一种多晶硅料清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅技术领域，更具体地说，涉及一种多晶硅料清洗装置。
【背景技术】
[0002]在太阳能晶体硅的生产过程中，多晶硅料如边皮料和头尾料等硅料需要被再度熔化，而高温下的硅料容易与坩祸、杂质气体等发生反应，进而导致硅片制造过程中会有部分硅料被切除，特别是自2011年开始光伏领域寒流席卷全国，国内外不少光伏企业相继破产倒闭。为了降低生产成本，提高企业竞争力，现有企业一直选择将被切除的边皮料进行清洗处理后再进行铸锭或拉晶切片，从而使切除的边皮料能够被再次利用。
[0003]再次利用的边皮料都含有大量杂质，需要对其进行清洗，现有技术中的清洗方法是将边皮料先喷砂打磨，然后将边皮料浸泡在HF:HN03 = 1:11的混酸溶液中15s至25s，去除最表面的金属杂质。现有的多晶硅料清洗装置只是一个简单的方框，清洗过程中边皮料是杂乱无章放在一起的，坩祸面(指定面)可能被其他边皮硅料覆盖，不能完全对硅料的指定面进行相对应的选择性极性腐蚀，同时没有杂质的一面也会暴露在酸液中，会对硅料不需要的一面进行腐蚀，无法保证与酸接触的都是含有大量杂质的坩祸面，造成不必要的硅料浪费，无法起到清洗的目的现有的边皮料的清洗方法造成不必要的浪费。不能去除镶嵌在坩祸面内部的杂质，除杂能力远远不够，且不能保护非坩祸面的硅料。
[0004]因此，由于现有的多晶硅料清洗装置过于简单，无法保证与酸接触的面都为需要反应的指定面，且硅料相互贴在一起，无法清洗到相应的指定面，同时现有的多晶硅料清洗方法只是用混酸将硅料表明的杂质清洗干净，无法清除镶嵌在多晶硅料指定面内部的杂质，导致多晶铸锭工艺硅锭杂质偏多，在底部容易形成阴影或者底部杂质层偏高，最终导致硅料表明和内部的杂质都无法清除，影响硅锭的成晶率及质量。
【实用新型内容】
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种多晶硅料清洗装置，不仅能够有效清除多晶硅料的指定反应面，而且能够有效清除镶嵌在多晶硅料指定面内部的杂质。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0007]—种多晶硅料清洗装置，包括酸洗池，所述酸洗池的底面设置有放液口，还包括:
[0008]设置于所述酸洗池中的装料篮，所述装料篮的底面设置有多个小孔；
[0009]设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条；
[0010]其中，一个多晶娃料的反应面与另一多晶娃料的反应面相背设置，且所述多晶娃料卡接于所述隔挡条之间。
[0011]优选的，在上述多晶硅料清洗装置中，多对隔挡条垂直于所述装料篮的宽度方向设置且位于所述装料篮长度方向的中部。
[0012]优选的，在上述多晶硅料清洗装置中，所述隔挡条之间的宽度等于两个多晶硅料的厚度和。
[0013]优选的，在上述多晶硅料清洗装置中，所述多晶硅料的一端固定于一对所述隔挡条之间。
[0014]优选的，在上述多晶硅料清洗装置中，还包括设置于所述酸洗池顶端的抽风环保系统。
[0015]优选的，在上述多晶硅料清洗装置中，所述放液口处设置有放液阀。
[0016]优选的，在上述多晶硅料清洗装置中，所述隔挡条为耐腐蚀材料隔挡条。
[0017]从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的一种多晶硅料清洗装置，包括酸洗池，所述酸洗池的底面设置有放液口，还包括:设置于所述酸洗池中的装料篮，所述装料篮的底面设置有多个小孔；设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条；其中，一个多晶硅料的反应面与另一多晶硅料的反应面相背设置，且所述多晶硅料卡接于所述隔挡条之间。由于多晶硅料的反应面相背设置，多晶硅料通常为片状，一面为反应面即需要与酸反应的一面，另一面为非反应面即不需要与酸反应的一面，两个多晶硅料的非反应面相互紧贴，同时反应面相背，将反应面全部暴露在酸中，而非反应面相互接触相互被保护起来，使得酸无法进入二者之间与之接触，而隔挡条能够将至少两片叠放在一起的多晶硅料固定在装料篮中，装料篮的底面开设有多个小孔，酸通过小孔进入装料篮中对多晶硅料装置进行清洗。本实用新型提供的多晶硅料清洗装置一方面保护多晶硅料的非反应面尽量不与酸反应，使多晶硅料反应面充分与酸反应，实现降低硅料的损失。另一方面通过对多晶硅料的清洗，去除硅料内部的碳化硅和氮化硅及金属杂质，减少了多晶铸锭投炉硅料的杂质，从而减少娃锭的杂质，提升娃锭的质量。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料清洗装置示意图；
[0020]图2为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料装料篮示意图。
【具体实施方式】
[0021]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0022]请参阅图1和图2，图1为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料清洗装置示意图；图2为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料装料篮示意图。
[0023]在一种【具