]图5为根据本发明一个示例性实施例的用于通过使用双固化系统100固化微晶格材料的过程500的流程图。
[0072]在步骤502中，形成包括多个单体和/或低聚物、第一光引发剂和第二光引发剂的单体配方108。在一个实施例中，单体配方108中的第二光引发剂的浓度大于第一光引发剂的浓度。例如，第一光引发剂可以少于单体配方108的重量的约0.1%，而第二光引发剂可以是单体配方的重量的约0.1 %到约0.5%。
[0073]在步骤504中，单体配方108被曝光在具有高于阀值的波长的准直光下以形成前体微晶格结构(例如，部分固化的微晶格结构)110。在一个实施例中，该阀值约为320nm。可以选择该波长阀值以使得第一光引发剂在高于该阀值时具有高光吸收，而第二光引发剂在高于该阀值时具有低光吸收且在低于该阀值时具有高光吸收。在一个实例中，成形的前体微晶格结构110为部分固化结构。根据一个实施例，在步骤504中，形成前体微晶格结构110后，该部分固化的结构变形为期望的形状。
[0074]在步骤506中，前体微晶格结构110被曝光在具有低于阀值的波长的光下以形成微晶格结构(例如，后固化的微晶格结构)110。在一个实施例中，具有低于阀值的波长的光为非准直光，并且可以具有大于步骤502中使用的准直光的强度的强度。根据一个实施例，在步骤506中，处于绿色状态的前体微晶格结构110被固定在处于基本固化的状态下的微晶格结构。在一个实例中，后固化的微晶格结构为刚性(例如，硬的或不易变形的)结构。在另一个实例中，后固化的微晶格结构为柔性的(例如，柔软或容易变形的)结构。
[0075]尽管参照本发明的示例性实施例已经对本发明做了详细说明，但是这里所描述的示例性实施例并不用于穷举或将本发明的范围限制在所公开的形式中。本发明所属领域和技术的技术人员将会理解在不背离如以下权利要求及其等效形式所述的本发明的原则、精神和保护范围的情况下，可以对所描述的结构以及组装和操作的方法做出改变和变更。
【主权项】
1.一种用于微晶格结构的制造的单体配方，所述单体配方包括: 多个单体； 第一光引发剂，所述第一光引发剂被构造为在一个光波长以上基本上具有活性;和 第二光引发剂，所述第二光引发剂被构造为在所述光波长以上基本上不具有活性，而在所述光波长以下基本上具有活性。2.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第一光引发剂在所述光波长以上具有高光吸收，所述第二光引发剂在所述光波长以上具有低光吸收而在所述光波长以下具有高光吸收。3.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述波长约为320nm。4.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述单体配方中的所述第二光引发剂的浓度大于所述第一光引发剂的浓度。5.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第一光引发剂是所述单体配方的重量的约0.01% 到约0.1%。6.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第二光引发剂是所述单体配方的重量的约0.1%到约I %。7.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述多个单体包括从以下物质构成的组中选择的化合物:乙炔基、氰化物、乙稀醚、乙稀基酯、乙稀酰胺、乙稀基三嘆、乙稀基异氰脲酸酯、丙烯酸盐、甲基丙烯酸酯、二烯、三烯、环氧树脂和硫醇。8.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述多个单体包括从以下物质构成的组中选择的化合物:季戊四醇四丙烯酸酯；2，4，6-三烯丙氧基-1，3，5-三嗪;三烯丙基-1，3，5-三嗪-2，4，6-三酮；和三环己烷。9.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第一光引发剂包括从以下物质构成的组中选择的化合物:氧化膦、双酰基氧化膦(ΒΑΡΟ)、α_羟基酮和单酰基膦(MAPO)。10.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第一光引发剂包括从以下物质构成的组中选择的化合物:2，4，6_三甲基苯甲酰基、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮和联苯(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-氧化膦。11.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第二光引发剂包括从以下物质构成的组中选择的化合物:α-羟基酮、碘盐和苯甲酰甲酸酯。12.根据权利要求1所述的单体配方，其中，所述第二光引发剂包括从以下物质构成的组中选择的化合物:1-羟基-环己基-苯基-酮;2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮;2-羟基-1-[4-(2-羟乙氧基)苯基]-2-甲基-1丙酮;氧-苯基-醋酸2-[2氧-2苯基-乙酸基-乙氧基]-乙酯;氧-苯基-乙酸2-[2_羟基-乙氧基]-乙酯;碘；(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]和六氟磷酸盐(1-)。13.一种微晶格结构，包括: 多个支柱，所述多个支柱在多个节点处互相连接，所述支柱包括第一光引发剂的衍生物和第二光引发剂的衍生物， 其中: 所述第一光引发剂被构造为在一个光波长以上基本上具有活性；以及 所述第二光引发剂被构造为在所述光波长以上基本上不具有活性，而在所述光波长以下基本上具有活性。14.根据权利要求13所述的微晶格结构，其中: 所述第一光引发剂在所述光波长以上具有高光吸收；以及 所述第二光引发剂在所述光波长以上具有低光吸收，而在所述光波长以下具有高光吸收。15.根据权利要求13所述的微晶格结构，其中，所述波长约为320nm。16.根据权利要求13所述的微晶格结构，其中: 所述多个支柱中的每一个的直径在约1ym到约1mm之间；以及 所述多个节点中的相邻节点之间的间隔在所述多个支柱的支柱直径的2到20倍之间。17.—种用于形成微晶格结构的方法，所述方法包括以下步骤: 形成包括多个单体、第一光引发剂和第二光引发剂的单体配方； 将所述单体配方曝光在准直光下以形成前体微晶格结构，所述准直光具有高于阀值的波长;和 将所述前体微晶格结构曝光在具有低于所述阀值的波长的光下以形成所述微晶格结构。18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述前体微晶格结构为部分固化的结构。19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述微晶格结构为刚性结构。20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述微晶格结构为柔性结构。21.根据权利要求17所述的方法，还包括以下步骤: 在将所述部分固化的微晶格结构曝光在所述具有低于所述阀值的波长的光下之前，将所述部分固化的微晶格结构变形为期望的形状。22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述具有低于所述阀值的波长的光的强度大于所述准直光的强度。23.根据权利要求17所述的方法，其中，所述具有低于所述阀值的波长的光为非准直光。24.根据权利要求17所述的方法，其中，所述曝光所述微晶格结构的步骤包括将处于绿色状态下的前体微晶格结构固定为处于基本固化的状态下的微晶格结构。
【专利摘要】本发明公开了一种用于微晶格结构的制造的单体配方，该单体配方包括多个单体、被构造为在一个光波长以上基本上具有活性的第一光引发剂以及在该光波长以上基本不具有活性而在该光波长以下基本上具有活性的第二光引发剂。
【IPC分类】C08K5/49, C08K5/04, C08J3/28, C08J5/00, C08J3/24, C08G85/00, C08F2/50
【公开号】CN105636993
【申请号】CN201480056971
【发明人】S·S·杨, A·J·雅各布森, J·M·哈德利, E·C·克拉夫
【申请人】Hrl实验室有限责任公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月20日
【公告号】US9096722, US20150111979, WO2015058211A1