技术特征：
技术总结
本发明提供一种MEMS器件中的拱形结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上旋涂SU‑8的第一光刻胶层并进行第一烘烤工艺，而后对所述第一光刻胶层进行曝光；在所述第一光刻胶层上旋涂SU‑8的第二光刻胶层；将所述衬底进行静置，以使得第一光刻胶层的曝光区域的光酸扩散至未曝光的第一光刻胶层及第二光刻胶层；进行第二烘烤工艺，以使得有光酸的区域的环氧基交联而形成拱形结构；进行显影。该方法基于光刻工艺形成拱形结构，易于小型化和批量生产，形成光滑且连续表面的拱形结构，具有高稳定性和可靠性，此外与传统的CMOS工艺兼容，易于在MEMS器件中的集成。
技术研发人员：高建峰;贺晓彬;赵超;李俊峰
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2016.03.01
技术公布日：2017.09.08