技术总结
本发明涉及半导体器件失效分析技术领域，尤其涉及一种元器件饱和电流的量测方法和量测系统，该量测方法包括：提供一探针台，所述探针台包括吸附卡盘、电学监测仪以及多根探针；将一元器件放置于所述吸附卡盘上且与所述电学监测仪电连接；所述探针台利用一第一探针在所述元器件的栅极端施加一固定电压，并利用一第二探针和一第三探针在所述元器件的沟道两端施加可变电流；以及利用所述电学监测仪，对所述沟道两端的可变电流进行监测。
技术研发人员：汤光敏;张顺勇;高慧敏;卢勤
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201610642042
技术研发日：2016.08.08
技术公布日：2016.11.16