粘合片材的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及粘合片材，进而详细而言，涉及对半导体晶片等被加工物进行暂时性 表面保护、研磨、切割等加工时适合在固定、保持该被加工物时使用的粘合片材。
【背景技术】
[0002] 随着近年来半导体设备的小型化、高功能化，逻辑设备的布线间距已经狭窄至数 十nm，因此，布线间的绝缘膜变薄、设备被泄漏电流击穿的风险提高。因此，对粘合片材还要 求抗静电性能。
[0003] -直以来，作为通常对粘合片材赋予抗静电性能的方法，研宄了向内部添加有抗 静电剂的塑料基材膜的单面设置粘合剂层、或者设置添加有抗静电剂的粘合剂层、或者设 置抗静电层的方法。
[0004] 作为这种赋予了抗静电性能的粘合片材，专利文献1中公开了一种通过向粘合剂 层中添加抗静电剂、进而在基材膜与粘合剂层之间设置抗静电层从而赋予了抗静电性能的 半导体晶片固定用粘合片材。另外，专利文献2中公开了一种在含有氨基甲酸酯系低聚物 和能量射线聚合性单体和锂（Li)盐系等金属盐抗静电剂的基材膜上设置有粘合剂层的粘 合片材，专利文献3中公开了一种作为电子部件运输用覆盖片材且含有离子液体的树脂片 材。
[0005] 然而，专利文献1~3中记载的粘合片材、树脂片材由于向粘合剂层或基材膜中添 加了抗静电剂，因此，在粘合片材暴露于大量水或者在被加热的半导体加工用用途中存在 如下担心：抗静电剂在加工时溶出而无法获得规定的抗静电性能、或者溶出物附着于半导 体设备而导致设备性能降低。
[0006]另外，一般来说，粘合片材在磁带过塑机（tape laminator)、安装器（mounter)等 半导体加工装置内一边接触金属的导向辊、半导体加工用装置的台面一边进行运输。然而， 专利文献3中记载的树脂片材由于离子液体偏析至片材表面或者渗出而导致树脂片材表 面的静摩擦系数变高，将该树脂片材用作半导体加工用粘合片材时存在如下问题：树脂片 材在半导体加工装置内密合于不锈钢制的辊、半导体加工用装置的台面，导致片材卷附于 辊或者密合于台面而无法从装置中取出、或者在半导体加工工序中产生不良。
[0007] 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2009-260332号 专利文献2 :日本特开2010-177542号 专利文献3 :日本特开2006-299120号。
【发明内容】
[0008] 发明要解决的课题 本发明是鉴于上述实际情况而进行的，其目的在于，提供具有抗静电性能、且由于抗静 电剂渗出而导致的片材表面的静摩擦系数低、半导体加工适应性高的粘合片材。
[0009] 本发明包含以下主旨。
[0010] 〔1〕粘合片材，其具有基材膜、以及设置在前述基材膜上的粘合剂层， 前述基材膜是对包含能量射线固化性树脂和具有烯属不饱和键的离子液体的能量射 线固化性组合物进行制膜并固化而成的。
[0011] 〔2〕根据〔1〕所述的粘合片材，其中，前述能量射线固化性树脂包含具有烯属不饱 和键的聚合物或低聚物。
[0012] 〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的粘合片材，其中，前述能量射线固化性树脂包含能量射 线聚合性单体。
[0013] 〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的粘合片材，其中，前述离子液体为具有聚氧亚 烷基链的化合物。
[0014] 〔5〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的粘合片材，其中，前述粘合剂层为能量射线固 化型粘合剂。
[0015] 〔6〕根据〔2〕所述的粘合片材，其中，前述具有烯属不饱和键的聚合物或低聚物为 具有烯属不饱和键的氨基甲酸酯系聚合物或低聚物。
[0016] 〔7〕根据〔1〕~〔6〕中任一项所述的粘合片材，其中，前述基材膜的设置有粘合剂 层的面的相反侧一面的相对于不锈钢板的静摩擦系数为1. 0以下。
[0017] 〔8〕根据〔1〕~〔7〕中任一项所述的粘合片材，其中，前述基材膜的拉伸弹性模量 为 50~800MPa。
[0018] 〔9〕根据〔1〕~〔8〕中任一项所述的粘合片材，其中，前述基材膜的断裂伸长率为 80%以上。
[0019] 〔10〕根据〔1〕~〔9〕中任一项所述的粘合片材，其中，在半导体晶片的背面研磨工 序中，前述粘合剂层为了保护该半导体晶片的电路面而贴附于该电路面。
[0020] 〔11〕根据〔1〕~〔9〕中任一项所述的粘合片材，其中，在半导体晶片的切割工序中， 前述粘合剂层贴附于该半导体晶片。
[0021] 发明的效果 根据本发明，能够稳定地获得规定的抗静电性能，设备的性能不会降低。另外，抗静电 剂不会在基材膜表面发生偏析或渗出等，因此能够获得基材膜的表面静摩擦系数低、半导 体加工工序中的加工适应性高的粘合片材。
【附图说明】
[0022] 图1是本发明的一个实施方式所述的粘合片材的剖面图。
【具体实施方式】
[0023] 以下，针对本发明所述的粘合片材的实施方式，基于附图进行说明。
[0024] 本发明所述的粘合片材1为具有基材膜2、以及设置在前述基材膜上的粘合剂层 3的粘合片材，其特征在于，前述基材膜是对包含能量射线固化性树脂和具有烯属不饱和键 的离子液体的能量射线固化性组合物进行制膜并固化而成的。
[0025][基材膜] 基材膜是对包含能量射线固化性树脂和具有烯属不饱和键的离子液体的能量射线固 化性组合物进行制膜并固化而成的。
[0026](能量射线固化性树脂） 能量射线固化性树脂具有受到能量射线的照射则会固化的性质。因此，在对适当粘度 的能量射线固化性树脂制膜后进行能量射线照射时，通过固化而形成覆膜，从而可以得到 基材膜。
[0027] 能量射线固化性树脂优选包含具有烯属不饱和键的聚合物或低聚物，另外，优选 包含能量射线聚合性单体。
[0028]作为能量射线固化性树脂，更优选使用具有烯属不饱和键的聚合物或低聚物与能 量射线聚合性单体的混合物等，作为具有烯属不饱和键的聚合物或低聚物，优选为具有烯 属不饱和键的氨基甲酸酯系聚合物或低聚物。
[0029]另外，作为能量射线固化性树脂，可以使用例如氨基甲酸酯系低聚物、有机硅系低 聚物以及它们的混合物等，其中，优选为氨基甲酸酯系低聚物，特别优选使用容易控制粘度 和反应性、所得基材膜的应力缓和性和扩展性高的氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。
[0030]氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物可以是例如聚醚型氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物、 聚酯型氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物或聚碳酸酯型氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物中的任 一者，从容易获得适合于半导体加工工序的基材膜的强度、伸长率、耐磨耗性这一点出发， 优选为聚碳酸酯型氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。
[0031]这些氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物例如是使具有羟基的（甲基）丙烯酸酯与末端 异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物发生反应而得到的，所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物是使 聚醚型、聚酯型或聚碳酸酯型等的多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物发生反应而得到 的。需要说明的是，（甲基)丙烯酸酯以包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯这两者的意义来使用。
[0032]作为聚醚型多元醇化合物，可列举出例如聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四亚 甲基二醇等包含亚烷基氧基的多元醇化合物，进而，作为特别优选的聚醚型多元醇化合物， 可列举出聚乙二醇、聚丙二醇。
[0033] 聚酯型多元醇化合物二醇是通过多元酸与二醇类的缩合反应而得到的。
[0034]作为多元酸，可以使用邻苯二甲酸、己二酸、富马酸酐、间苯二甲酸、对苯二甲酸、 四氢富马酸酐、甲基环己烯-1，2-二羧酸酐二甲基对苯二甲酸、顺-1，2-二羧酸酐、二甲基 对苯二甲酸、单氯邻苯二甲酸、二氯邻苯二甲酸、三氯邻苯二甲酸、四溴邻苯二甲酸等通常 公知的多元酸。
[0035]作为二醇类，没有特别限定，可列举出例如乙二醇、二乙二醇、丙二醇、1，4_ 丁二 醇、1，5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等。
[0036] 除此之外，作为聚酯型多元醇化合物，可列举出通过前述二醇类与己内酯的 开环聚合得到的聚己内酯二醇等。
[0037]作为碳酸酯型多元醇化合物，可列举出例如1，4-四亚甲基碳酸酯二醇、1，5-五亚 甲基碳酸酯二醇、1，6-六亚甲基碳酸酯二醇、1，2-亚丙基碳酸酯二醇、1，3-亚丙基碳酸酯 二醇、2, 2-二甲基亚丙基碳酸酯二醇、1，7-七亚甲基碳酸酯二醇、1，8-八亚甲基碳酸酯二 醇、1，9-九亚甲基碳酸酯二醇、1，4-环己烷碳酸酯二醇等。
[0038] 前述多元醇化合物可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。上述多元醇化合 物通过其与多元异氰酸酯化合物的反应而生成末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物。<