本实用新型涉及发光二极管长硅设备领域，特别是涉及一种新型PECVD设备。
背景技术：
高亮度AlGaInP发光二极管已广泛应用于高效固态照明领域中,如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。PECVD是制造高亮度发光二极管器件长硅工艺的常用设备，发光二极管的长硅工艺技术是其大规模生产的关键技术，其工作原理是在高真空的长硅腔室内，利用反应气体通过RF射频电离气体分子，从而使的气体分子产生的离子，沉积在晶片表面并形成一定厚度的薄膜层。
在实际的生产使用过程中，为了充分利用pecvd腔室密闭性，会最大化地设计出除了进气口和出气口外，不在设计其它开口。目前现有的PECVD腔室，一般采用密闭式结构，使得出现突发状况下，没有办法灵活的应对，造成LED芯片返工或报废，极大的增加生产成本。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于：克服以上技术的不足，提供一种设计新颖、结构简单、在密闭式结构出现突发状况下可手动破除真空的新型PECVD设备。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现 ：包括特气入口、抽气出口及密闭真空腔，其特征在于：在密闭真空腔上增设手动充气阀。当机台在停电或正常情况下无法打开真空腔时，可以使用手动充气阀破除真空，达到开启效果。
本实用新型所述特气入口由不锈钢管形成，厚度为2-3mm。
本实用新型所述抽气出口由不锈钢管形成，厚度为2-3mm。
本实用新型所述手动充气阀为手动球阀。
本实用新型与传统的PECVD设备相比，由于增设了手动充气阀，一旦出机台在停电或正常情况下无法打开真空腔时，可以灵活的应用手动充气阀，及时破除密闭腔室内的真空，使得密闭腔室的气压和外面大气压一致，达到开启密封腔室的效果，及时取出产品，不会造成LED芯片的返工或报废，达到产能的最大化，成本的最小化。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。
如图1所示，本实用新型包括特气入口1、抽气出口2及密闭真空腔3，在密闭真空腔3腔体一侧增设有手动充气阀4，当机台在停电或正常情况下无法打开真空腔时，可以使用手动充气阀4破除真空。
本实施例所述特气入口、抽气出口均由不锈钢管形成，厚度为2-3mm。最佳选用为316L不锈钢管。所述手动充气阀为手动球阀。
手动充气阀为手动球阀，是靠旋转阀芯来使阀门畅通或闭塞。球阀开关轻便，体积小，可以做成很大口径，密封可靠，结构 简单，维修方便。本实用新型密闭真空腔,经过真空泵的抽气,整个密封腔室在真空状态下，如PECVD突然出现停电或故障停机都可以直接手动开启充气球阀，让大气直接进入腔室内，使得密闭腔室的气压和外面大气压一致，达到开启密封腔室的效果。
可以理解的是，对于本领域的技术人员来说，可以根据本实用新型的技术构思做出其它各种相应的变形和改变，而所有这些变形与改变都应属于本实用新型权利要求的保护范围。