1.一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征步骤包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm-350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80-120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。
2.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征是所述衬底为硅片、玻璃或陶瓷片，硅片P型或者N型单晶硅片、P型或者N型多晶硅片，玻璃为普通玻璃、石英玻璃非晶体衬底。
3.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征步骤包括：
步骤3)中，再次使用光刻对准技术在沟道的位置上催化剂区域，通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着探针位置的所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；蒸镀In,Sn金属，在于引导沟道特定位置形成几十纳米的金属膜图案；在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在350℃、功率2-5W时进行处理，使金属膜缩球形成直径在几百纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒；再次使用PECVD系统覆盖一层适当厚度的非晶硅(几纳米到几百纳米)的非晶硅作为前驱体介质层；在真空氛围下，350℃环境中退火，利用IP-SLS生长模式，使得纳米线从催化剂区域沿着引导沟道生长，形成并获得生物探针形状的纳米线。
4.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征是通过光刻刻蚀方法制作引导沟道；其中刻蚀方法用湿法刻蚀：氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)碱性腐蚀体系，或是氢氟酸+硝酸(HF+HNO3)、氢氟酸+硝酸+醋酸(HF+HNO3+CH3COOH)酸性腐蚀体系、或乙二胺邻苯二酚(Ethylene DiaminePyrocatechol)体系；或者采用干法刻蚀，即利用ICP-RIE进行刻蚀。
5.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征是生长出晶体纳米线，纳米线为Si、Ge、SiGe,或Ga晶体材料形成。
6.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征是金属电极使用PT(12nm)-AL(80nm)体系，是Ti-Au体系，或是Ni金属，金属接触均使用快速热退火过程提高接触性能；使用热蒸发系统或者电子束蒸发系统制备金属电极。
7.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征是利用光刻处理探针头窗口部分，使用HF对窗口进行刻蚀，使得探针头部分悬空。
8.根据权利要求1所述的晶体纳米线生物探针器件的制备方法，其特征是生物探针特征是具有高迁移率(＞100㎝2/v.s)高开关比(＞105)，亚阈值电压接近于0，SSD小于(160mV/dec)的高性能器件。
9.根据权利要求1-8之一所述的制备方法得到的晶体纳米线生物探针器件，其特征是其中生物探针头的角度包含1-90°内各种角度，探针头总长度在50～100um，探针头使用长度从20nm～10um，探针头纳米线为Si、Ge、SiGe或Ga晶体材料制备，直径在20-80nm。
10.根据权利要求1-8之一所述的制备方法得到的晶体纳米线生物探针器件，其特征是在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度100±10nm生物探针形状的引导沟道。