一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多功能传感器测量技术领域，具体涉及一种基于碳化硅薄膜结构的压力、振动和温度的多功能传感器。
【背景技术】
[0002]当前工业的发展对耐高温的压力、振动传感器的需求越来越大。普通硅器件难以在200°C以上的环境中可靠工作。碳化硅器件具有高熔点、较好的热稳定性，可承受高温，是高温器件的理想材料。
[0003]在油气开采设备、蒸汽轮机、燃煤锅炉等装备中，温度、压力和振动是三个非常重要的环境参数。实时准确地掌握上述参数对生产效率、安全生产具有重要的意义。现有的传感器大多只能测量其中某一个参数，为获得三个参数需要三个传感器，可能存在放置传感器的空间不够，传感器只能得到所在位置的数据，若环境参数在空间上存在较大的梯度变化，则带来一定的误差。
【发明内容】
[0004]为了解决上述出现的技术问题，本实用新型提供一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器，其包括硅膜、硅基、碳化硅薄膜和铂电阻器，其中碳化硅薄膜由硅膜和硅基(密封在一个真空腔内，碳化硅薄膜由四根折叠梁支撑，碳化硅薄膜的上下表面各制备一层金电极，碳化娃薄膜的上金电极与娃膜形成上电容，碳化娃薄膜的下金电极与娃基形成下电容，在基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器内部还设有电容测量电路，在硅膜(I)的支撑位置处设有温度传感器。
[0005]优选的是，所述多功能传感器工作在闭环模式下:当硅膜无压力无振动时，碳化硅薄膜位于硅膜与硅基的中间位置；当硅膜受到外界压力，向下弯曲时，硅膜与碳化硅薄膜之间距离减小导致上电容增大而下电容不变，电容测量电路检测到两者容值差别变化，对硅基和碳化娃薄膜的下金电极之间施加电压，迫使碳化娃薄膜产生位移，改变其与娃膜、娃基的位置，使得上下电容重新相等，其中，电容测量电路施加的电压随着硅膜所受压力增加而增大，因此测量电压的大小即可获得压力值。
[0006]优选的是，所述多功能传感器遇到垂直方向的振动时，碳化硅薄膜的上下位置发生变化，而硅膜位置不变，上下电容发生各自相反的变化，由此识别振动还是压力。
[0007]优选的是，所述电容测量电路优先为RC振荡电路，由电容变化改变方波的频率值，通过测量其频率值得到电容值。
[0008]优选的是，四根折叠梁为一种带环形结构图案而形成一种带弹性的碳化硅薄膜。
[0009]优选的是，所述的碳化硅薄膜(3)是一种使用化学气相沉积(CVD)工艺沉积而得的碳化硅薄膜。
[0010]优选的是，所述碳化硅薄膜为具有立方结构的β-碳化硅薄膜，电阻率大于15 Ω.cm。
[0011]优选的是，所述上下金电极可使用热蒸发、磁控溅射工艺制备。
[0012]优选的是，在硅膜的支撑位置处设有温度传感器。
[0013]本实用新型一种多功能传感器的制造方法，其步骤如下:
[0014](I)在一块硅基(2)表面使用磁控溅射制备一层金膜，然后使用化学气相沉积(CVD)沉积一层β相碳化硅薄膜(3)，再使用磁控溅射制备一层金膜；使用光刻工艺制备一个聚合物光刻胶的漏板图案；使用等离子刻蚀工艺依次刻蚀掉金、碳化硅、金，得到碳化硅微结构图案；使用等离子刻蚀工艺刻蚀碳化硅下方的硅基，刻蚀深度12μπι，得到硅基(2)与碳化硅薄膜(3);
[0015](2)使用旋涂工艺在另一块硅基(2)表面沉积一层I ym厚的光刻胶；使用曝光显影技术，去除部分区域的光刻胶，得到铂金属线条图案的形状，在该形状外部，器件表面被光刻胶覆盖，而在形状内部器件表面暴露出来；使用漏板掩盖器件上表面，仅露出该图案所在的区域；使用磁控溅射工艺在未被掩盖的区域沉积一层10nm厚的铂薄膜，在形状外部的铂薄膜沉积在光刻胶上，在形状内部的薄膜沉积在器件表面；将器件沉浸在三氯甲烷中20min，光刻胶被三氯甲烷溶解，光刻胶表面的铂薄膜脱落，只保留了形状内部的铂，从而得到铂金属线条图案。使用超声波压焊工艺，将直径50 μm的硅铝合金丝焊接在线条图案两端的电极上，再将合金丝的另一端焊接在外电路上，温度传感器制备完成；
[0016](3)将步骤二制得的硅基(2)的一面上沉积10 μπι的多晶硅薄膜；在另一面上使用光刻工艺，制备掩模，将硅基(2)表面的一部分区域露出，其他区域被掩盖；然后进行等离子刻蚀，硅基(2)露出的区域被完全刻蚀掉，露出另一面的多晶硅薄膜，得到硅膜(I);
[0017](4)在真空条件下，使用硅金共晶键合将步骤一制得硅基(2)与碳化硅薄膜(3)和步骤三制得的硅膜(I)与硅基(2)使用金硅共晶键合、共熔键合、静电键合、直接键合或焊烧键合在一起，得到整体器件。
[0018]本实用新型涉及的多功能传感器，不但原理简单，成本较低，更为重要的是能够实现温度、压力、振动三种环境量的同时测量。
【附图说明】
[0019]图1是本实用新型涉及的一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器的结构图；
[0020]图2是本实用新型涉及的一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器的压力测量示意图；
[0021]图3是本实用新型涉及的一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器的加速度测量示意图；
[0022]图4是本实用新型涉及的一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器的RC振荡电路电容测量电路；
[0023]图5是本实用新型涉及的一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器中碳化硅微结构示意图。
[0024]图中标识为:1硅膜、2硅基、3碳化硅薄膜、41上金电极、42下金电极、5温度传感器、6折叠梁.【具体实施方式】
[0025]下面将结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细的说明。
[0026]如图1所示，该实施例提供了一种基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器，其包括硅膜1、硅基2、碳化硅薄膜3和铂电阻器，其中碳化硅薄膜3由硅膜I和硅基2密封在一个真空腔内，碳化硅薄膜3由四根折叠梁6支撑，碳化硅薄膜3的上下表面各制备一层金电极。碳化娃薄膜的上金电极41与娃膜I形成上电容，碳化娃薄膜的下金电极42与娃基2形成下电容。在硅膜I的支撑位置处设有温度传感器5。此外，在基于碳化硅薄膜结构的多功能传感器内部还设有电容测量电路。其中，所述硅膜I为多晶硅，所述硅基2可选择的切向有100，111，110，001，所述上下金电极可使用热蒸发、磁控派射工艺制备，所述娃膜1、娃基2与碳化硅薄膜3使用金硅共晶键合、共熔键合、静电键合、直接键合或焊烧键合。
[0027]真空腔的大小无特别的要求，尺寸可以从100X100mm2到0.1X0.lmm2o
[0028]本实施例中的碳化硅薄膜3使用化学气相沉积(CVD)工艺沉积而得，其中的碳化硅微结构是使用半导体光刻工艺和等离子刻蚀工艺对碳化硅薄膜3加工而得，如图5所示，其四根折叠梁6为一种环形结构图案而形成一种带弹性的碳化硅薄膜，。
[0029]所述碳化硅薄膜3为具有立方结构的β -碳化硅薄膜，电阻率大于15 Ω.cm。
[0030]如图2、3所示，本实施例中的传感器工作在闭环模式下:当硅膜I无压力无振动时，碳化硅薄膜3位于硅膜I与硅基2的中间位置，如图2或图3中的a状态表示；当硅膜I受到外界压力，向下弯曲时，如图2中b状态表示，硅膜I与碳化硅薄膜3之间距离减小导致上电容增大而下电容不变，电容测量电路检测到两者容值差别变化，对硅基2和碳化硅薄膜3的下金电极之间施加某一个电压，迫使碳化硅薄膜3产生位移，改变其与硅膜1、硅基2的位置，使