板170位于上底板150和下底板160之间，中隔板170与上底板150和底盘法兰140限定出冷却腔180，中隔板170与下底板160和底盘法兰140限定出进气腔111。排气管400和位于底盘本体100中心处的进气管300贯穿上底板150、中隔板170和下底板160，其余的进气管300贯穿上底板150和中隔板170。由此可以减少炉体下部进气管数量，简化设备安装和管路布置。
[0036]为了在上述底盘本体100上设置螺旋流道110，可以将多个导流板190设在冷却腔180内且在冷却腔180内限定出多个螺旋流道110，即冷却腔180可以由多个螺旋流道110共同组成。为提高导流板190在冷却腔180内的稳定性，多个导流板190可以焊接在中隔板170的上表面上。
[0037]进一步地，如图1所示，每个导流板190的邻近进气管300、排气管400和电极座200处分别设有弧形段191，由此一方面可以保持螺旋流道110的横截面积基本不变以保证冷却液的流速稳定，另一方面可以避免出现冷却死角而影响冷却效果。
[0038]本领域的技术人员可以理解地是，每个导流板190上的弧形段191的数量和位置可以根据实际应用和要求设置。
[0039]有利地，每个导流板190上设有沿导流板190的长度方向间隔设置的多个连通孔(图中未示出)，具体地，每个导流板190上可以设有3-10个所述连通孔，这些所述连通孔可以连通导流板190两侧的螺旋流道110，使相邻的两个螺旋流道110内的冷却液能够相互流通，从而避免产生冷却液流动死区。
[0040]可选地，上底板150为碳钢和不锈钢复合板，不锈钢部分起耐腐蚀和耐高温作用，碳钢部分起支撑和传热作用。中隔板170和下底板160均为碳钢板，有利于高温尾气、冷却液和进气气体进行热量交换，提高底盘组件10使用的稳定性。
[0041]在本实用新型的一些具体实施例中，如图2所示，用于多晶硅还原炉的底盘组件10还包括一个冷却液进管500和多个冷却液出管600。冷却液进口 120为一个且设置在底盘本体100的中心处，冷却液出口 130为多个且设置在底盘本体100的外周缘处。冷却液进管500和冷却液出管600均设在底盘本体100上且贯穿下底板160和中隔板170。其中，冷却液进管500设置在底盘本体100的中心处且与冷却液进口 120连通，冷却液出管600沿底盘本体100的周向等间距地设置在底盘本体100的外周缘处且分别与对应的冷却液出口 130连通。通过设置冷却液进管500和冷却液出管600，可以方便冷却液的输入和输出。
[0042]可选地，如图1和图2所示，多个进气管300中位于底盘本体100中心处的进气管300嵌套在冷却液进管500内，多个排气管400分别嵌套在多个冷却液出管600内。这样可以简化底盘组件10的结构，且可以减少底盘组件10外表管路的数量，从而减小管路在底盘本体100上占用的空间。
[0043]有利地，如图2所示，任一个冷却液出管600的最高点高于冷却液进管500的最高点，由此可以使冷却腔180内随时保证有一定量的冷却液。
[0044]下面参考附图描述根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉I。
[0045]如图1-图5所示，根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉I包括底盘组件、炉体20、多个电极30、进气系统和排气系统。
[0046]所述底盘组件为根据本实用新型上述实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。炉体20连接在底盘组件10的底盘法兰140上且与底盘组件10限定出反应腔。多个电极30分别设置在多个电极座200上且位于所述反应腔内。所述进气系统与多个进气管300相连.所述排气系统与多个排气管400相连。
[0047]根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉1，通过利用根据本实用新型的第一方面的实施例上述实施例的用于对晶硅还原炉的底盘组件10，具有冷却效果好、结构稳定、性能可靠等优点。
[0048]下面参考附图描述根据本实用新型具体实施例的多晶硅还原炉I。
[0049]如图3-图5所示，根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉I包括底盘组件、炉体20、多个电极30、进气系统和排气系统。
[0050]其中，炉体20的顶部为向上凸出的半球形封头21，半球形封头21的受力良好且应力小。经过研宄发现，采用半球形封头21后，下部的上升气流在顶部的上升阻力减小，在高度2400— 3200mm左右气速明显增加，有利于解决硅棒上部菜花严重的问题，对硅棒桥连部分的质量有一定改善作用，对于内圈娃棒而言，娃棒表面气速有1 %左右的提升。
[0051]进一步地，炉体20的壁内具有冷却水夹套，炉体20的侧壁的下部连接有与所述冷却水夹套连通的进水管22，半球形封头21的顶部连接有与所述冷却水夹套连通的出水管23，冷却水从炉体20下部的侧面进入，从炉体20顶部流出。所述冷却水夹套中设置有隔流挡板(图中未示出)，隔流挡板以阶梯状上升，并根据炉体20内壁的热负荷，设置一定的流通面积。
[0052]有利地，如图3所示，炉体20的上部设有上观察试镜41，炉体20的中部设有中观察试镜42，炉体20的下部设有下观察试镜43。下观察试镜43、中观察试镜42和上观察试镜41分别对应底部低温区、中上高温区和硅棒桥连部分，有利于及时反馈硅棒的生长情况，合理控制冷却量和硅棒电流。
[0053]在本实用新型的一些具体示例中，如图4所示，所述进气系统包括进气环管61和多个进气支管63。进气环管61设置在底盘本体100下方，进气环管61上设有进气口 62。多个进气支管63连接在进气环管61上且分别与底盘本体100的进气腔111连通。进气气体由进气口 62进入进气环管61，然后由多个进气支管63进入进气腔111，最后由多个进气管300进入炉体20内，进气管300是一段沿气体进入方向逐渐扩大的厚壁管。
[0054]上述进气系统的设计可与图2所示的底盘结构搭配使用。通过上底板150、下底板160、中隔板170三层结构，使中隔板170与下底板160和底盘法兰140限定出进气腔111。进气支管63先将进气气体送入进气腔111，分布均匀后再通过进气管300送入还原炉。由此可以在需要较多进气管300的情况下，不需要在每个进气管300下专设进气支管，从而减少炉体下部进气管数量，简化设备安装和管路布置。
[0055]其中，进气支管63与进气腔111的连通处设有进气挡板64，进气挡板64可以为矩形或圆形，防止进气气速过快而导致气体未在进气腔111均匀分布就直接通过进气管300冲入炉体20内。
[0056]如图4所示，所述排气系统包括排气环管71和多个排气支管73。排气环管71设置在底盘本体100下方，排气环管71上设有排气口 72。多个排气支管73连接在排气环管71上且分别与多个排气管400连通。炉体20内的高温尾气由多个排气管400进入多个排气支管73，然后汇聚到排气环管71并由排气口 72排出。
[0057]如图4所示，冷却液进管500下方连接有进液管74，多个冷却液出管600下方分别连接有多个出液管75。冷却液由底盘本体100中心处的进液管74和冷却液进管500进入冷却腔180，冷却腔180充满冷却液后，由底盘本体100外周缘处的多个冷却液出管600和多个出液管75流出。
[0058]其中，位于底盘本体100中心处的进气支管63嵌套在进液管74内，多个排气支管73分别嵌套在多个出液管75内，进气支管63和进液管74之间以及排气支管73和出液管75之间分别设有膨胀节76，以对套管因内外温差导致的位移进行补偿。
[0059]进出气管和进出液管的设置，可以避免进出气管道过多而与电极30发生干涉，极大地方便了多晶硅还原炉I的安装和维护，提高了操作的安全性。
[0060]在本实用新型的一些具体实施例中，如图4所示，进气管300的上端连接有喷嘴
50 ο
[0061 ] 具体地，如图5所示，喷嘴50包括基座51、导向杆52、引流转子55和止挡螺母57。
[0062]基座51包括内直径恒定的顺流部和位于所述顺流部上方且内直径由下至上逐渐增大的引流部，基座51的下部设有外螺纹，用于与底盘本体100的上底板150连接，保证喷嘴50在炉内高温下长期运行的稳定性。导向杆52上设有外螺纹且设在基座