用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置的制造方法
【专利说明】用于形成二氧化括类层的组成物、用于制造二氧化括类层 的方法从及电子装置
[0001] 相关申请案的交叉参考
[0002] 本申请案主张2014年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第 10-2014-0184766号的优先权和权益，所述申请案的全部内容W引用的方式并入本文中。
技术领域
[0003] 本掲露书设及用于形成二氧化娃类（silica-based)层的组成物、制造二氧化娃 类层的方法W及包含所述二氧化娃类层的电子装置。
【背景技术】
[0004] 平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极W及半导体的薄膜晶体管 (thin film transistor,TFT)作为切换装置，并且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描 信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形 成绝缘层W将半导体与若干电极隔开。绝缘层可通过使用二氧化娃类组成物而形成。于此， 绝缘层可能在制造工艺期间由于多种原因而具有缺陷，并且所述缺陷可能对装置的良率和 可靠性具有负面影响。
【发明内容】
阳0化]一个实施例提供一种用于形成二氧化娃类层的组成物，所述组成物使层中缺陷的 产生减到最少。
[0006] 另一个实施例提供一种使用所述用于形成二氧化娃类层的组成物制造二氧化娃 类层的方法。
[0007] 又一个实施例提供一种电子装置，所述电子装置包含根据所述方法制造的二氧化 娃类层。
[0008] 根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化娃类层的组成物，所述组成物包括：含 娃化合物，其包含聚娃氮烧、聚娃氧氮烧或其组合；和一或多种类别的溶剂，并且所述组成 物具有小于或等于约0. 13的浊度增加率。
[0009] 然而，浊度增加率是由关系方程式1定义，并且胶凝时间是在约23°C ±约2°C下， 在约50% ±约10%的相对湿度下测量得到。
[0010] [关系方程式U
[0011] 浊度增加率（NTU/虹）=(胶凝时的浊度-初始浊度）/胶凝时间
[0012] 含娃化合物可W包含聚娃氮烧〔polysilazane)，聚娃氮烧包含由化学式1表示的 部分。 阳01引[化学式^
[0014]
[0015] 在化学式I中，Ri到R3独立地为氨、经取代或未经取代的Cl到C30烷基、经取代 或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代 的C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的Cl到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到 C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30締基、经取代或未经取代的烷氧基、簇基、醒基 (aldehyde group)、径基或其组合，W及
[0016] 指示连接点。
[0017] 含娃化合物可W包含聚娃氧氮烧〔polysiloxazane)，聚娃氧氮烧包含由化学式2 表不的部分。 阳0化][化学式引
[0019]
[0020] 其中化学式2的Ra到R 7独立地为氨、经取代或未经取代的Cl到C30烷基、经取代 或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的 C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的Cl到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30 杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30締基、经取代或未经取代的烷氧基、簇基、醒基、径 基或其组合，W及
[OOW 指示连接点。
[0022] 溶剂可W包含S甲苯、S乙苯、十氨糞（dec址y化onaphthalene)、四氨糞 (tetr址y化onaphthalene)、巧（indene)、二乙苯W及甲基糞（methylnaphthalene)中的至 少一个。
[0023] 所述组成物可具有小于或等于约0. 125的浊度增加率。
[0024] 根据另一个实施例，提供一种用于制造二氧化娃类层的方法，所述方法包含在衬 底上涂布所述用于形成二氧化娃类层的组成物，干燥涂布有所述用于形成二氧化娃类层的 组成物的衬底，W及在惰性氛围下，在大于或等于约150°C的溫度下，固化所述衬底。
[00巧]所述用于形成二氧化娃类层的组成物可W使用旋涂法涂布。
[00%] 根据又一个实施例，提供一种电子装置，包含使用所述组成物制造的二氧化娃类 层。
[0027] 可W提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化娃类层的组成物。
【具体实施方式】
[002引本发明的示例性实施例将在下文中被详细描述，并且可W由具有所述领域技术人 员容易地进行。然而，本掲露书可W多种不同形式实施，并且不应解释为局限于本文中所阐 述的示例性实施例。
[0029] 在附图中，为清楚起见放大层、膜、面板、区域等的厚度。在说明书通篇，相同元件 符号表示相同元件。应理解，当如层、膜、区域或衬底的元件被称作"在"另一元件"上"时， 其可W直接在另一元件上或还可W存在插入元件。相比之下，当元件被称作"直接在"另一 元件"上"时，不存在插入元件。
[0030] 如本文所用，当未另外提供定义时，术语'经取代'是指经由W下选出的取代基 取代：面素原子（F、Br、Cl或I)、径基Oiy化oxy group)、烷氧基（a：Lkoxy group)、硝基 (nitro group)、氯基（cyano group)、氨基（amino group)、叠氮基（azido group)、脉基 (amidino group)、阱基化ydr曰zino group)、亚阱基化ydr曰zono group)、幾基（c曰rbonyl group)、氨甲酯基（carbamyl group)、硫醇基（thiol group)、醋基（ester group)、簇基或 其盐、横酸基或其盐、憐酸或其盐、烷基、C2到C16締基（a化en^ group, )、C2到C16烘基 (a化yn}d group)、芳基（a巧 1 group)、C7 到 C13 芳基烷基（a巧Ia化yl group)、C1 到 C4 氧 基烷基（0巧a化yl group)、C1到C20杂烷基化eteroall (yl group)、C3到C20杂芳基烷基 (heteroa 巧 Ia 化 yl group)、环烷基 kycloa 化 yl g;roup)、C3 到 C15 环締基 kycloa 化 enyl g;roup)、C6 到 C15 环烘基 kycloa 化 ynyl group)、杂环烷基化 eterocycloa 化 yl group) W 及其组合，代替化合物的氨。
[0031] 如本文所用，当未另外提供定义时，术语'杂'是指包含1到3个由N、0、S W及P 中选出的杂原子。
[0032] 另外，在说明书中，标志是指某物在何处与相同或不同的原子或化学式连接。
[0033] 在下文中，描述根据本发明的一个实施例的用于形成二氧化娃类层的组成物。
[0034] 根据本发明的一个实施例的用于形成二氧化娃类层的组成物包括：含娃化合物， 所述含娃化合物包含聚娃氮烧、聚娃氧氮烧或其组合；和溶剂。
[0035] 根据一个实施例，提供一种用于形成二氧化娃类层的组成物，所述组成物包含：含 娃化合物，包含聚娃氮烧、聚娃氧氮烧或其组合；和一或多种类别的溶剂，并且所述组成物 具有小于或等于约0. 13的浊度增加率。
[0036] 组成物的浊度增加率可W根据关系方程式1计算得到。
[0037] [关系方程式U
[0038] 浊度增加率（NTU/虹）=(胶凝时的浊度-初始浊度）/胶凝时间
[0039] 胶凝时间是在约23°C ±约2°C下，在约50% ±约10%的相对湿度下测量得到。
[0040] 当所述组成物的浊度增加率在所述范围内时，所述组成物可W在形成层时具有极 好的储存稳定性和极好的缺陷水平（defect level)，并且由此改善装置的制造良率和性 能。确切地说，所述组成物可具有小于或等于约0. 125的浊度增加率。
[0041] 用于形成二氧化娃类层的组成物的聚娃氮烧可W包含由化学式1表示的部分。
[0042] [化学式1]
[0043]
[0044] 在化学式I中，Ri到Rs独立地为氨、经取代或未经取代的Cl到C30烷基、经取代 或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的 C7到C30芳基烷基、经取代或未经取代的Cl到C30杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30 杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30締基、经取代或未经取代的烷氧基、簇基、醒基、径 基或其组合。 W45] 聚娃氮烧可W通过多种方法制备，举例来说，已知其是通过使面代硅烷与氨反应 而制备。
[0046] 用于形成二氧化娃类层的组成物的聚娃氧氮烧可W包含由化学式2表示的部分。
[0047] [化学式引
[0048]
W例在化学式2中，R剧R,与化学式1中定义的R剧Rs相同。
[0050]