1.一种铜或铜合金的选择性蚀刻液，其特征在于，按重量份计，包含过醋酸水溶液5-18份、三氟丙酮酸乙酯0.5-3份、二溴新戊二醇0.1-5份、乙二胺四乙酸0.1-5份、2,2-双(4-甲基苯基)六氟丙烷0.1-5份、4,4'-(2,2,2-三氟-1-三氟甲基)亚乙基双(1,2-苯二甲酸)0.1-30份、水50-200份。
2.根据权利要求1所述的一种铜或铜合金的选择性蚀刻液，其特征在于，按重量份计，包含过醋酸水溶液9-16份、三氟丙酮酸乙酯1-2.5份、二溴新戊二醇2.5-4份、乙二胺四乙酸0.1-0.5份、2,2-双(4-甲基苯基)六氟丙烷0.3-1份、4,4'-(2,2,2-三氟-1-三氟甲基)亚乙基双(1,2-苯二甲酸)15-30份、水100-150份。
3.根据权利要求2所述的一种铜或铜合金的选择性蚀刻液，其特征在于，按重量份计，包含过醋酸水溶液12份、三氟丙酮酸乙酯1.6份、二溴新戊二醇3.3份、乙二胺四乙酸0.2份、2,2-双(4-甲基苯基)六氟丙烷0.5份、4,4'-(2,2,2-三氟-1-三氟甲基)亚乙基双(1,2-苯二甲酸)18份、水180份。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种铜或铜合金的选择性蚀刻液，其特征在于，所述水为净化水或去离子水。
5.根据权利要求1-3任一项所述的一种铜或铜合金的选择性蚀刻液，其特征在于，所述过醋酸水溶液浓度为18-23wt％。
6.一种权利要求1-5任一项所述铜或铜合金的选择性蚀刻液用于从同时包括铜或铜合金和钼或钼合金的多层膜中选择性蚀刻铜或铜合金的用途。
7.一种利用权利要求1-5任一项所述铜或铜合金的选择性蚀刻液制造薄膜晶体管的基底的方法，包括如下步骤：
(1)提供基材；
(2)于该基材上通过依次沉积钼或钼合金以及铜或铜合金来形成具有钼层和铜层、钼层和铜合金层、钼合金层和铜层或钼合金层和铜合金层多层层叠的多层膜；
(3)在铜或铜合金层上涂布光致抗蚀剂层，曝光，显影，形成抗蚀图层图案后，利用权利要求1-5任一项所述铜或铜合金的选择性蚀刻液和湿法蚀刻工艺对经过多层膜进行作用，选择性裸露出钼或钼合金层。
8.权利要求7所述的方法制备得到的薄膜晶体管的基底。
9.一种权利要求8所述薄膜晶体管的基底在TFT-LCD中的应用。