本发明涉及半导体加工
技术领域：
，特别涉及一种侧蚀小的铜蚀刻液。
背景技术：
：蚀刻就是用化学方法按一定的深度除去不需要的金属。蚀刻技术被广泛用在装饰、电路板、精密加工和电子零件加工等领域。蚀刻开始时，金属板表面被图形所保护，其余金属面均和蚀刻液接触，此时蚀刻垂直向深度进行。当金属表面被蚀刻到一定深度后，裸露的两侧出现新的金属面，这时蚀刻液除向垂直方向还向两侧进行蚀刻。随着蚀刻深度的增加，两侧金属面的蚀刻的面积也在加大。侧蚀最后导致的结果是使凸面的图形(泛指阳图)线条或网点变细变小，凹图的线条或网点变粗变大，使图形变形或尺寸超差，严重时使产品报废。所以侧蚀是蚀刻中的大敌。目前市场上大部分金属铜蚀刻液存在侧蚀较大、形成大量泡沫或稳定性较差等问题。本发明就是为了提供一种新的铜蚀刻液来解决以上问题。技术实现要素：本发明的主要目的在于提供一种侧蚀小的铜蚀刻液。本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种侧蚀小的铜蚀刻液，其配方包括：1-15wt％过氧化氢，1-25wt％无机酸，1-20wt％有机酸，1-30wt％盐类，0.5-2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。具体的，所述无机酸为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、次氯酸、高锰酸中的一种。具体的，所述有机酸为冰醋酸、甲酸、草酸、柠檬酸、羟基乙酸、丁酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸中的一种。具体的，所述盐类为盐酸盐、硫酸盐或乙酸盐。采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：本发明铜蚀刻液蚀刻均匀，降低了侧蚀现象，而且不会形成泡沫，稳定性好。具体实施方式下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。一种侧蚀小的铜蚀刻液，其配方包括：1-15wt％过氧化氢，1-25wt％无机酸，1-20wt％有机酸，1-30wt％盐类，0.5-2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。实施例1～10：按照表1的配方配制铜蚀刻液。表1：注：表1内总配比不到100wt％的部分均为去离子水。以现有市面上买到的以过氧化氢和无机酸为主要成分的铜蚀刻液作为对照例，同实施例1～10制得的铜蚀刻剂采用下部喷淋的方法分别对电路板蚀刻60s，然后清洗蚀刻面，对蚀刻面的厚度误差率、蚀刻量和侧蚀率进行测量，观察是否存在泡沫引起的表面不良，得到如下结果。表2：厚度误差率侧蚀量/μm侧蚀率有无气泡不良实施例1＜10％0.720.31无实施例2＜10％0.640.32无实施例3＜10％0.550.43无实施例4＜10％0.660.26无实施例5＜10％0.870.30无实施例6＜10％0.970.48无实施例7＜10％0.930.38无实施例8＜10％0.770.32无实施例9＜10％0.580.42无实施例10＜10％0.840.39无对照例＜15％2.00±0.200.7±0.1有从表2所示的测试结果可以看出，在同样没有气泡不良的前提下，新的铜蚀刻液使用后的厚度误差率更小，意味着蚀刻更加均匀；新的铜蚀刻液在60s内的侧蚀量普遍小于1μm，明显低于对照例。而侧蚀率低表征铜蚀刻液能够更好地往铜面的厚度方向腐蚀，在蚀刻时间合理的条件下蚀刻一定厚度的铜面能造成更小的侧蚀，也就降低了侧蚀现象，所得到的产品质量稳定性更好。因此相比于原技术，本方案蚀刻效果更佳。以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。当前第1页1 2 3