一种大量程低误差CMOS温度传感器的利记博彩app

本发明属于温度传感器领域，尤其涉及了一种大量程低误差CMOS温度传感器。

背景技术：

温度传感器在许多领域都有着重要且广泛的应用。在CMOS温度传感器出现之前，大多采用热敏电阻、铂电阻等传统温度传感器。这些传统温度传感器均需要独立的读出电路，增加了电路的面积和成本。

与传统的温度传感器相比，CMOS温度传感器具有功耗小、成本低、面积小的优点，但其工作温度范围有限(专利申请号201410840269.0)，且精度略低于传统温度传感器（专利申请号：2014000752848.X）。

为此，提高CMOS温度传感器的工作温度范围和精度是改进温度传感器性能的主要内容。

技术实现要素：

本发明所要解决的主要技术问题是提供一种大量程低误差CMOS温度传感器，同时满足高精度和宽测量范围的技术要求。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种大量程低误差CMOS温度传感器，包括：

温度传感电路，由核心电路和偏置电路组成，核心电路中，每一支电路产生的电流大小相同，使其中的５支电流流过其中１个晶体管，另一支流过另一个晶体管，达到电流５∶１的效果；偏置电路为核心电路提供精准的偏置电压，６个单刀双掷开关通过６位数字信号来选通，其中１位信号与其他５位信号反相，控制６路信号，使得其中１路信号与其他５路信号流向不同，将这６支电路由工艺误差导致的不匹配降至最小;

后端Σ-ΔADC电路，由２个积分器、１个量化器（运用比较器实现）以及时钟组成。

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：本发明提供了一种大量程低误差CMOS温度传感器，在不显著增加制造成本的同时，提高了传感器的测量精度，有效地增加了传感器的测量范围。本发明的装置可满足CMOS温度传感器的技术要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种大量程低误差CMOS温度传感器的温度传感电路图；

图2是本发明实施例提供的一种大量程低误差CMOS温度传感器的后端Σ-ΔADC电路图。

具体实施方式

下文结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

一种大量程低误差CMOS温度传感器，包括：

温度传感电路，如图1所示，由核心电路和偏置电路组成，核心电路中，每一支电路产生的电流大小相同，使其中的５支电流流过其中１个晶体管，另一支流过另一个晶体管，达到电流５∶１的效果；偏置电路为核心电路提供精准的偏置电压，６个单刀双掷开关通过６位数字信号来选通，其中１位信号与其他５位信号反相，控制６路信号，使得其中１路信号与其他５路信号流向不同，将这６支电路由工艺误差导致的不匹配降至最小。

后端Σ-ΔADC电路，如图2所示，由２个积分器、１个量化器（运用比较器实现）以及时钟组成。当ｂ_ｓ＝０时，ΔＶ_ＢＥ被积分；ｂ_ｓ＝１时，Ｖ_ＢＥ被积分。1和2是控制积分器开关的信号，１和２在ｂ_ｓ＝０时的频率是ｂ_ｓ＝１时的２倍，在同一周期内，ΔＶ_ＢＥ被积分的次数是Ｖ_ＢＥ积分次数的２倍。

基于TSMC 90nm CMOS工艺对传感器进行设计，采用专业的恒温控制箱进行测试。测试数据如表１所示，在1.2Ｖ电源电压下，电路功耗为56ｍＷ，在-45℃-125℃温度范围内，传感器温度测量误差小于±1.5℃，具有量程大、误差小的特点，扩大了温度传感器在各种场合的应用范围。

本实施例中，所述一种大量程低误差CMOS温度传感器，采用温度传感电路，将得到的温度信号转换为数字信号输出；采用后端Σ-ΔADC电路，将温度传感器核心电路所产生的ΔV_BE和V_BE信号通过２阶积分器积分，最后通过量化器产生一串数字编码b_s。在1.2Ｖ电源电压下，电路功耗为56ｍＷ，在-45℃-125℃温度范围内，传感器温度测量误差小于±1.5℃，具有量程大、误差小的特点，扩大了温度传感器在各种场合的应用范围。

表１ 测试数据表

以上所述，仅为本发明较佳实施例，不以此限定本发明实施的范围，依本发明的技术方案及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应属于本发明涵盖的范围。