器件表面的保护方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种器件表面的保护方法。
【背景技术】
[0002]微机电系统(MEMS,Micro-electro-mechanical System)技术是指对微米 / 纳米材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术。MEMS是由机械构件、光学系统、驱动部件、电控系统集成为一个整体单元的微型系统。MEMS通常应用在位置传感器、旋转装置或者传感器中，例如加速度传感器、陀螺仪和声音传感器。在MEMS传感器中，通常需要在晶圆正面工艺完成后再进行背面的工艺，在进行晶圆背面工艺的过程中，晶圆正面不可避免地要与工艺设备进行直接接触，从而可能导致晶圆正面受损。因此，在进行晶圆背部工艺前，需要采取措施对晶圆正面的器件进行保护。
【发明内容】
[0003]本发明方案要解决的问题是:现有的器件表面的保护方法中，存在金属电极被腐蚀的现象，器件的可靠性受到影响。
[0004]为解决上述问题，本发明提供了一种器件表面的保护方法，包括:
[0005]提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对，所述第一表面形成有器件层；
[0006]在所述器件层上形成保护层以保护所述器件层，所述保护层为聚合物；
[0007]在所述基底的第二表面进行工艺；以及
[0008]去除所述保护层。
[0009]可选地，所述聚合物为光刻胶。
[0010]可选地，去除所述保护层采用灰化方法去除。
[0011]可选地，去除所述保护层通过采用ST-44或EKC喷淋清洗去除。
[0012]可选地，所述器件层包括暴露出的金属层。
[0013]本发明还提供了一种微机电系统横梁的形成方法，包括:
[0014]提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对；
[0015]在所述晶圆的第一表面上形成器件层，所述器件包括第一开口和暴露出的垫层，所述第一开口暴露出所述晶圆的第一表面；
[0016]在所述器件层上形成第一保护层，所述第一保护层填充第一开口和垫层，所述第一保护层包括聚合物；
[0017]在所述晶圆的第二表面进行工艺；以及
[0018]去除所述第一保护层。
[0019]可选地，在所述晶圆的第二表面进行工艺包括:在所述晶圆的第二表面形成第二保护层，所述第二保护层包括聚合物；图形化所述第二保护层以在第二保护层中形成第二开口，所述第二开口位置与所述第一开口位置对应；以及以所述第二保护层为掩模，刻蚀所述晶圆至预定深度。
[0020]可选地，所述第一保护层和第二保护层均为光刻胶。
[0021]可选地，所述图形化所述第二保护层包括显影步骤，所述显影采用喷淋方式进行。
[0022]可选地，所述晶圆为绝缘体上硅，所述刻蚀至预定深度为刻蚀至顶层硅与绝缘体上硅的埋氧层的界面处。
[0023]可选地，去除所述第一保护层采用灰化方法去除。
[0024]可选地，去除所述第一保护层通过采用ST-44或EKC喷淋清洗去除。
[0025]可选地，所述垫层采用铝制作。
[0026]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0027]本发明方案采用聚合物作为器件表面的保护材料，利用了聚合物在特定温度烘焙后能够成型、硬化，并且可以采用灰化工艺或者湿法去除的特性。而现有技术中，是通过在晶圆第一表面上的器件表面形成一层氧化层，等晶圆第二表面的制程完成后再通过氢氟酸(HF)去除第一表面上的器件表面的保护氧化层。对于已经打开了金属引线孔、暴露出了金属电极的制程，现有技术的方案会导致金属电极的腐蚀继而影响器件的可靠性，而本发明的方案能够避免对金属电极的腐蚀，并且有效地保护了器件表面。
【附图说明】
[0028]图1和图2为通常的器件表面的保护方法的剖面结构示意图；以及
[0029]图3至图8是本发明的一个实施例的器件表面的保护方法的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0030]通常的一种器件表面的保护方法，包括:
[0031]如图1所不，提供晶圆I，晶圆I具有第一表面SI和第_■表面S2,其中，晶圆I的第一表面SI上形成有半导体器件层2 ；
[0032]如图2所示，在半导体器件层2上形成一层氧化层3，等晶圆第二表面S2的制程完成后，再利用HF去除半导体器件层2上的氧化层3，从而达到保护器件表面的目的。
[0033]然而，对于晶圆第一表面已经打开了金属引线孔，暴露出了金属电极的制程，若采用这种保护方式，在用HF去除晶圆第一表面的氧化层时，会造成金属电极的腐蚀，从而影响器件的可靠性。因此需要一种有效的保护手段。
[0034]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0035]如图3至8所示，本发明的实施例提供了一种器件表面的保护方法。
[0036]如图3所示，提供晶圆100，晶圆100具有第一表面SI和第二表面S2。
[0037]在本实施例中，所述晶圆为SOI (Silicon-On-1nsulator,绝缘衬底上的娃)晶圆，包括顶层硅101、埋氧层102和底层硅103。所述SOI晶圆上形成有半导体器件层110。晶圆100形成有半导体器件层110的面为第一表面SI,与第一表面SI相对的面为第二表面S2。在其他实施例中，还可以是其他类型的晶圆，例如，娃晶圆、GOI (SiIicon-On-1nsulator,绝缘衬底上的娃)晶圆、GaAs晶圆等。
[0038]本实施例以形成MEMS横梁为例来具体说明器件表面的保护方法。如图3所示，所述半导体器件层110上形成有第一开口 111，在后续步骤中，为了形成横梁，需要对晶圆的第二表面S2进行刻蚀形成与所述第一开口 111对应的开口。所以，需要在半导体器件层110上标记出第一开口 111的位置，如图3中所不的A、B两点。
[0039]在本实施例中，所述半导体器件层110的表面形成有金属电极112，金属电极112的作用是将晶圆上的半导体器件与外部电路电连接起来。本实施例中，所述金属电极112由铝材料制成。
[0040]如图4所示，在所述半导体器件层110的表面S3上均匀旋涂光刻胶，形成光刻胶层120，所述光刻胶层填充所述第一开口 111。
[0041]本实施例中，由于半导体器件层110上有代表第一开口 111位置的标记，所以需要采用透光的光刻胶。在具体实施例中，所述光刻胶为AZ6130薄光刻胶。所述AZ6130薄光刻胶层的厚度为5 μ m至6 μ m。在一些实施例中，还可以采用其他类型的光刻胶，旋涂厚度根据具体的光刻胶类型而定。在一些实施例中，还可以在所述半导体器件层110的表面S3上均匀旋涂其他聚合物保护层，如聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等。
[0042]对所述光刻胶层120进行第一烘焙使其固定成型；之后，对所述成型的光刻胶层120进行第二烘焙使其硬化