陶瓷烧结体、用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及陶瓷烧结体，用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件。
【背景技术】
[0002] 目前，作为发动机零件、熔液金属用构件、切削工具等的工业用零件，使用氮化硅 质烧结体。
[0003] 作为这样的氮化硅质烧结体，例如，在专利文献1中，提出有一种氮化硅质烧结 体，其含有0. 5~9体积％的平均粒径的范围是5~30μm的硅化铁粒子。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开平9-227236号公报
[0007] 可是，考虑以提高氮化硅质烧结体的耐热冲击性为目的而含有硅化铁，但是，若其 量过多，则存在于表层的硅化铁变得过多，因此硅化铁氧化时，有烧结体发生变色这样的问 题。
【发明内容】
[0008] 本发明是为了解决上述这样的问题而提出的，其目的在于，提供一种陶瓷烧结体， 其控制表层所含的硅化铁，耐热冲击性优异，并且抑制了变色。
[0009] 本发明的陶瓷烧结体，其特征在于，相对于总质量含有氮化硅80质量％以上而构 成，在表层中散布含有Fe和Si的化合物，当量圆直径为0.05μπι以上且5μπι以下的所述 化合物每1mm2中存在2. 0Χ10 4个以上且2. 0Χ10 5个以下。
[0010] 另外，本发明的耐腐蚀性构件，其特征在于，使用上述陶瓷烧结体构成。
[0011]另外，本发明的过滤器，其特征在于，使用上述陶瓷烧结体构成。
[0012] 另外，本发明的防光晕构件，其特征在于，使用上述陶瓷烧结体构成。
[0013] 根据本发明的陶瓷烧结体，相对于总质量含有氮化硅80质量％以上而构成，在表 层中散布含有Fe和Si的化合物，当量圆直径为0. 05μm以上且5μm以下的所述化合物每 1mm2存在2. 0X10 4个以上且2. 0X10 5个以下，因此耐热冲击性优异，并且能够抑制变色。 [0014]另外，根据本发明的耐腐蚀性构件，由于使用上述陶瓷烧结体构成，所以耐热冲击 性优异，并且能够抑制变色。
[0015] 另外，根据本发明的过滤器，由于使用上述陶瓷烧结体构成，所以耐热冲击性优 异，并且能够抑制变色。
[0016] 另外，根据本发明的防光晕构件，由于使用上述陶瓷烧结体构成，所以耐热冲击性 优异，并且能够抑制变色。
【附图说明】
[0017] 图1表示使用本实施方式的陶瓷烧结体构成的耐腐蚀性构件的一例的加热器管 的纵剖面图。
[0018] 图2表示使用本实施方式的陶瓷烧结体构成的作为耐腐蚀性构件的一例的钓丝 用导向环和具备该钓丝用导向环的钓丝用导向装置的一例，（a)是钓丝用导向环的俯视图， (b)是具备（a)的钓丝用导向环的钓丝用导向装置的立体图。
[0019] 图3是示意性地表示使用本实施方式的陶瓷烧结体构成的过滤器和具备该过滤 器的气体处理装置的一例的概略剖面图。
【具体实施方式】
[0020] 本实施方式的陶瓷烧结体，相对于总质量（构成陶瓷烧结体的全部成分100质 量％ )含有氮化硅80质量％以上而构成，在表层中散布含有Fe和Si的化合物（以下，在 仅记述为化合物的情况。），当量圆直径为〇. 05μm以上且5μm以下的化合物每1mm2中存 在2.OX104个以上、2. 0X10 5个以下。还有，本实施方式中的所谓表层，是指处于距陶瓷烧 结体的表面深度低于1_的范围的部分，所谓内部，是指处于陶瓷烧结体的表层以外的范 围的部分。这样的陶瓷烧结体，如果在表层，当量圆直径为0. 05μπι以上且5μπι以下的化 合物每1mm2中存在2. 0Χ10 4个以上且2. 0Χ10 5个以下时，则在热力学上稳定的化合物在 上述范围内散布，除了能够使耐热冲击性提高以外，还能够抑制陶瓷烧结体的氧化造成的 变色（以下，仅称为氧化造成的变色。）。
[0021] 在此，所谓含有Fe和Si的化合物，是由Fe和Si构成的化合物，或是由Fe和Si， 与氧、钨、铝、镁、钙、钠和钾中的至少任意一个构成的化合物。
[0022] 作为由Fe和Si构成的化合物，能够例示由组成式FeSi3、FeSi2、FeSi、Fe2Si3、 Fe3Si、Fe3Si2、Fe3Si4、Fe3Si7、Fe5Si2SFe5Si3表示的，以下以FeSi2进行说明。
[0023] 另外，在陶瓷烧结体的表层是否散布含有Fe和Si的化合物，能够以如下方式确 认，即，通过能量色散型X射线光谱法确认存在于表层的元素的分布状态，通过X射线衍射 法识别存在于表层的结晶。
[0024] 另外，当量圆直径为0. 05μπι以上且5μπι以下的化合物每1mm2中的个数，使用扫 描型电子显微镜使倍率为1000倍，例如，使面积为10. 8XΙΟ4μm2 (横向的长度为127μm，纵 向的长度85. 3μπι)而设定范围，以CCD照相机摄取这一范围的图像，使用图像分析软件"A 像<Λ/'（注册商标，旭化成工>9二7卩 （株）制），以粒子分析这样的方法进行分析 即可。在此，作为这一方法的设定条件，将亮度设定为暗，二值化的方法为手动，小图形除去 面积为5μπι2,作为表示图像的明暗的指标的阈值，设定为表示图像内的各点（各像素）具 有的亮度的直方图的峰值的0. 8倍以上、2倍以下即可。还有，也可以使用光学显微镜代替 扫描型电子显微镜。
[0025] 另外，使用本实施方式的陶瓷烧结体构成的耐腐蚀性构件、过滤器或防光晕构件， 如上述，耐热冲击性优异，并且能够抑制氧化造成的变色。
[0026] 还有，作为耐腐蚀性构件，例如，能够例示熔液金属用的加热器管、钓丝用的导向 环和半导体制造装置用的结构构件等。作为过滤器，例如，其用于捕集从内燃机、焚烧炉或 锅炉等发生的废气中所含的微粒子和水中的杂质，能够例示其是用于使废气和水通过过滤 器，在陶瓷烧结体的表面，捕集微粒子和杂质。另外，作为防光晕构件，能够例示用于防止光 晕现象发生的构件，这一现象的意思即，照到特别强的光的部分其周围发白而拍摄得模糊 的现象。还有，防光晕构件，例如，会被装配在使用了CCD照相机等光学仪器的质量检查装 置上，用于电子零件等的检查。
[0027] 另外，本实施方式的陶瓷烧结体，相对于构成陶瓷烧结体的全部成分100质量％， 氮化硅含有80质量％以上即可，特别是若含有85质量％以上，则放热特性和机械的强度有 更高的倾向，因此优选。还有，氮化硅的含量，其计算是利用氮分析装置测量陶瓷烧结体的 氮的含量，由这一氮的含量换算成氮化硅的含量即可。
[0028] 另外，构成陶瓷烧结体的各元素的含量，能够通过荧光X射线分析法或 ICP(InductivelyCoupledPlasma:电感親合等离子体）发光分析法求得。
[0029] 另外，本实施方式的陶瓷烧结体，优选在氮化硅的结晶的晶界相（以下，仅称为晶 界相）含有钙镁橄榄石（CaMgSi04)和镁硅钙石（Ca3MgSi20s)中的至少任意一种。还有，晶 界相也可以含有钙镁橄榄石和镁硅钙石以外的结晶相和非晶质相。
[0030] 这样的陶瓷烧结体，与在晶界相不含钙镁橄榄石和镁硅钙石的陶瓷烧结体相比， 晶界相所含的非晶质相相对性地变少。因此，在本实施方式的陶瓷烧结体中，若曝露在酸和 碱成分中则容易腐蚀的非晶质相相对来说少，因此即使曝露在酸和碱成分中，也能够将机 械的强度维持得很高，除此以外，由于高温时特别容易溶出的非晶质相相对地少，所以即使 曝露在高温下也难以变形。此外，因为钙镁橄榄石和镁硅钙石的结晶相比非晶质相导热率 高，所以本实施方式的陶瓷烧结体有放热特性高的倾向。
[0031] 另外，本实施方式的陶瓷烧结体，钙镁橄榄石和镁硅钙石的各含量的合计，优选表 层的一方比内部多。根据这样的构成，相比内部，晶界相的非晶质相在表层相对地少，因此 特别是针对表层，除了耐腐蚀性以外，还能够使耐磨耗性提高。在此，含量的合计的比较，例 如，以如下方式进行即可。在陶瓷烧结体的表层和内部，使用X射线衍射法，分别测量钙镁 橄榄石和镁硅钙石的各峰值强度，分别合计强度最高的峰值强度，对其结果进行比较即可。
[0032] 另外，本实施方式的陶瓷烧结体中，优选在表层，衍射角34°~35°下的钙镁橄 榄石和镁硅钙石的各自的峰值强度^和I2的合计，相对于由X射线衍射法求得的衍射角 27°~28°下的氮化硅的峰值强度I。的比率{(IfU/^XlOO}为4%以上。如果是这样 的范围，则在表层，能够将晶界相的非晶质相控制得很少，因此除了耐腐蚀性以外，还能够 提尚耐磨耗性。
[0033] 另外，本实施方式的陶瓷烧结体，也可以在晶界相中含有铝和钙。
[0034] 若晶界相中含有铝和钙，则其氧化