衬底处理装置喷头模块的滚珠丝杠喷头模块调节器组件的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明属于用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置，并且可特别适用于执行薄膜的化学气相沉积。
【背景技术】
[0002]半导体衬底处理装置被用于通过包括以下技术的技术来处理半导体衬底:物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、脉冲沉积层(PDL)、分子层沉积(MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(PETOL)处理、蚀刻和抗蚀剂的去除。一种类型的用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置包括含有喷头模块的反应室和将半导体衬底支撑在该反应室中的衬底基座模块。喷头模块输送处理气体到反应器室中，以便可以对半导体衬底进行处理。在这样的室中安装和拆卸喷头模块可能是耗时的，并且如果喷头模块的下表面不平行于衬底基座模块的上表面，则在衬底处理过程中可能发生进一步的非均匀的膜沉积。
【发明内容】
[0003]本文公开了用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置。衬底处理装置包括:化学隔离室，在其中单个的半导体衬底被处理，其中顶板形成化学隔离室的上壁；与化学隔离室流体连通的处理气体源，其用于将处理气体供给至化学隔离室中；喷头模块，其将处理气体从处理气体源输送至处理装置的处理区，在该处理区单个的半导体衬底被处理，其中喷头模块包括附连到杆的下端的基体，其中具有气体通道穿过其中的面板形成基体的下表面；以及衬底基座模块，其被配置成在衬底的处理过程中在面板下方的处理区中支撑半导体衬底。滚珠丝杠喷头模块调节器组件将喷头模块支撑在顶板中，其中滚珠丝杠喷头模块调节器组件能操作地相对于邻近喷头模块的面板的衬底基座模块的上表面调整喷头模块的面板的平面化(planarizat1n)。滚珠丝杠喷头模块调节器组件包括:被支撑在顶板的阶梯开口中的套环，其中O形环在套环的下表面与阶梯开口的水平上表面之间形成气密密封；在套环与被至少三个可调的滚珠丝杠支撑在套环上方的调节器板之间形成气密密封的波纹管，其中该至少三个可调的滚珠丝杠能操作地相对于套环调整调节器板的平面化；以及延伸通过套环中的开口、波纹管和调节器板的绝缘套管，其中在绝缘套管的上端上的凸缘被固定地支撑在调节器板的上表面上并且O形环形成其间的气密密封。喷头模块的杆通过螺母组件被支撑在绝缘套管的阶梯开口中。螺母组件能操作地抵靠绝缘套管的圆锥形肩挤压螺母组件下方的杆的锥形/圆锥形肩，使得喷头模块的杆被固定地支撑并对准在绝缘套管内，以便调节器板的平面化的调整借此调整喷头模块的面板的平面化。
[0004]本文还公开了一种滚珠丝杠喷头模块调节器组件，其被配置成将喷头模块支撑在用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置的顶板中。滚珠丝杠喷头模块调节器组件能操作地相对于被配置成邻近喷头模块的面板的衬底基座模块的上表面调整喷头模块的面板的平面化。滚珠丝杠喷头模块调节器组件包括:被配置成支撑在顶板的阶梯开口中的套环，其中O形环被配置成在套环的下表面与阶梯开口的水平上表面之间形成气密密封；在套环与被至少三个可调的滚珠丝杠支撑在套环上方的调节器板之间形成气密密封的波纹管，其中该至少三个可调的滚珠丝杠能操作地相对于套环调整调节器板的平面化；以及延伸通过套环中的开口、波纹管和调节器板的绝缘套管，其中在绝缘套管的上端上的凸缘被固定地支撑在调节器板的上表面并且O形环形成其间的气密密封。喷头模块的杆被配置成通过螺母组件被支撑在绝缘套管的阶梯开口中，该螺母组件被配置成抵靠绝缘套管的圆锥形肩挤压螺母组件下方的杆的锥形/圆锥形肩，使得喷头模块的杆被固定地支撑并对准在绝缘套管内，以便调节器板的平面化的调整借此调整喷头模块的面板的平面化。
【附图说明】
[0005]图1根据本文公开的实施方式示出了显示化学沉积装置的概观的示意图。
[0006]图2示出了描绘被布置用于实施本文公开的实施方式的各种装置部件的方框图，其中在薄膜的产生过程中，等离子体可以用于反应物质之间的增强沉积和/或表面反应。
[0007]图3示出了根据本文公开的实施方式布置的喷头模块。
[0008]图4示出了根据本文公开的实施方式布置的喷头模块的横截面。
[0009]图5示出了根据本文公开的实施方式布置的滚珠丝杠喷头模块调节器组件的横截面。
[0010]图6示出了根据本文公开的实施方式布置的螺母组件的横截面。
【具体实施方式】
[0011]在下面的详细描述中，为了使本文公开的装置和方法能被全面理解，阐述了许多【具体实施方式】。然而，如对本领域技术人员将显而易见的是，这些实施方式可以在没有这些具体细节的情况下或者通过使用替代元素或处理来实现。在其它情况下，为了避免不必要地使本文公开的实施方式的各方面难以理解，未对公知的处理、程序和/或部件进行详细描述。如本文中与数值结合使用的术语“约”是指±10%。
[0012]如所示出的，这些实施方式提供了半导体衬底处理装置，例如沉积装置(或在替代实施方式中的蚀刻装置)，以及用于进行化学气相沉积的相关的方法，例如等离子体增强化学气相沉积。该装置和方法特别适用于与基于电介质沉积处理或金属沉积处理的半导体制造结合使用，该电介质沉积处理或金属沉积处理需要在多步骤沉积处理(例如，原子层沉积(ALD)处理、等离子体增强原子层沉积(PEALD)处理、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理、脉冲沉积层(TOL)处理、分子层沉积(MLD)处理、或等离子体增强脉冲沉积层(PETOL)处理)中分离自限制沉积步骤，但是它们并不限于此。可以在共同受让的美国专利申请 N0.2013/0230987、N0.2013/0005140、N0.2013/0319329、和美国专利 8，580,697、8，431，033和8，557，712中找到处理半导体衬底的方法的示例性实施方式，这些专利文件的全文通过引用并入此处。
[0013]前面提到的处理可能遭受一些与非均匀的处理气体输送到接受诸如处理气体前体或反应物之类的沉积处理气体的晶片或半导体衬底的上表面相关联的缺点。例如，如果输送处理气体至半导体衬底的喷头模块的下表面不平行于支撑半导体衬底的衬底基座模块的上表面，则会形成半导体衬底的上表面上的非均匀的前体分布。此外，相对于衬底基座模块安装、拆卸和平面化喷头模块的操作可能是耗时的，并且可能增加半导体衬底处理装置的停机时间。
[0014]通常有两种主要类型的CVD喷头模块:吊灯型和嵌入式安装型。吊灯喷头模块具有一端附连到反应室的顶板以及另一端附连到面板的杆，类似于吊灯。杆的一部分可以伸出顶板以使气体管线和RF功率能够连接。嵌入式安装喷头模块被集成到室的顶部并且不具有杆。本文所公开的本实施方式属于吊灯型喷头