一种超疏水二氧化硅薄膜的制备方法

文档序号:9231306阅读:1141来源:国知局
一种超疏水二氧化硅薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及温和的超疏水SiCV薄膜的制备,尤其涉及一种超疏水二氧化硅薄膜的 制备方法。
【背景技术】
[0002] 超疏水材料,是指接触角大于150°,滚动角小于10°的一种特殊材料。近年来, 利用其特殊的"不沾水"特性,超疏水材料已经在很多方面得到广泛应用,如表面自清洁、表 面防冻、金属防护等领域。常用的超疏水表面的制备方法主要有:浸涂法,水热合成法,化学 气相沉积,模版法。但是这些方法存在制备过程复杂、所需时间长,对设备要求高等缺点。
[0003] 电泳技术具有资源利用率高、工艺简单、对基体表面形状要求不高等优点,在薄膜 与涂层制备中被广泛应用。然而,电泳法很少被用于超疏水薄膜的制备。何新华等(人工晶 体学报,2009, 38卷增刊,137-140)采用电泳技术沉积了 ZnO薄膜,进而通过低表面能物质 修饰实现超疏水化;赫巧灵等(电加工与模具,2014,6, 29-32)采用电泳-电沉积复合法,成 功制备得到镍/聚四氟乙烯超疏水薄膜。
[0004] 本发明进一步提出工艺更为简便、原料更为环保的电泳技术制备超疏水的二氧化 硅薄膜涂层。以商用的纳米级SiO 2粉末为原料,先进行低表面能修饰得到超疏水氧化物粉 末,再通过电泳技术制备得到超疏水二氧化硅薄膜涂层,电泳液中树脂粘接剂的加入,提高 了电泳涂层的结合力。

【发明内容】

[0005] 本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种超疏水二氧化硅薄膜的制备方 法。
[0006] 通过如下技术方案来实现的: 一种超疏水薄膜的制备方法,包括以下步骤: 1) 金属基体经砂纸打磨至600目后,在乙醇中超声10分钟后取出,经自来水、去离子水 清洗烘干后放入60 °C恒温干燥箱内待用; 2) 称取纳米级SiO2粉末分散在pH = 8~12的氨水溶液中,磁力搅拌Ih后备用;在 另一容器中加入疏水性长链硅烷分散在乙醇或者丙酮中,磁力搅拌Ih后备用,将后一溶液 逐滴加入到前一溶液中,磁力搅拌6小时后形成均一的悬浊液,陈化2~6小时后,离心分 离,得到的白色粉末在60 °C烘箱中干燥,得到超疏水的SiO2粉末;其中每100mL乙醇或者 丙酮中添加1~3g纳米级SiO 2粉末及2~10 mL疏水性长链硅烷; 3) 称取质量分数为0.1 %~10 %的超疏水SiO2粉末分散到丙酮或乙醇中,一边搅拌 一边加入质量分数为0. 5 %~10. 0 %树脂粘结剂,搅拌0. 5小时后,得到电泳液; 4) 在直流电源上,采用两电极体系在电泳液中进行电泳沉积,其中金属基体作为正极, 石墨电极作为负极,两电极间距2 cm,电压控制在5~80 V,电泳时间控制在1~6 min,电 泳结束后,用乙醇清洗电极表面多余的溶液,然后置于100 ° C的烘箱内烘干,得到超疏水薄 膜。
[0007] 所述的金属基体包括铝、镁、钛及其合金。所述的树脂粘接剂包括丙烯酸树脂或环 氧树脂。
[0008] 本发明的优点与有益效果。(1)以资源众多、环境友好的二氧化硅粉末为原料,并 且在温和的化学环境下通过低表面能修饰即可得到超疏水的SiO 2粉末;(2)采用电泳法将 超疏水二氧化硅粉末制备得到超疏水薄膜,电泳法具有资源利用率高、工艺简单、对基体表 面形状要求不高等优点;(3)通过添加少量的树脂粘接剂,提高了二氧化硅涂层的结合力。 本发明方法操作简单,重复性好,材料成本较低,对设施要求低,有望大规模工业化应用。
【附图说明】
[0009] 图I (a)是纳米级二氧化硅粉经十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)修饰前后的光学 照片 图I (b)是纳米级二氧化硅粉经十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)修饰前后所得的电泳 沉积的两种二氧化硅涂层的光学照片(b); 图2是添加树脂粘接剂前后超疏水薄膜耐磨性测试结果(其中每个循环20 cm,基体为 错合金); 图3是添加树脂粘接剂前后超疏水薄膜耐磨性测试结果(其中每个循环20 cm,基体为 钛合金)。
【具体实施方式】
[0010] 一种超疏水薄膜的制备方法,包括以下步骤: 1) 金属基体经砂纸打磨至600目后,在乙醇中超声10分钟后取出,经自来水、去离子水 清洗烘干后放入60 °C恒温干燥箱内待用; 2) 称取纳米级SiO2粉末分散在pH = 8~12的氨水溶液中,磁力搅拌Ih后备用;在 另一容器中加入疏水性长链硅烷分散在乙醇或者丙酮中,磁力搅拌Ih后备用,将后一溶液 逐滴加入到前一溶液中,磁力搅拌6小时后形成均一的悬浊液,陈化2~6小时后,离心分 离,得到的白色粉末在60 °C烘箱中干燥,得到超疏水的SiO2粉末;其中每100mL乙醇或者 丙酮中添加1~3g纳米级SiO 2粉末及2~10 mL疏水性长链硅烷; 3) 称取质量分数为0.1 %~10 %的超疏水SiO2粉末分散到丙酮或乙醇中,一边搅拌 一边加入质量分数为0. 5 %~10. 0 %树脂粘结剂,搅拌0. 5小时后,得到电泳液; 4) 在直流电源上,采用两电极体系在电泳液中进行电泳沉积,其中金属基体作为正极, 石墨电极作为负极,两电极间距2 cm,电压控制在5~80 V,电泳时间控制在1~6 min,电 泳结束后,用乙醇清洗电极表面多余的溶液,然后置于100 ° C的烘箱内烘干,得到超疏水薄 膜。
[0011] 所述的金属基体包括铝、镁、钛及其合金。所述的树脂粘接剂包括丙烯酸树脂或环 氧树脂。
[0012] 实施例1 基体采用商用的铝合金基体AA2024-T3,经砂纸打磨至600目后,在乙醇中超声10分钟 后取出,经自来水、去离子水清洗烘干后放入60 ° C恒温干燥箱内待用。
[0013] 制备疏水性SiO2溶液的配制:溶液1组成:称取Ig纳米SiO 2粉末分散在pH =8的 溶液中,其中溶液PH的控制是采用氨水进行调节,磁力搅拌Ih后备用;溶液2组成:2ml的 疏水性硅烷或者其他疏水性聚合物分散在100mL有机溶剂乙醇中,磁力搅拌Ih后备用;溶 液3 :将上述溶液2逐滴加入到溶液1中,磁力搅拌6小时后形成均一的悬浊液,陈化2小 时备用。离心分离上述溶液3,转速控制在10000 r/min,分离时间为10 min,离心分离后, 弃去上清液后,将上述沉淀物
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