线通过材料的印刷、尤其是喷射(导体墨的喷射)而被实现;
-天线部分地在保护物(尤其是涂层的材料)上以第一水平伸展并且部分地在保护物的至少一个侧面上伸展直到位于与第一水平不同的第二水平处的互连区段(plage)/轨迹;
-互连轨迹连至被布置在绝缘基底上的补充的天线螺旋圈;
-轨迹被连至三维天线或者构成对三维天线进行补充的天线螺旋圈;
-三维天线尤其是相对于至少部分地被包含在涂层材料中的发射应答器而构成中继天线;
本发明的目的还在于包括或构成根据所述方法所获得的模块的射频设备。
【附图说明】
[0014]-图1-2图示了分别通过俯视图和按照A-A的剖视图的现有技术的芯片卡的模块;
-图3是根据本发明的模块的俯视图;
-图4是图3的部分剖视图;
-图5是基本上如图3但是图示了另一实施例的部分剖视图,所述另一实施例具有金属化的双面模块以及具有补充的螺旋圈。
【具体实施方式】
[0015]在附图中,相同的参考标记指示等同或类似的元件。
[0016]图1图示了通过俯视图和通过A-A剖面图的现有技术的集成电路芯片卡的模块I。其包括在介电或绝缘(尤其是LFCC (层压的引线框)类型的或蚀刻类型的)支撑3上的天线2、转移在绝缘支撑上或接触区段上的至少一个集成电路芯片7。由螺旋圈26形成的天线2此处在支撑上并且基本上在相同平面中被卷成螺旋形。
[0017]模块还包括连接15,以用于通过焊接的线而将芯片接点连接到由支撑所承载的互连区(尤其是电接触的导体轨迹或区段);模块包括通过以滴的形式而沉积的涂层树脂的芯片和/或其连接的涂层(未表示)。芯片的连接通过穿过支撑中的穿孔23的有线连接而实现。
[0018]在图3中,本发明预备了电子模块16的制造方法,所述电子模块16包括集成电路芯片7,所述集成电路芯片7连至由螺旋形的螺旋圈4所形成的天线2。
[0019]所述方法预备实现模块16的第一步骤,所述模块16包括电互连区26 (区段/轨迹)、连接到互连区的芯片7和机械保护物12,所述机械保护物12至少覆盖芯片和部分地覆盖所述互连区。
[0020]互连区可以构成或形成由模块所承载的电轨迹或区段的部分。绝缘基底此处在本示例中在与保护物相对的外面上承载了电接触区段26。互连区此处形成这些区段的部分。其穿过基底3中的挖空部分而显现。
[0021]保护物是机械类型的并且尤其可以包括或构成罩,“坝和填充(dam and fill)”类型的树脂,尤其是UV硬化的并且呈现树脂环以及通过另一树脂对环的填充。保护物可以包括被布置在涂层上的绝缘圆片(pastille)。
[0022]为了获得螺旋圈或轨迹的最佳形式,优选的封装方法可以是顶上置有加强的平坦圆片的树脂滴或复制模型(surmoulage),以便获得平坦的顶峰。然而,三维3D印刷使得能够在标准顶峰上形成天线,所述顶峰以圆顶、通过树脂来填充环(坝&填充)的类型的树脂滴或者保护物/封装的形式。
[0023]在本示例中,通过涂层12而获得机械保护,所述涂层12优选地通过以下而获得:通过复制模型和/或以使得具有基本上平面的S涂层的上表面。
[0024]为了使得能够实现天线2与互连区的连接,保护物的倾斜角可以被正确地限定。利用复制模型,该参数由模型的形式来限定。
[0025]根据方法的第二步骤,实现一种射频天线2,其连至芯片和布置在芯片之上(与接触区段相对),这根据图3的坐标系XYZ中的Y,以使得具有在天线2和接触区段26之间的芯片。
[0026]根据该实施例的特性,所述方法包括一个步骤,其将三维天线(2)的全部或部分或者其到互连区34A、34B的连结轨迹(32)直接实现在芯片7的保护物12上。
[0027]通过三维天线2 (以三维的),理解到以下事实:在根据垂直于接触区段的纵坐标Y的若干水平N1、N2上实现天线的全部或部分,这优选地通过导体材料的印刷或分布,尤其是通过连续喷射的喷墨头的喷嘴或开口或者通过根据压电、热学技术的按需滴注,又或通过阀。
[0028]天线的一部分可以直接实现在模块上(例如通过喷溅,而一部分可以被联系(例如在圆片或罩上))。
[0029]在本示例中,天线2部分地在保护物12的材料上以第一水平NI伸展,并且部分地伸展在保护物材料的至少一个侧面上直到互连区段/轨迹34A、34B,其位于按照高程差h而不同于第一水平的第二水平N2处。
[0030]在极端水平N1、N2之间的差(或高程差h)例如被包括在0.2和0.6mm之间。在图3的实施例中,该高程差在现实中将可以是0.55mm(针对0.58mm厚度的模块减去大约为0.030mm的接触面的铜制金属化厚度)。并且在图5的实施例中,该高程差在现实中将可以是0.38mm (针对0.58mm厚度的模块减去大约0.2mm的双面膜的厚度)。
[0031]仍然在图3上,在本示例中,天线2的螺旋圈4被实现在保护物12的涂层的平坦顶峰(S)上并且天线的连结轨迹伸展在涂层(或涂层的侧面)的横向斜面上,直到天线的互连区/区段/轨迹34A、34B、26。然而,顶峰(S)可以不是平坦的,诸如圆形部分或以火山口的形式。
[0032]天线的互连区34A、34B在此通过位于模块的接触区段(诸如区段26)的反面的表面的一部分实现。该部分通过支撑膜3中的开口或穿孔可到达。
[0033]芯片连接到接触区段/互连区,这通过支撑膜3中的开口 /穿孔23。这尤其避免具有双面类型(双金属化)的支撑膜。
[0034]模块的外侧/外观侧此处仍然是不变的,于是使得能够保留良好的外形并且具有良好的机械/侵蚀抗性。“引线框”裸露模块是传统/标准类型的。
[0035]接触部是通过冲压和轧制在介电基底上的铜或铜片材的蚀刻形成的。接触部通过Ni/Cu、Ni/Au或Ni/Pd或无论什么等同物类型的表面涂层而被处理。
[0036]于是,根据该实施例的发明在于向芯片的保护物上的单面标准模块添加天线或螺旋圈。所述方法因此预备预先借助于标准操作(尤其是通过焊接线的连接15)实现芯片的传统连接和转移、尤其通过涂层(树脂滴或必要时顶上置有绝缘圆片/加固件的树脂滴)或复制模型或罩或等同物实现芯片的保护物。
[0037]根据该实施例的特征,天线的实现通过印刷,尤其是材料的喷射、导体墨的喷射,必要时通过丝网印刷、移印(tampographie)在平面部分(S)上,可能地通过材料的喷射来补充,以用于到互连区34A、34B的联结。印刷优选地是三维类型的以用于在表面的不同水平上实现图案。
[0038]必要时,可以使用印刷墨,其包括导体微粒。其可以包括絮状物或纳米微粒。导体微粒可以包括不同的金属:Ag、Cu、Au、Al、Ni。
[0039]在印刷之后,墨可以被干燥以用于消除全部溶剂并且然后被聚合化。该硬化步骤使得能够达成最佳的电导率值。在纳米微粒的情况下,所选的方法使得微粒能够达到烧结。这凭借红外炉、热空气隧道、微波处理或脉冲光系统而是可能的。
[0040]为了获得所期望的电导率和机械抗性,印刷和干燥操作可以被应用若干次以用于增大厚度。
[0041 ] 如此形成的天
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