一种单晶炉的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及单晶生产设备领域，尤其是一种单晶炉。
【背景技术】
[0002]21世纪，世界能源危机促进了光伏市场的发展，晶体硅太阳能电池是光伏行业的主导产品。随着世界各国对太阳能光伏产业的进一步重视，特别是发达国家制定了一系列的扶持政策，鼓励开发利用太阳能，另外，随着硅太阳能电池应用面的不断扩大，太阳能电池的需求量越来越大，硅单晶材料的需求量也就越来越大。
[0003]单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种:一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法使目前普遍采用的方法。
[0004]直拉法生长单晶硅的方法如下:将高纯度的多晶硅原料放入单晶炉的石英坩祸内，然后在低真空有流动惰性气体的保护下加热熔化，把一支有着特定生长方向的单晶硅(也叫做籽晶)装入籽晶夹持装置中，并使籽晶与硅溶液接触，调整熔融硅溶液的温度，使其接近熔点温度，然后驱动籽晶自上而下伸入熔融的硅溶液中并旋转，然后缓缓上提籽晶，此时，单晶硅进入锥体部分的生长，当锥体的直径接近目标直径时，提高籽晶的提升速度，使单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部生长阶段，在单晶硅体生长接近结束时，再提高籽晶的提升速度，单晶硅体逐渐脱离熔融硅，形成下锥体而结束生长。用这种方法生长出来的单晶硅，其形状为两段呈锥形的圆柱体，将该圆柱体切片，即得到单晶硅半导体原料，这种圆形单晶硅片就可以作为集成电路或太阳能的材料。
[0005]单晶硅拉制一般在单晶炉中进行，目前，所使用的单晶炉包括上炉膛、下炉膛，上炉膛设置在下炉膛上方且上炉膛通过隔离阀固定在下炉膛顶部，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，所述下炉膛内设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨坩祸，所述石墨坩祸内设有石英坩祸，石墨坩祸外侧设置有加热器，加热器位于保温筒内，所述加热器通过加热电极固定在下炉膛底部，下炉膛的顶部连接有氩气管，所述氩气管穿过下炉膛伸入到下炉膛内，所述下炉膛的下部设置有真空抽口，所述真空抽口上连接有排放管，排放管末端连接有真空栗，真空栗的进口与排放管的出口相连，所述石英坩祸上方设置有籽晶夹持装置，所述籽晶夹持装置通过传动杆与籽晶旋转提升机构相连，所述石墨坩祸底部设置有坩祸旋转顶升机构，所述石墨坩祸与坩祸旋转顶升机构设置有圆形的石墨托板，这种单晶炉在实际使用过程中存在以下问题:单晶炉在使用过程中，有时会发生硅液溢流的现象，一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液会沿石墨托板的边缘滴落到炉膛底部将炉膛烧穿发生事故，存在较大的安全隐患。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种安全隐患较低的单晶炉。
[0007]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:该单晶炉，包括上炉膛、下炉膛，上炉膛设置在下炉膛上方且上炉膛通过隔离阀固定在下炉膛顶部，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，所述下炉膛内设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨坩祸，所述石墨坩祸内设有石英坩祸，石墨坩祸外侧设置有加热器，加热器位于保温筒内，所述加热器通过加热电极固定在下炉膛底部，下炉膛的顶部连接有氩气管，所述氩气管穿过下炉膛伸入到下炉膛内，所述下炉膛的下部设置有真空抽口，所述真空抽口上连接有排放管，排放管末端连接有真空栗，真空栗的进口与排放管的出口相连，所述石英坩祸上方设置有籽晶夹持装置，所述籽晶夹持装置通过传动杆与籽晶旋转提升机构相连，所述石墨坩祸底部设置有坩祸旋转顶升机构，所述石墨坩祸与坩祸旋转顶升机构设置有圆形的石墨托板，所述石墨托板的外表面设置有环形挡板，所述环形挡板的上表面设置有溢流毯，所述溢流毯的上表面安装有溢流丝，所述溢流丝围绕石墨托板且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连。
[0008]进一步的是，所述氩气管上设置有气体加热装置，所述气体加热装置包括柱状基体，所述柱状基体内设置有圆柱形的气体加热空腔，所述柱状基体上设置有与气体加热空腔连通的进气口与出气口，所述进气口通过气管与氩气源连通，所述出气口与氩气管连通，所述柱状基体的表面缠绕有加热丝，所述加热丝连接在电源上，所述加热丝与电源之间设置有温控表，所述气体加热空腔内设置有热电偶温度计，所述热电偶温度计与温控表相连接。
[0009]进一步的是，还包括放大电路，所述热电偶温度计与放大电路的输入端连接，放大电路的输出端与温控表相连，所述放大电路包括电阻第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一匪0S管M1、第二NM0S管M2、NM0S管第三匪0S管M3、第四NM0S管M4、第五匪0S管M5、第六NM0S管M6和第七NM0S管M7;热电偶温度计D的负极接第一匪0S管Ml的源极和第二 NM0S管M2的栅极，其正极接地；第一 NM0S管Ml的漏极通过第一电阻R1接电源VDD，其栅极接第二 NM0S管M2的漏极，其源极通过第二电阻R2接地;第二 NM0S管M2的漏极通过第三电阻R3接电源VDD，其栅极接第一 NM0S管Ml的源极，其源极接地；第三匪0S管M3的漏极通过第四电阻R4接电源VDD，其栅极接第四W0S管M4的漏极，其源极通过第五电阻R5接地;第四匪0S管M4的漏极通过第六电阻R6接电源VDD，其源极接地;第五NM0S管M5的漏极通过第七电阻R7接电源VDD，其栅极接第三NM0S管M3的漏极；第六匪0S管M6的漏极通过第八电阻R8接电源VDD，其栅极接第一匪0S管Ml的漏极;第五匪0S管M5和第六NM0S管M6的源极共同接第七NM0S管M7的漏极;第七匪0S管M7的栅极接第三NM0S管M3的源极和第四NM0S管M4的栅极，其源极接地;第八电阻R8与第六W0S管M6的连接点为放大电路的输出端。
[0010]进一步的是，所述下炉膛内设置有环形布气板，所述环形布气板水平设置在石墨坩祸的上方，所述环形布气板为夹层结构，包括第一上层板与第一下层板，所述第一上层板与第一下层板之间密封形成第一夹层空间，所述氩气管与第一夹层空间连通，所述第一下层板上设置有多个第一透气孔，所述多个第一透气孔在第一下层板上均布设置。
[0011]进一步的是，所述下炉膛底部设置有吸气板，所述吸气板水平设置，所述吸气板为夹层结构，包括第二上层板与第二下层板，所述第二上层板与第二下层板之间密封形成第二夹层空间，所述真空抽口与第二夹层空间连通，所述第二上层板上设置有多个第二透气孔，所述多个第二透气孔在第二上层板上均布设置。
[0012]进一步的是，所述真空栗的进口与真空抽口之间设置有旁路管，所述旁路管上设置有用于使旁路管导通或关闭的旁通阀，所述排放管上设置有用于使排放管导通或关闭的工艺阀，所述旁路管的内径为排放管内径的1/3-1/2。
[0013]进一步的是，所述工艺阀、旁通阀均为电磁阀，所述工艺阀上连接有第一触发式开关，所述旁通阀上连接有第二触发式开关，所述下炉膛内设置有真空计，还包括控制器，所述第一触发式开关、第二触发式开关、真空计分别与控制器电连接。
[0014]进一步的是，所述坩祸旋转顶