本发明涉及测试方法技术领域，特别是涉及一种油气套管产品局部放电实验方法。
背景技术：
局部放电实验是变压器例行试验的一种，局部放电的含义及试验的目的如下：
1)局部放电是指高压电器中的绝缘介质在高电场强度作用下，发生在电极之间的未贯穿的放电。
2)局部放电试验的目的是发现设备结构和制造工艺的缺陷。例如：绝缘内部局部电场强度过高；金属部件有尖角；绝缘混入杂质或局部带有缺陷产品内部金属接地部件之间、导电体之间电气连接不良等，以便消除这些缺陷，防止局部放电对绝缘造成破坏。
带有油气套管的变压器在安装现场进行局部放电试验时，必须安装临时套管，采用临时套管引出，试验完毕后需将试验装置拆除才可以安装油气套管。此种方法步骤操作繁琐，影响测试和安装的效率。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种油气套管产品局部放电实验方法，解决测试操作步骤繁琐、测试效率低的问题，具有操作步骤简单、测试效率高的特点。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种油气套管产品局部放电实验方法，包括以下步骤（以测试高压C相放电量为例，其余高压A相和高压B相测试与本方法相同）：
1）变压器低压c相和高压中性点不连接，局部放电测试仪和高压C相油气套管末屏连接，方波发生器和高压中性点连接；
2）方波发生器对高压中性点注入方波，开启局部放电测试仪，采集高压C相油气套管末屏的放电量，并读取数值1；
3）将低压c相和高压中性点进行连接；
4）方波发生器对高压中性点注入和步骤2）中参数相同的方波；
5）局部放电测试仪对高压C相油气套管末屏放电量进行采集，并读取数值2；
6）通过两次读取高压C相油气套管末屏的放电量计算出高压C相在低压c相与高压中性点连接前后的放电衰减率；
7）低压b相和低压c相通入交流电，读取高压C相油气套管末屏放电量；
8）通过步骤7）中测得的高压C相油气套管末屏放电量和步骤6）中的衰减率计算出高压C相的真实放电量。
优选地，方波发生器发射方波的电量和频率可调。
优选地，变压器低压a、b、c三相和高压中性点的引出线用普通绝缘套管引出。
优选地，变压器高压A、B、C三相引出线用油气套管引出。
优选地，步骤1）-步骤6）中的测量前提为低压部分不通电。
优选地，方波发生器的型号为TWPD-02，具备放电量及频率调整功能。
优选地，局部放电测试仪的型号为TWPD-2E，具备四通道同时采集功能。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明通过设计油气套管产品局部放电实验方法，可以直接对带有油气套管的变压器进行局部放电测试，不在需要使用临时套管将高压相引出，省去了临时套管的安装和拆除工序，简化了测试的工序，提高了测试效率。
附图说明
图1是本发明的工作逻辑流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，为本发明一种油气套管产品局部放电实验方法的工作逻辑流程图，包括以下步骤（以测试高压C相放电量为例，其余高压A相和高压B相测试与本方法相同）：
1）变压器低压c相和高压中性点不连接，局部放电测试仪和高压C相油气套管末屏连接，方波发生器和高压中性点连接；
2）方波发生器对高压中性点注入方波，开启局部放电测试仪，采集高压C相油气套管末屏的放电量，并读取数值；
3）将低压c相和高压中性点进行连接；
4）方波发生器对高压中性点注入和步骤2）中参数相同的方波；
5）局部放电测试仪对高压C相油气套管末屏放电量进行采集，并读取数值；
6）通过两次读取高压C相油气套管末屏的放电量计算出高压C相的放电衰减率；
7）低压b相和低压c相通入交流电，读取高压C相油气套管末屏放电量；
8）通过步骤7）中测得的高压C相油气套管末屏放电量和步骤6）中的衰减率计算出高压C相的真实放电量。
方波发生器发射方波的电量和频率可调，根据实际情况的需要，可以更改对高压中性点注入方波的电量和频率。
变压器低压a、b、c三相和高压中性点的引出线用普通绝缘套管引出，既可以满足绝缘性能，同时节省材料，降低成本。
变压器高压A、B、C三相引出线用油气套管引出。
步骤1）-步骤6）中的测量前提为低压部分不通电。
方波发生器的型号为TWPD-02，具备放电量及频率调整功能。
局部放电测试仪的型号为TWPD-2E，具备四通道同时采集功能。
采用上述技术方案后，在低压部分不通电的情况下，分别在低压对应相和高压中性点连接前后注入相同参数的方波，并使用局部放电测试仪对高压相的油气套管末屏测试放电量，通过前后两侧读取的放电量值计算出衰减率，然后对低压部分通交流电，使用局部放电测试仪再次测试高压相油气套管末屏的放电量，并结合衰减率最终折算出高压相的真实放电量，通过此种方法，在测试过程中不再需要安装临时套管，精简了测试步骤，提高了测试效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。