一种磁控溅射镀膜装置的利记博彩app

本实用新型涉及溅射镀膜领域，特别是涉及一种磁控溅射镀膜装置。

背景技术：

磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜的过程，即为溅射镀膜。现有的磁控溅射镀膜装置在形成的镀膜层均匀性上还存在均匀性差，稳定性差的问题。

本实用新型就是在现有的磁控溅射镀膜装置的基础上进行改进，创设的一种镀膜效果好的新的磁控溅射镀膜装置，成为当前业界极需改进的目标。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种磁控溅射镀膜装置，使其镀膜效果好且容易控制，从而克服现有的磁控溅射镀膜装置的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种磁控溅射镀膜装置，包括磁控镀膜室和设置于所述磁控镀膜室中的靶材和基片，所述靶材和基片之间设置有溅射窗以及设置在所述溅射窗两侧的修正板，所述修正板用于调节从所述溅射窗窗口穿过并沉积到所述基片表面的靶材粒子量。

作为本实用新型的一种改进，所述修正板可调节的设置于所述溅射窗上。

进一步改进，所述溅射窗包括窗体、分别设置于所述窗体两侧的固定架和分别设置在所述两个固定架上的两个所述修正板。

进一步改进，所述固定架上开设有多条平行设置的水平调节孔，所述修正板通过螺栓可水平滑动的设置在所述水平调节孔中。

进一步改进，所述修正板上与所述水平调节孔连接端设有连接条，所述连接条上设有竖向调节孔，所述修正板通过在所述竖向调节孔中的位置固定可调节其在所述溅射窗窗口区域的形状。

进一步改进，所述修正板为半圆形或类半圆形结构，其圆弧形部分朝向所述溅射窗窗口方向设置。

进一步改进，所述两个修正板分别设置在所述溅射窗窗口的下部两侧。

采用这样的设计后，本实用新型至少具有以下优点：

本实用新型磁控溅射镀膜装置通过设置修正板，可调整靶材粒子溅射区域，使在基片上形成的镀膜层具有良好的均匀性。

本实用新型通过设置可水平和垂直调节的修正板，实现灵活快捷的调节从溅射窗窗口穿过并沉积到基片表面的靶材粒子量，使其制成的镀膜层均匀性较现有基片镀膜层的均匀性提高30％左右。

附图说明

上述仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，以下结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

图1是本实用新型磁控溅射镀膜装置的立体结构示意图。

图2是本实用新型磁控溅射镀膜装置的主视图。

图3是本实用新型磁控溅射镀膜装置的俯视图。

具体实施方式

参照附图1至3所示，本实用新型磁控溅射镀膜装置，包括磁控镀膜室和设置于该磁控镀膜室中的靶材6和基片5。该靶材6和基片5之间设置有溅射窗以及设置在该溅射窗两侧的修正板3，该修正板3用于调节从该溅射窗窗口穿过并沉积到该基片5表面的靶材粒子量。

本实施例中溅射窗包括窗体1、分别设置于该窗体1两侧的固定架2和分别设置在该两个固定架2上的两个该修正板3。该修正板3为半圆形或类半圆形结构，其圆弧形部分朝向该溅射窗窗口方向设置。

较优实施例为，该两个修正板3分别可调节的设置在该溅射窗窗口的下部两侧。具体结构为：该固定架2上开设有多条平行设置的水平调节孔7，该修正板3通过螺栓可水平滑动的设置在该水平调节孔7中，这样两个相对设置的修正板3均可通过水平移动调节其之间的距离。

为了更灵活的控制该修正板的位置设置，该修正板3上与该水平调节孔7连接端设有连接条4，该连接条4上设有竖向调节孔8，该修正板3通过在该竖向调节孔8中的位置固定可调节其在该溅射窗窗口区域的形状，则可更加精确的控制从该溅射窗窗口穿过并沉积到该基片5表面的靶材粒子量。

本实用新型磁控溅射镀膜装置通过设置上述修正板，灵活快捷的调节从溅射窗窗口穿过并沉积到基片表面的靶材粒子量，以使在基片上形成的膜层均匀性更好，其均匀性较不设修正板的现有基片镀膜层的均匀性提高30％左右。如以石英晶体频率片镀膜散差为例说明，在整个镀膜有效窗口区域内，晶片未镀膜前的频率散差为10PPM，现有溅射镀膜装置镀膜后的频率散差在150PPM，使用本申请技术方案后晶片镀膜后的散差可以控制到约100PPM以内。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰，均落在本实用新型的保护范围内。