一种动态电弧生长仪的利记博彩app

本实用新型涉及薄膜生长装置，特别是一种动态电弧生长仪。

背景技术：

金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性、耐磨损性、极佳的化学惰性，以及从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。因此，实现金刚石薄膜的可控生长，降低金刚石薄膜的合成成本，是将金刚石薄膜推向应用的关键。

但现有的金刚石薄膜的生长方法经常使用直流电弧生长方法。如在100托左右的气压下，CH4/H2以百分之几的流量比例通入生长室，气体分子在电弧等离子区分解形成CH3和H，扩散到下部的衬底上，生长成为金刚石膜。在此过程中，CH3浓度越高生长越快，H浓度越高质量越好。电弧温度越高，CH3和H的浓度越高。但这种方法有三点不足。第一，衬底与电弧直接连接，不导电的衬底无法使用，金刚石生长的衬底温度为800～1100度，限制了电弧等离子区的最高使用温度。第二，电弧稳定性受气压，距离，表面形貌的适时影响，气压的微小波动会立刻影响电弧的放电行为，转化为衬底温度的适时变化，不利于均匀金刚石膜的形成和生长。第三，电弧从中心到边缘存在固有的温度梯度，使得衬底上的温度常是中心高外围低，长成的金刚石膜也表现为中心厚，边缘薄。不利于大面积金刚石膜的均匀生长。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种动态电弧生长仪，避免直流电弧生长法衬底温度波动大，避免温度中心到边缘的温度梯度不足的问题，该动态电弧生长仪具有高电弧温度，稳定温度场和可调节的温度梯度，便于制备大面积均匀金刚石膜。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种动态电弧生长仪，包括高压正极、高压负极、控制处理器、第一IGBT、第二IGBT、限流电阻、正钨电极杆组和负钨电极杆组，所述正钨电极杆组包括第一钨电极杆、第二钨电极杆、第三钨电极杆、第四钨电极杆、第五钨电极杆和第六钨电极杆，所述负钨电极杆组包括第七钨电极杆、第八钨电极杆、第九钨电极杆、第十钨电极杆、第十一钨电极杆和第十二钨电极杆，正钨电极杆组和负钨电极杆组交叉排列，并构成放电单元二维点阵，正钨电极杆组和负钨电极杆组为上下交叉，两个钨电极杆组之间的间隙为d，正钨电极杆组为竖向排列，正钨电极杆组依次通过限流电阻、第一IGBT和高压正极相连，负钨电极杆组为横向排列，负钨电极杆组通过第二IGBT与高压负极相连，所述控制处理器分别与第一IGBT和第二IGBT相连。

本实用新型中，设有横向的钨电极杆组和竖向的钨电极杆组，两个钨电极杆组交叉排列，竖向的钨电极杆组在导通回路中设置有限流电阻，该导通回路中的放电频率为40KHz，该放电功率由限流电阻和IGBT的开通和关闭时间相关。

本实用新型中，正钨电极杆组和负钨电极杆组中，相邻两钨电极杆的间距为4mm，每个钨电极杆的直径为1mm。

本实用新型中，两个钨电极杆组之间的间隙d为1mm。

本实用新型中，高压正极为1千伏高压正极，高压负极为1千伏高压负极。

本实用新型中，第一IGBT和第二IGBT的放电频率为40KHz。

本实用新型的有益效果为：

(1)避免直流电弧生长法衬底温度波动大，避免温度中心到边缘的温度梯度不足的问题；

(2)该动态电弧生长仪具有高电弧温度，稳定温度场和可调节的温度梯度，便于制备大面积均匀金刚石膜；

(3)电弧稳定性强，有利于利于大面积金刚石膜的均匀生长。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型生长仪使用时的结构示意图；

图中，1-第一钨电极杆，2-第二钨电极杆，3-第三钨电极杆，4-第四钨电极杆，5-第五钨电极杆，6-第六钨电极杆，7-第七钨电极杆，8-第八钨电极杆，9-第九钨电极杆，10-第十钨电极杆，11-第十一钨电极杆，12-第十二钨电极杆，13-限流电阻，14-第一IGBT，15-第二IGBT，16-控制处理器，17-高压正极，18-高压负极，20-放电层，21-衬底，22-衬底控温台。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：

如图1所示，一种动态电弧生长仪，包括高压正极17、高压负极18、控制处理器16、第一IGBT 14、第二IGBT 15、限流电阻13、正钨电极杆组和负钨电极杆组，所述正钨电极杆组包括第一钨电极杆1、第二钨电极杆2、第三钨电极杆3、第四钨电极杆4、第五钨电极杆5和第六钨电极杆6，所述负钨电极杆组包括第七钨电极杆7、第八钨电极杆8、第九钨电极杆9、第十钨电极杆10、第十一钨电极杆11和第十二钨电极杆12，正钨电极杆组和负钨电极杆组交叉排列，并构成放电单元二维点阵，正钨电极杆组和负钨电极杆组为上下交叉，两个钨电极杆组之间的间隙为d，正钨电极杆组为竖向排列，正钨电极杆组依次通过限流电阻13、第一IGBT 14和高压正极17相连，负钨电极杆组为横向排列，负钨电极杆组通过第二IGBT 15与高压负极18相连，所述控制处理器16分别与第一IGBT 14和第二IGBT 15相连。

本实用新型中，设有横向的钨电极杆组和竖向的钨电极杆组，两个钨电极杆组交叉排列，竖向的钨电极杆组在导通回路中设置有限流电阻13，该导通回路中的放电功率为40KHz，该放电功率由限流电阻13和IGBT的开通和关闭时间相关。

本实用新型中，第一IGBT 14用于控制正钨电极杆组与高压正极17之间的导通和关断，第二IGBT 15用于控制负钨电极杆组与高压负极18之间的导通和关断，高压正极17为1千伏高压正极，高压负极18为1千伏高压负极，正负两钨电极杆组之间的间隙为1mm，第一IGBT和第二IGBT的放电频率为40KHz。

本实用新型中，正钨电极杆组和负钨电极杆组中，相邻两钨电极杆的间距为4mm，每个钨电极杆的直径为1mm。

在图2中，放电层20为本申请中的钨电极杆组，衬底21设于放电层20下方，衬底21与放电层20之间的间距为1cm，衬底21下方设有衬底控温台22，衬底控温台22下方设有生长室。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。