磁控溅射镀膜设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种磁控溅射镀膜设备。
【背景技术】
[0002] ITO(氧化铟锡）为n型多晶态薄膜材料，是目前在平板显示、触控等方面应用最广 的透明导电材料。无论是LCD、电阻式触摸屏还是电容式触摸屏，目前都大量采用ITO玻璃 作为其透明导电基板。ITO玻璃包括玻璃基板及层叠于玻璃基板上的ITO薄膜。
[0003] 随着柔性显示、柔性触控、曲面显示、曲面触控等柔性显示、触控等产品越来越多 的，对透明导电基板的柔韧性、可弯曲能力提出新要求。
[0004] 然而，目前ITO玻璃多采用磁控溅射方式生产，受制于生产设备及生产工艺，ITO 薄膜的内应力较大、硬度较高，而柔韧性不足，在后续加工、使用过程中难以避免ITO薄膜 出现断层、开裂、脱落等现象，因而难以满足柔性显示产品的需求。 【实用新型内容】
[0005] 基于此，有必要提供一种磁控溅射镀膜设备，用于制备柔韧性较高的ITO玻璃。
[0006] 一种磁控溅射镀膜设备，包括依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓 冲室和出口锁定室，所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热 器；
[0007] 所述镀膜腔室的设定温度为380°C~600°C，所述第一过渡室的设定温度为 300°C~500°C，所述第二过渡室的设定温度为250°C~400°C，所述缓冲室的设定温度为 100°C~300°C，所述出口锁定室的设定温度为20°C~200°C。
[0008] 在一个实施例中，所述镀膜腔室的设定温度为480°C，所述第一过渡室的设定温度 为400°C，所述第二过渡室的设定温度为350°C，所述缓冲室的设定温度为200°C，所述出口 锁定室的设定温度为20°C。
[0009] 在一个实施例中，所述第一过渡室的长度为0. 9m~3. 6m，所述第二过渡室的长度 为0. 9m~3. 6m，所述缓冲室的长度为0. 9m~3. 6m，所述出口锁定室的长度为0. 9m~3. 6m。 [0010] 在一个实施例中，所述镀膜腔室与所述第一过渡室通过第一阀门连接，所述第一 过渡室和所述第二过渡室通过第二阀门连接，所述第二过渡室和所述缓冲室通过第三阀门 连接，所述缓冲室和所述出口锁定室通过第四阀门连接。
[0011] 在一个实施例中，还包括与所述出口锁定室连接的加热室及与所述加热室相连的 第五冷却室。
[0012] 在一个实施例中，所述加热室的设定温度为200°C~400°C，所述第五冷却室的设 定温度为50°C~300°C，所述加热室和所述第五冷却室内的压强均为大气压。
[0013] 上述磁控溅射镀膜设备通过设置依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、 缓冲室和出口锁定室，且第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热 器，可以通过加热器分别控制第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室的温度，使得 在镀膜腔室中镀制ITO薄膜后，镀好ITO薄膜的玻璃基板依次通过第一过渡室、第二过渡 室、缓冲室和出口锁定室进行逐渐冷却，以释放IT0薄膜的内应力，降低IT0薄膜的硬度，制 备柔韧性较高的IT0玻璃。
【附图说明】
[0014] 图1为一实施方式的磁控溅射镀膜设备的结构示意图；
[0015] 图2为一实施方式的IT0玻璃的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0016] 为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本 实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分 理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域 技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公 开的具体实施的限制。
[0017] 请参阅图1，一实施方式的磁控溅射镀膜设备100,包括依次相连的镀膜腔室10、 第一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50。镀膜腔室10、第一过渡室20、 第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50呈直线式排列。
[0018] 镀膜腔室10用于进行磁控溅射镀膜。优选地，本实施方式中，镀膜腔室10包括依 次相连、且呈直线式排列的第一镀膜室101、第二镀膜室102、第三镀膜室103、第四镀膜室 104、第五镀膜室105、第六镀膜室106、第七镀膜室107、第八镀膜室108和第九镀膜室109。 其中，第九镀膜室109与第一过渡室20相连。
[0019] 设置九个镀膜室进行镀膜，有利于提高膜层均匀性，同时多个腔体镀膜，可以最小 化均分镀膜功率，便于避免因镀膜功率过大引起膜层应力过高。第一镀膜室101、第二镀 膜室102、第三镀膜室103、第四镀膜室104、第五镀膜室105、第六镀膜室106、第七镀膜室 107、第八镀膜室108和第九镀膜室109中均设置有镀膜加热器60 (图1仅标示出一个），用 于控制玻璃基板的温度。
[0020] 可以理解，第一镀膜室101、第二镀膜室102、第三镀膜室103、第四镀膜室104、第 五镀膜室105、第六镀膜室106、第七镀膜室107、第八镀膜室108和第九镀膜室109均与抽 真空设备（图未标）相连，用于对九个镀膜室进行抽空真空，以进行真空镀膜。
[0021] 第一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50中均设置有加热器70。 设置加热器70用于控制第一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50的温度， 以实现IT0薄膜的缓冷。
[0022] 镀膜腔室10的设定温度为380~600°C。通过加热器70控制第一过渡室20的设 定温度为300°C~500°C、第二过渡室30的设定温度为250°C~400°C、缓冲室40的设定温 度为100°C~300°C及出口锁定室50的设定温度为20°C~200°C。
[0023] 优选地，镀膜腔室10的设定温度为480°C，第一过渡室20的设定温度为400°C，第 二过渡室30的设定温度为350°C，缓冲室40的设定温度为200°C，出口锁定室50的设定温 度为20°C。
[0024] 优选地，加热器70为红外加热器，以保证上述四个冷却室中的温度均匀性。
[0025] 优选地，第一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50均与抽真空设 备（图未标）相连，用于控制第一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50的 真空度，以使玻璃基板和ITO薄膜是在设备内部真空环境进行缓冷，并经过各过渡室的门 阀，实现不同设备真空腔体间真空度的变化，使玻璃由真空环境逐渐运走至大气压环境，避 免骤然真空度变化而引起的玻璃基板和ITO薄膜破裂。
[0026] 优选地，第一过渡室20的长度为0. 9m~3. 6m，第二过渡室30的长度为0. 9m~ 3. 6m，缓冲室40的长度为0? 9m~3. 6m，出口锁定室50的长度为0? 9m~3. 6m，合理设置第 一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40及出口锁定室50的长度，使得镀好ITO薄膜的玻璃 基板以合适的运行速率在第一过渡室20、第二过渡室30、缓冲室40和出口锁定室50中运 行合适的时间，以获得较好的缓冷效果。
[0027] 镀膜腔室10与第一过渡室20通过第一阀门（图未标）连接，第一过渡室20和第 二过渡室30通过第二阀门（图未标）连接，第二过渡室30 (图未标）和缓冲室40通过第 三阀门（图未标）连接，缓冲室30和出口锁定室50通过第四阀门（图未标）连接。镀膜 过程中，玻璃固定在基片架上镀膜。随着连续多个基片架运动到不同位置时，第一阀门、第 二阀门、第三阀门和第四阀门处于关闭或开启状态。当装载镀好ITO薄膜的玻璃的基片架 运行到某一冷却室前时，相应的阀门开启，装载已镀好ITO薄膜的玻璃的基片架进入下一 腔体后门阀即关闭。
[0028] 优选地，磁控溅射镀膜设备100还包括控制系统（图未示），控制系统用于控制玻 璃基板的运行、抽真空设备的工作、镀膜、第一阀门、第二阀门、第三阀门和第四阀门的开启 和关闭等，以实现自动化作业，提尚效